Продукція > S80
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| S80KS2563GABHV020 | Infineon Technologies | Description: IC PSRAM 256MBIT SPI/OCTL 24FBGA Packaging: Tray Package / Case: 24-VBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V Technology: PSRAM (Pseudo SRAM) Clock Frequency: 200 MHz Memory Format: PSRAM Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 35ns Memory Interface: SPI - Octal I/O Access Time: 35 ns Memory Organization: 32M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| S80KS2563GABHV020 | INFINEON | Description: INFINEON - S80KS2563GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s) tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: HyperRAM euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 256Mbit MSL: - Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit | на замовлення 323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| S80KS2563GABHV020 | Infineon Technologies | DRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 32Mx8 1.8V 24-Pin FBGA Tray | на замовлення 338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| S80KS2563GABHV020 | Infineon Technologies | DRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 32Mx8 1.8V 24-Pin FBGA Tray | на замовлення 338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| S80KS2563GABHV020 | Infineon Technologies | DRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 32Mx8 1.8V 24-Pin FBGA Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 338 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS2563GABHV023 | Infineon Technologies | DRAM SPCM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS2563GABHV023 | Infineon Technologies | Description: IC PSRAM 256MBIT SPI/OCTL 24FBGA Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 256Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 24-VBGA Packaging: Tape & Reel (TR) DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 32M x 8 Access Time: 35 ns Memory Interface: SPI - Octal I/O Write Cycle Time - Word, Page: 35ns Part Status: Active Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8) Memory Format: PSRAM Clock Frequency: 200 MHz Technology: PSRAM (Pseudo SRAM) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS2563GABHV023 | Infineon Technologies | DRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 32Mx8 1.8V 24-Pin FBGA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS2564GACHA040 | Infineon Technologies | DRAM SPCM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 260 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS2564GACHA040 | Infineon Technologies | Description: IC PSRAM 256MBIT HYPERBUS 49FBGA Packaging: Tray Package / Case: 49-VBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V Technology: PSRAM (Pseudo SRAM) Clock Frequency: 200 MHz Memory Format: PSRAM Supplier Device Package: 49-FBGA (8x8) Write Cycle Time - Word, Page: 35ns Memory Interface: HyperBus Access Time: 35 ns Memory Organization: 16M x 16 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 260 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS2564GACHA043 | Infineon Technologies | DRAM SPCM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS2564GACHA043 | Infineon Technologies | Description: IC PSRAM 256MBIT HYPERBUS 49FBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 49-VBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V Technology: PSRAM (Pseudo SRAM) Clock Frequency: 200 MHz Memory Format: PSRAM Supplier Device Package: 49-FBGA (8x8) Write Cycle Time - Word, Page: 35ns Memory Interface: HyperBus Access Time: 35 ns Memory Organization: 16M x 16 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS2564GACHB040 | Infineon Technologies | DRAM SPCM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 260 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS2564GACHB040 | Infineon Technologies | Description: IC PSRAM 256MBIT HYPERBUS 49FBGA Packaging: Tray Package / Case: 49-VBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V Technology: PSRAM (Pseudo SRAM) Clock Frequency: 200 MHz Memory Format: PSRAM Supplier Device Package: 49-FBGA (8x8) Write Cycle Time - Word, Page: 35ns Memory Interface: HyperBus Access Time: 35 ns Memory Organization: 16M x 16 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 260 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS2564GACHB040 | Infineon Technologies | PSRAM (Pseudo Static DRAM) Automotive AEC-Q100 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 260 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS2564GACHB043 | Infineon Technologies | DRAM SPCM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS2564GACHB043 | Infineon Technologies | Description: IC PSRAM 256MBIT HYPERBUS 49FBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 49-VBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V Technology: PSRAM (Pseudo SRAM) Clock Frequency: 200 MHz Memory Format: PSRAM Supplier Device Package: 49-FBGA (8x8) Write Cycle Time - Word, Page: 35ns Memory Interface: HyperBus Access Time: 35 ns Memory Organization: 16M x 16 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS2564GACHB043 | Infineon Technologies | PSRAM (Pseudo Static DRAM) Automotive AEC-Q100 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS2564GACHI040 | Infineon Technologies | DRAM SPCM | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS2564GACHI040 | Infineon Technologies | Description: IC PSRAM 256MBIT HYPERBUS 49FBGA Memory