Продукція > AUI

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 22 24 26  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
AUIRF7640S2TRInfineon TechnologiesMOSFETs 60VAUTO GRADE 1 N-CH HEXFET 36mOhms
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+157.05 грн
10+86.53 грн
100+54.19 грн
500+45.29 грн
1000+43.35 грн
2500+42.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7640S2TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 5.8A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric SB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 25µA
Supplier Device Package: DIRECTFET SB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+43.53 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7640S2TRINFINEONDescription: INFINEON - AUIRF7640S2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.027 ohm, DirectFET SB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 21
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 30
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: DirectFET SB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7640S2TRINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; 30W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 30W
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7640S2TRInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 5.8A Automotive 6-Pin Direct-FET SB T/R
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+179.98 грн
90+157.65 грн
94+150.83 грн
109+125.85 грн
116+109.59 грн
250+96.07 грн
500+87.56 грн
1000+86.69 грн
3000+85.82 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7640S2TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 5.8A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric SB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 25µA
Supplier Device Package: DIRECTFET SB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.76 грн
10+98.87 грн
100+67.27 грн
500+50.43 грн
1000+46.34 грн
2000+45.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7640S2TRInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 5.8A Automotive 6-Pin Direct-FET SB T/R
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+179.98 грн
10+157.65 грн
25+150.83 грн
50+125.85 грн
100+109.59 грн
250+96.07 грн
500+87.56 грн
1000+86.69 грн
3000+85.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7647S2TRInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 5.9A Automotive 7-Pin Direct-FET SC T/R
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+57.63 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7647S2TRInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 5.9A Automotive 7-Pin Direct-FET SC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7647S2TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 5.9A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric SC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7647S2TRINFINEONDescription: INFINEON - AUIRF7647S2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.031 ohm, DirectFET SC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: DirectFET SC
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+229.54 грн
10+146.58 грн
100+118.39 грн
500+91.99 грн
1000+79.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7647S2TRInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 5.9A Automotive 7-Pin Direct-FET SC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7647S2TRInfineon TechnologiesMOSFETs 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET
на замовлення 3735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+206.18 грн
10+127.02 грн
100+91.12 грн
500+76.63 грн
1000+68.90 грн
2500+64.68 грн
4800+58.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7647S2TRINFINEONDescription: INFINEON - AUIRF7647S2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.031 ohm, DirectFET SC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: DirectFET SC
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+118.39 грн
500+91.99 грн
1000+79.39 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7647S2TRINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; 41W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 24A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 41W
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7647S2TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 5.9A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric SC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.11 грн
10+117.34 грн
100+87.19 грн
500+71.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7648M2TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 14A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric M4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 41A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 68A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric M4
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 9399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+330.85 грн
10+210.67 грн
100+149.32 грн
500+115.57 грн
1000+109.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7648M2TRInfineon TechnologiesMOSFETs 60VAUTO GRADE 1 N-CH HEXFET 7mOhms
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+304.44 грн
10+203.24 грн
100+127.71 грн
500+108.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7648M2TRINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; 63W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 68A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 63W
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7648M2TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 14A DIRECTFET
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 41A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 68A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric M4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric M4
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+121.26 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7665S2TRINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14.4A; 30W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 14.4A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 30W
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7665S2TRInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 4.1A Automotive 6-Pin Direct-FET SB T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7665S2TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 4.1A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DIRECTFET SB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 8.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), 14.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric SB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7665S2TRInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 4.1A Automotive 6-Pin Direct-FET SB T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7665S2TRInfineon TechnologiesMOSFET 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7669L2TRInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 19A Automotive AEC-Q101 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+611.42 грн
10+572.76 грн
25+568.89 грн
100+509.57 грн
250+468.03 грн
500+442.42 грн
1000+435.54 грн
3000+428.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7669L2TRInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 19A Automotive AEC-Q101 15-Pin Direct-FET L8 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7669L2TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 19A DIRECTFET
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 68A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 114A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7669L2TRInfineon TechnologiesMOSFETs 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7669L2TRInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 19A Automotive AEC-Q101 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+611.42 грн
25+568.89 грн
100+509.57 грн
250+468.03 грн
500+442.42 грн
1000+435.54 грн
3000+428.57 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7669L2TRINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 114A; 100W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 114A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 100W
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7669L2TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 19A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+494.72 грн
10+375.06 грн
100+346.89 грн
500+319.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7669L2TRCTInternational RectifierDescription: AUIRF7669 - 75V-100V N-CHANNEL A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DIRECTFET L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 68A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 114A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7675M2TRInfineon TechnologiesMOSFETs 150V AUTO GRD 1 N-CH HEXFET DIRECTFET M2
на замовлення 4538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+306.86 грн
10+196.09 грн
100+129.09 грн
500+108.38 грн
1000+104.24 грн
2500+97.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7675M2TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 4.4A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric M2
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric M2
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7675M2TRINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 18A; 45W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 18A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 45W
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7675M2TRInternational RectifierDescription: AUIRF7675M2 - 120V-300V N-CHANNE
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric M2
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric M2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+126.78 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7675M2TRINFINEONDescription: INFINEON - AUIRF7675M2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.047 ohm, DirectFET M2, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: DirectFET M2
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+135.31 грн
500+104.70 грн
1000+91.12 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7675M2TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 4.4A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric M2
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric M2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+279.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7675M2TRINFINEONDescription: INFINEON - AUIRF7675M2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.047 ohm, DirectFET M2, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: DirectFET M2
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+289.14 грн
10+190.88 грн
100+135.31 грн
500+104.70 грн
1000+91.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7732S2TRROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRF7732S2TR - AUIRF7732 - 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+86.98 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7732S2TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 14A DIRECTFET SC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric SC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.95mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 4270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.82 грн
10+124.07 грн
100+85.65 грн
500+64.91 грн
1000+59.93 грн
2000+55.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7732S2TRInfineon TechnologiesMOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 7mOhms
на замовлення 3378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+157.05 грн
10+121.47 грн
100+89.74 грн
250+87.67 грн
500+75.94 грн
1000+60.96 грн
2500+60.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7732S2TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 14A DIRECTFET SC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric SC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.95mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7734M2TRInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 40V 17A DIRECTFET M2
