Продукція > IRF
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFB4310PBF | International Rectifier | TO-220, Trans MOSFET N-CH, Vds=100V, Id=140A, Rds(on)=5.6mOm, -55...+175 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4310PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 81 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 81 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4310PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 140A 7mOhm 170nC | на замовлення 1360 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4310PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4310PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 81 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 81 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4310PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4310PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB4310PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 130 A, 0.0056 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 130 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 300 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4310PBF Код товару: 172846
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
|
| |||||||||||||||
| IRFB4310PBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 130 A, Ptot, Вт = 300, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 7670 @ 50, Qg, нКл = 250 @ 10 В, Rds = 7 мОм @ 75 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4310PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4310Z | Infineon Technologies | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4310Z Код товару: 128127
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
|
| |||||||||||||||
| IRFB4310Z | UMW | Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V | на замовлення 959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4310ZGPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4310ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V | на замовлення 5246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4310ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4310ZPBF Код товару: 145200
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFB4310ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4310ZPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB4310ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 127 A, 6000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 127A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4310ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4310ZPBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 120 А, Ptot, Вт = 250, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 6860 @ 50, Qg, нКл = 170 @ 10 В, Rds = 6 мОм @ 75 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 150 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4310ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4310ZPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 127A 6mOhm 120nC Qg | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4310ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 130 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4310ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 127A Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 6mΩ Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 0.12µC Technology: HEXFET® Power dissipation: 250W | на замовлення 38 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4310ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 130 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4310ZPBFXKMA1 | Infineon Technologies | IRFB4310ZPBFXKMA1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4310ZPBFXKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IR FET >60-400V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4310ZPBFXKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 127A Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4310ZPBFXKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.037mA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4321 | IR | 10+ T0-220 | на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4321 Код товару: 99479
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 150 V Idd,A: 85 A Rds(on), Ohm: 12 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 4460/71 Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||
| IRFB4321 | Infineon | N-MOSFET HEXFET 83A 150V 330W 0.015? IRFB4321; IRFB4321 TIRFB4321 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 188 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4321 | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4321GPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 83A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4321GPBF | International Rectifier | TO-220 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4321GPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 150V 83A 15mOhm 71nC | на замовлення 63 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4321PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB4321PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 83 A, 0.015 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 83A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4321PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 83A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 15mΩ Mounting: THT Gate charge: 71nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 131 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4321PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4321PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 150V 83A 15mOhm 71nC Qg | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4321PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 4639 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4321PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4321PBF | International Rectifier | TO-220 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4321PBF Код товару: 165134
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFB4321PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 3616 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4321PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 85A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 350W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 50 V | на замовлення 1383 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4321PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4321PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 3616 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4321PBF | International Rectifier | N-MOSFET; полевой; 150В 83А 330Вт TO220AB Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4332 | International Rectifier | N-MOSFET 60A 250V 390W 0.033Ω IRFB4332 TIRFB4332 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 95 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4332 | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4332PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 554 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4332PBF Код товару: 52140
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220AB Uds,V: 250 V Idd,A: 42 A Rds(on), Ohm: 29 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 5860/99 Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||
| IRFB4332PbF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 250V 60A 33mOhm 99nC Qg | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4332PbF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 390W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4332PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 471 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4332PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB4332PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 60 A, 0.033 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 390W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4332PbF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 390W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 60A Power dissipation: 390W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 33mΩ Mounting: THT Gate charge: 99nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 124 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4332PbF | International Rectifier | MOSFET N-CH 250V 60A TO-220AB Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4332PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4332PBFXKMA1 | Infineon Technologies | IRFB4332PBFXKMA1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4332PBFXKMA1 | Infineon Technologies | TRENCH >=100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB438PBF | Infineon Technologies | IRFB438PBF- HEXFETPower MOSFET | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB438PBF | Infineon Technologies | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFB438PBF | Infineon Technologies | IRFB438PBF- HEXFETPower MOSFET | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4410 | International Rectifier | N-MOSFET 88A 100V IRFB4410 TIRFB4410 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 74 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4410 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 96A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4410 Код товару: 211278
1
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 100 V Idd,A: 96 A Rds(on), Ohm: 8 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 5150/120 Монтаж: THT | у наявності: 62 шт
|
| ||||||||||||||
| IRFB4410PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 23730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4410PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 96A 10mOhm 120nC | на замовлення 3712 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4410PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB4410PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 96 A, 0.01 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 96A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 250W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm | на замовлення 3336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4410PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 96A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 96A Power dissipation: 250W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 972 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4410PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 23730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4410PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 88A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V | на замовлення 2535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4410PBF Код товару: 72936
1
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 100 V Idd,A: 96 A Rds(on), Ohm: 8 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 5150/120 Монтаж: THT | у наявності: 16 шт
|
| |||||||||||||||
| IRFB4410PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4410PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4410PBF | International Rectifier | N-Channel HEXFET, TO-220, 100V Транзистори | на замовлення 50 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4410Z | International Rectifier | N-MOSFET 97A 100V 230W 0.0072Ω IRFB4410Z TIRFB4410z кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4410Z | International Rectifier | N-MOSFET 97A 100V 230W 0.0072Ω IRFB4410Z TIRFB4410z кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4410Z | International Rectifier | N-MOSFET 97A 100V 230W 0.0072Ω IRFB4410Z TIRFB4410z кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 39 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4410Z | Infineon Technologies | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFB4410Z Код товару: 40049
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFB4410ZGPBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4410ZGPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4410ZGPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4410ZGPBF | International Rectifier | Description: IRFB4410 - 12V-300V N-CHANNEL PO Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4410ZGPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4410ZGPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4410ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V | на замовлення 3612 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4410ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4410ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 111 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4410ZPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4410ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 6117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4410ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4410ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4410ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 3270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4410ZPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB4410ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 9000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 97A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 230W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm | на замовлення 924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4410ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 97A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: THT Gate charge: 83nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 1641 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|