Organization: 16M x 16 Access Time: 35 ns Memory Interface: HyperBus Write Cycle Time - Word, Page: 35ns Part Status: Active Supplier Device Package: 49-FBGA (8x8) Memory Format: PSRAM Clock Frequency: 200 MHz Technology: PSRAM (Pseudo SRAM) Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 256Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 49-VBGA Packaging: Tray DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS2564GACHI040 | INFINEON | Description: INFINEON - S80KS2564GACHI040 - DRAM, DDR, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 200 MHz, FBGA, 49 Pin(s) tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: DDR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 256Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 49Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| S80KS2564GACHI040 | Infineon Technologies | PSRAM Sync Single Port 256M-bit 16M x 16 35ns 49-Pin FBGA Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 260 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS2564GACHI040 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 200MHz; 35ns; FBGA24; -40÷85°C; in-tray Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DRAM Memory: 256Mb DRAM Clock frequency: 200MHz Access time: 35ns Case: FBGA24 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray Supply voltage: 1.7...2V DC Interface: HyperBus | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 260 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS2564GACHI040 | Infineon Technologies | PSRAM Sync Single Port 256M-bit 16M x 16 35ns 49-Pin FBGA Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 260 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS2564GACHI040 | Infineon Technologies | PSRAM Sync Single Port 256M-bit 16M x 16 35ns 49-Pin FBGA Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 260 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS2564GACHI043 | Infineon Technologies | DRAM SPCM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS2564GACHI043 | Infineon Technologies | Description: IC PSRAM 256MBIT HYPERBUS 49FBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 49-VBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V Technology: PSRAM (Pseudo SRAM) Clock Frequency: 200 MHz Memory Format: PSRAM Supplier Device Package: 49-FBGA (8x8) Write Cycle Time - Word, Page: 35ns Memory Interface: HyperBus Access Time: 35 ns Memory Organization: 16M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS2564GACHI043 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 200MHz; 35ns; FBGA24; -40÷85°C Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DRAM Memory: 256Mb DRAM Clock frequency: 200MHz Access time: 35ns Case: FBGA24 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape Supply voltage: 1.7...2V DC Interface: HyperBus | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS2564GACHI043 | Infineon Technologies | PSRAM Sync Single Port 256M-bit 16M x 16 35ns 49-Pin FBGA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS2564GACHV040 | Infineon Technologies | PSRAM Sync Single Port 256M-bit 16M x 16 35ns 49-Pin FBGA Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 260 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS2564GACHV040 | Infineon Technologies | PSRAM Sync Single Port 256M-bit 16M x 16 35ns 49-Pin FBGA Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 260 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS2564GACHV040 | Infineon Technologies | DRAM SPCM | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS2564GACHV040 | Infineon Technologies | Description: IC PSRAM 256MBIT HYPERBUS 49FBGA DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 16M x 16 Access Time: 35 ns Memory Interface: HyperBus Write Cycle Time - Word, Page: 35ns Part Status: Active Supplier Device Package: 49-FBGA (8x8) Memory Format: PSRAM Clock Frequency: 200 MHz Technology: PSRAM (Pseudo SRAM) Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 256Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 49-VBGA Packaging: Tray | на замовлення 491 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| S80KS2564GACHV040 | Infineon Technologies | PSRAM Sync Single Port 256M-bit 16M x 16 35ns 49-Pin FBGA Tray | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| S80KS2564GACHV040 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 200MHz; 35ns; FBGA24; -40÷105°C Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DRAM Memory: 256Mb DRAM Clock frequency: 200MHz Access time: 35ns Case: FBGA24 Mounting: SMD Operating temperature: -40...105°C Kind of package: in-tray Supply voltage: 1.7...2V DC Interface: HyperBus | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 260 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS2564GACHV040 | Infineon Technologies | PSRAM Sync Single Port 256M-bit 16M x 16 35ns 49-Pin FBGA Tray | на замовлення 1252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| S80KS2564GACHV040 | Infineon Technologies | PSRAM Sync Single Port 256M-bit 16M x 16 35ns 49-Pin FBGA Tray | на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS2564GACHV040 | Infineon Technologies | PSRAM Sync Single Port 256M-bit 16M x 16 35ns 49-Pin FBGA Tray | на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| S80KS2564GACHV040 | INFINEON | Description: INFINEON - S80KS2564GACHV040 - DRAM, DDR, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 200 MHz, FBGA, 49 Pin(s) tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: DDR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 256Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 49Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| S80KS2564GACHV040 | Infineon Technologies | PSRAM Sync Single Port 256M-bit 16M x 16 35ns 49-Pin FBGA Tray | на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| S80KS2564GACHV043 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 200MHz; 35ns; FBGA24; -40÷105°C Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DRAM Memory: 256Mb DRAM Clock frequency: 200MHz Access time: 35ns Case: FBGA24 Mounting: SMD Operating temperature: -40...105°C Kind of package: reel; tape Supply voltage: 1.7...2V DC Interface: HyperBus | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS2564GACHV043 | Infineon Technologies | Self-Refresh DRAM (PSRAM) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS2564GACHV043 | Infineon Technologies | DRAM SPCM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS2564GACHV043 | Infineon Technologies | Description: IC PSRAM 256MBIT HYPERBUS 49FBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 49-VBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V Technology: PSRAM (Pseudo SRAM) Clock Frequency: 200 MHz Memory Format: PSRAM Supplier Device Package: 49-FBGA (8x8) Write Cycle Time - Word, Page: 35ns Memory Interface: HyperBus Access Time: 35 ns Memory Organization: 16M x 16 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS5122GABHA020 | Infineon Technologies | PSRAM Sync Single Port 512M-bit 64M x 8 35ns 24-Pin FBGA Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 676 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS5122GABHA020 | INFINEON | Description: INFINEON - S80KS5122GABHA020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s) tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: HyperRAM euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit MSL: - Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit | на замовлення 607 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| S80KS5122GABHA020 | Infineon Technologies | DRAM SPCM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS5122GABHA020 | Infineon Technologies | PSRAM Sync Single Port 512M-bit 64M x 8 35ns 24-Pin FBGA Tray | на замовлення 871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| S80KS5122GABHA020 | Infineon Technologies | Description: IC PSRAM 512MBIT HYPERBUS 24FBGA DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 64M x 8 Access Time: 35 ns Memory Interface: HyperBus Write Cycle Time - Word, Page: 35ns Part Status: Active Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8) Memory Format: PSRAM Clock Frequency: 200 MHz Technology: PSRAM (Pseudo SRAM) Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 512Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 24-VBGA Packaging: Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS5122GABHA020 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 200MHz; 35ns; FBGA24; -40÷85°C; in-tray Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DRAM Memory: 256Mb DRAM Clock frequency: 200MHz Access time: 35ns Case: FBGA24 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray Supply voltage: 1.7...2V DC Interface: HyperBus | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 676 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS5122GABHA020 | Infineon Technologies | PSRAM Sync Single Port 512M-bit 64M x 8 35ns 24-Pin FBGA Tray | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| S80KS5122GABHA023 | Infineon Technologies | PSRAM Sync Single Port 512M-bit 64M x 8 35ns 24-Pin FBGA T/R Automotive AEC-Q100 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| S80KS5122GABHA023 | Infineon Technologies | Description: IC PSRAM 512MBIT HYPERBUS 24FBGA DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 64M x 8 Access Time: 35 ns Memory Interface: HyperBus Write Cycle Time - Word, Page: 35ns Part Status: Active Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8) Memory Format: PSRAM Clock Frequency: 200 MHz Technology: PSRAM (Pseudo SRAM) Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 512Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 24-VBGA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS5122GABHA023 | Infineon Technologies | PSRAM Sync Single Port 512M-bit 64M x 8 35ns 24-Pin FBGA T/R Automotive AEC-Q100 | на замовлення 1003 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| S80KS5122GABHA023 | Infineon Technologies | DRAM SPCM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS5122GABHB020 | Infineon Technologies | PSRAM Sync Single Port 512M-bit 64M x 8 35ns 24-Pin FBGA Tray Automotive AEC-Q100 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 676 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS5122GABHB020 | Infineon Technologies | DRAM SPCM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS5122GABHB020 | Infineon Technologies | Description: IC PSRAM 512MBIT HYPERBUS 24FBGA DigiKey Programmable: Not Verified Memory Format: PSRAM Clock Frequency: 200 MHz Technology: PSRAM (Pseudo SRAM) Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 512Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 24-VBGA Packaging: Tray Memory Organization: 64M x 8 Access Time: 35 ns Memory Interface: HyperBus Write Cycle Time - Word, Page: 35ns Part Status: Active Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8) | на замовлення 