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric M2
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric M2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2545 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+99.75 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7734M2TRInfineon TechnologiesMOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 4.9mOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7734M2TR1Infineon TechnologiesMOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 4.9mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7736M2TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 22A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4267 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric M4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 65A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 108A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric M4
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+308.32 грн
10+196.61 грн
100+139.37 грн
500+121.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7736M2TRInfineon TechnologiesMOSFETs 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 3mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7736M2TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 22A DIRECTFET
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric M4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 65A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 108A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric M4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4267 pF @ 25 V
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+109.86 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7736M2TRROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRF7736M2TR - AUIRF7736M2 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
153+161.88 грн
Мінімальне замовлення: 153 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7736M2TRINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 108A; 63W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 108A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 63W
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7736M2TR1Infineon TechnologiesMOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 3mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7737L2TRROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRF7737L2TR - AUIRF7737L2 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+242.42 грн
Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7737L2TRINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 156A; 83W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 156A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 83W
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7737L2TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 31A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 94A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET L6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5469 pF @ 25 V
на замовлення 7387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+376.67 грн
10+304.53 грн
100+246.37 грн
500+205.52 грн
1000+175.98 грн
2000+165.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7737L2TRInfineon TechnologiesMOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 7.9mOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7737L2TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 31A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 94A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET L6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5469 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+183.36 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7737L2TR1Infineon TechnologiesMOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 1.9mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7738L2TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 35A DIRECTFET
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET L6
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 109A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric L6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7471 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7738L2TRInfineon TechnologiesMOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 1.6mOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7739L2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 160A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11880 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7739L2TRINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 125W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 125W
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7739L2TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11880 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 160A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 270A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7739L2TRInfineon TechnologiesMOSFETs 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 1mOhm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7739L2TR1Infineon TechnologiesMOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 1mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7749L2TRInfineon
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7749L2TRInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 36A Automotive 9-Pin Direct-FET2 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7749L2TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 36A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 345A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10655 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+618.98 грн
10+406.77 грн
100+299.90 грн
500+281.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7749L2TRINFINEONDescription: INFINEON - AUIRF7749L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 345 A, 1100 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 345A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+410.75 грн
50+350.75 грн
100+256.12 грн
250+251.28 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7749L2TRInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+615.32 грн
10+405.68 грн
100+276.83 грн
1000+258.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7749L2TRInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 36A Automotive 9-Pin Direct-FET2 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7749L2TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 36A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 345A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10655 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7749L2TRINFINEONDescription: INFINEON - AUIRF7749L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 345 A, 1100 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 345A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+602.44 грн
5+506.60 грн
10+410.75 грн
50+350.75 грн
100+256.12 грн
250+251.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7759L2TRInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 160A Automotive 15-Pin Direct-FET L8 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7759L2TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 375A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12222 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7759L2TRINFINEONDescription: INFINEON - AUIRF7759L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 160 A, 2300 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+802.18 грн
5+678.14 грн
10+553.31 грн
50+461.44 грн
100+377.62 грн
250+370.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7759L2TRInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 160A Automotive AEC-Q101 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+388.26 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7759L2TRInfineon TechnologiesMOSFETs Automotive 75V 160A 2.3mOhm DirectFET 2
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+749.83 грн
10+509.68 грн
100+340.34 грн
1000+317.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7759L2TRInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 160A Automotive AEC-Q101 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+418.70 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7759L2TRInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 160A Automotive 15-Pin Direct-FET L8 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7759L2TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 375A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12222 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+663.25 грн
10+440.12 грн
100+361.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7759L2TRINFINEONDescription: INFINEON - AUIRF7759L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 160 A, 2300 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+377.62 грн
250+370.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7759L2TRInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 160A Automotive AEC-Q101 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1337.41 грн
12+1204.88 грн
50+1079.57 грн
100+949.23 грн
200+848.79 грн
500+748.75 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7769L2TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11560 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 7807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+610.43 грн
10+484.99 грн
100+361.98 грн
500+317.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7769L2TRINFINEONDescription: INFINEON - AUIRF7769L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 124 A, 3500 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 124A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+861.78 грн
50+628.21 грн
250+473.57 грн
1000+417.31 грн
2000+377.62 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7769L2TRInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+757.07 грн
10+543.82 грн
100+356.91 грн
4000+332.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7769L2TRInfineon
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7769L2TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11560 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+351.56 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7769L2TRINFINEONDescription: INFINEON - AUIRF7769L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 124 A, 3500 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 124A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+861.78 грн
50+628.21 грн
250+473.57 грн
1000+417.31 грн
2000+377.62 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7769L2TRInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 20A Automotive 9-Pin Direct-FET T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7799L2TRInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7799L2TRInfineon TechnologiesMOSFETs DirectFET 2 250V 35A 38mOhm Automotive
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+618.55 грн
10+427.11 грн
100+309.27 грн
500+303.06 грн
4000+238.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7799L2TRInfineon
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7799L2TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7799L2TRInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 6.6A Automotive 15-Pin Direct-FET L8 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7805QInfineon / IRMOSFET AUTO 30V 1 N-CH HEXFET 11mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7805QInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7805QTRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 30V 13A 8-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7805QTRInfineon / IRMOSFET AUTO 30V 1 N-CH HEXFET 11mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 22 24 26  [ Наступна Сторінка >> ]