358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| S80KS5122GABHB020 | Infineon Technologies | PSRAM Sync Single Port 512M-bit 64M x 8 35ns 24-Pin FBGA Tray Automotive AEC-Q100 | на замовлення 1352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| S80KS5122GABHB020 | INFINEON | Description: INFINEON - S80KS5122GABHB020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s) tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: HyperRAM euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit MSL: - Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit | на замовлення 649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| S80KS5122GABHB023 | Infineon Technologies | DRAM SPCM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS5122GABHB023 | Infineon Technologies | Description: IC PSRAM 512MBIT HYPERBUS 24FBGA DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 64M x 8 Access Time: 35 ns Memory Interface: HyperBus Write Cycle Time - Word, Page: 35ns Part Status: Active Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8) Memory Format: PSRAM Clock Frequency: 200 MHz Technology: PSRAM (Pseudo SRAM) Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 512Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 24-VBGA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS5122GABHB023 | Infineon Technologies | PSRAM Sync Single Port 512M-bit 64M x 8 35ns T/R Automotive AEC-Q100 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS5122GABHI020 | Infineon Technologies | PSRAM Sync Single Port 512M-bit 64M x 8 35ns 24-Pin BGA Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 338 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS5122GABHI020 | Infineon Technologies | PSRAM Sync Single Port 512M-bit 64M x 8 35ns 24-Pin BGA Tray | на замовлення 315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| S80KS5122GABHI020 | INFINEON | Description: INFINEON - S80KS5122GABHI020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s) tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: HyperRAM euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit MSL: - Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit | на замовлення 185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| S80KS5122GABHI020 | Infineon Technologies | PSRAM Sync Single Port 512M-bit 64M x 8 35ns 24-Pin BGA Tray | на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| S80KS5122GABHI020 | Infineon Technologies | DRAM SPCM | на замовлення 559 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS5122GABHI020 | Infineon Technologies | Description: IC PSRAM 512MBIT HYPERBUS 24FBGA DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 64M x 8 Access Time: 35 ns Memory Interface: HyperBus Write Cycle Time - Word, Page: 35ns Part Status: Active Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8) Memory Format: PSRAM Clock Frequency: 200 MHz Technology: PSRAM (Pseudo SRAM) Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 512Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 24-VBGA Packaging: Tray | на замовлення 496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| S80KS5122GABHI023 | Infineon Technologies | DRAM SPCM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS5122GABHI023 | Infineon Technologies | Description: IC PSRAM 512MBIT HYPERBUS 24FBGA DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 64M x 8 Access Time: 35 ns Memory Interface: HyperBus Write Cycle Time - Word, Page: 35ns Part Status: Active Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8) Memory Format: PSRAM Clock Frequency: 200 MHz Technology: PSRAM (Pseudo SRAM) Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 512Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 24-VBGA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS5122GABHI023 | Infineon Technologies | PSRAM Sync Single Port 512M-bit 64M x 8 35ns 24-Pin BGA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS5122GABHM020 | Infineon Technologies | Description: IC PSRAM 512MBIT HYPERBUS 24FBGA Packaging: Tray Package / Case: 24-VBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V Technology: PSRAM (Pseudo SRAM) Clock Frequency: 200 MHz Memory Format: PSRAM Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 35ns Memory Interface: HyperBus Access Time: 35 ns Memory Organization: 64M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| S80KS5122GABHM020 | INFINEON | Description: INFINEON - S80KS5122GABHM020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s) tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: HyperRAM euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit MSL: - Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 125°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit | на замовлення 674 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| S80KS5122GABHM020 | Infineon Technologies | PSRAM Sync Single Port 512M-bit 64M x 8 35ns 24-Pin FBGA Tray Automotive AEC-Q100 | на замовлення 310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| S80KS5122GABHM020 | Infineon Technologies | PSRAM Sync Single Port 512M-bit 64M x 8 35ns 24-Pin FBGA Tray Automotive AEC-Q100 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 676 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS5122GABHM020 | Infineon Technologies | PSRAM Sync Single Port 512M-bit 64M x 8 35ns 24-Pin FBGA Tray Automotive AEC-Q100 | на замовлення 669 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| S80KS5122GABHM020 | Infineon Technologies | DRAM SPCM | на замовлення 153 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS5122GABHM020 | Infineon Technologies | PSRAM Sync Single Port 512M-bit 64M x 8 35ns 24-Pin FBGA Tray Automotive AEC-Q100 | на замовлення 1352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| S80KS5122GABHM023 | Infineon Technologies | PSRAM Sync Single Port 512M-bit 64M x 8 35ns 24-Pin FBGA T/R Automotive AEC-Q100 | на замовлення 864 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| S80KS5122GABHM023 | Infineon Technologies | DRAM SPCM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS5122GABHM023 | Infineon Technologies | Description: IC PSRAM 512MBIT HYPERBUS 24FBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 24-VBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V Technology: PSRAM (Pseudo SRAM) Clock Frequency: 200 MHz Memory Format: PSRAM Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 35ns Memory Interface: HyperBus Access Time: 35 ns Memory Organization: 64M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS5122GABHM023 | Infineon Technologies | PSRAM Sync Single Port 512M-bit 64M x 8 35ns 24-Pin FBGA T/R Automotive AEC-Q100 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS5122GABHV020 | Infineon Technologies | DRAM SPCM | на замовлення 257 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS5122GABHV020 | Infineon Technologies | Description: IC PSRAM 512MBIT HYPERBUS 24FBGA Packaging: Tray Package / Case: 24-VBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V Technology: PSRAM (Pseudo SRAM) Clock Frequency: 200 MHz Memory Format: PSRAM Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 35ns Memory Interface: HyperBus Access Time: 35 ns Memory Organization: 64M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| S80KS5122GABHV020 | INFINEON | Description: INFINEON - S80KS5122GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s) tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: HyperRAM euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit MSL: - Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit | на замовлення 302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| S80KS5122GABHV020 | Infineon Technologies | PSRAM Sync Single Port 512M-bit 64M x 8 35ns 24-Pin FBGA Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 338 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS5122GABHV023 | Infineon Technologies | PSRAM Sync Single Port 512M-bit 64M x 8 35ns 24-Pin FBGA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS5122GABHV023 | Infineon Technologies | DRAM SPCM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS5122GABHV023 | Infineon Technologies | Description: IC PSRAM 512MBIT HYPERBUS 24FBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 24-VBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V Technology: PSRAM (Pseudo SRAM) Clock Frequency: 200 MHz Memory Format: PSRAM Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 35ns Memory Interface: HyperBus Access Time: 35 ns Memory Organization: 64M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS5123GABHA020 | Infineon Technologies | 256Mb Self-Refresh Dynamic RAM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 676 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS5123GABHA020 | INFINEON | Description: INFINEON - S80KS5123GABHA020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s) tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: HyperRAM euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit MSL: - Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit | на замовлення 652 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| S80KS5123GABHA020 | Infineon Technologies | 256Mb Self-Refresh Dynamic RAM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 676 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS5123GABHA020 | Infineon Technologies | DRAM SPCM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS5123GABHA020 | Infineon Technologies | Description: IC PSRAM 512MBIT SPI/OCTL 24FBGA Packaging: Tray Package / Case: 24-VBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V Technology: PSRAM (Pseudo SRAM) Clock Frequency: 200 MHz Memory Format: PSRAM Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 35ns Memory Interface: SPI - Octal I/O Access Time: 35 ns Memory Organization: 64M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 316 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| S80KS5123GABHA020 | Infineon Technologies | 256Mb Self-Refresh Dynamic RAM | на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| S80KS5123GABHA023 | Infineon Technologies | 256Mb Self-Refresh Dynamic RAM | на замовлення 1313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| S80KS5123GABHA023 | Infineon Technologies | DRAM SPCM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS5123GABHA023 | Infineon Technologies | Description: IC PSRAM 512MBIT SPI/OCTL 24FBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 24-VBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V Technology: PSRAM (Pseudo SRAM) Clock Frequency: 200 MHz Memory Format: PSRAM Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8) Write Cycle Time - Word, Page: 35ns Memory Interface: SPI - Octal I/O Access Time: 35 ns Memory Organization: 64M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| S80KS5123GABHB020 | Infineon Technologies | 256Mb Self-Refresh Dynamic RAM | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|