Продукція > SP8

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SP8M4ROHMSOP-8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M4-F-TB
на замовлення 75400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M41
на замовлення 1358 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M41ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M41
Код товару: 128561
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M41 TBROHM09+
на замовлення 14889 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M41-TBROHMSOP8 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M41FU6TBROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M41HZGTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 80V 3.4A 8SOP
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 5V, 11.5nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V, 240mOhm @ 2.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V, 1000pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 2.6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+157.31 грн
10+97.08 грн
100+66.12 грн
500+49.63 грн
1000+48.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M41HZGTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+139.16 грн
150+94.38 грн
250+87.37 грн
500+77.97 грн
1000+72.41 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M41HZGTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+139.16 грн
150+94.38 грн
250+90.60 грн
500+84.21 грн
1000+75.43 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M41HZGTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 80V 3.4A 8SOP
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 5V, 11.5nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V, 240mOhm @ 2.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V, 1000pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 2.6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M41HZGTBROHM SemiconductorMOSFETs AECQ
на замовлення 1811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M41HZGTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+218.75 грн
100+141.44 грн
200+131.06 грн
500+90.92 грн
1000+79.56 грн
2000+64.98 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M41TB
на замовлення 14861 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M4FRATBROHMDescription: ROHM - SP8M4FRATB - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.012 ohm
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012
Anzahl der Pins: 8
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: SOP
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 2
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30
Verlustleistung, p-Kanal: 2
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012
Dauer-Drainstrom Id: 9
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 2
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+223.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M4FRATBROHM SemiconductorMOSFETs Nch+Pch 30V Vds 9A 0.017Rds(on) 15Qg
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M4FRATBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9A 8SOP
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V, 25nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V, 2600pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M4FRATBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9A 8SOP
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V, 25nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V, 2600pF @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M4FRATBROHMDescription: ROHM - SP8M4FRATB - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.012 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012
Verlustleistung, p-Kanal: 2
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M4FU67B
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M4FU6TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOP
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A, 7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M4FU6TBROHM SemiconductorMOSFET SWITCHING Nch/Pch 4V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M4FU6TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M4HZGTBROHMDescription: ROHM - SP8M4HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+219.38 грн
10+129.38 грн
100+96.43 грн
500+72.08 грн
1000+65.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M4HZGTBROHM SemiconductorMOSFETs AECQ
на замовлення 2628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M4HZGTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+294.18 грн
74+192.35 грн
100+174.44 грн
200+126.38 грн
500+108.60 грн
1000+95.37 грн
2000+84.05 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M4HZGTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V, 2600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V, 25nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 1638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.55 грн
10+132.38 грн
100+91.78 грн
500+72.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M4HZGTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+164.48 грн
100+149.51 грн
250+143.51 грн
500+133.39 грн
1000+119.48 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M4HZGTBROHMDescription: ROHM - SP8M4HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+96.43 грн
500+72.08 грн
1000+65.23 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M4HZGTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V, 2600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V, 25nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M4TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 30V 9A/7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M4TBROHM09+
на замовлення 4020 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M4TBROHM SemiconductorMOSFETs TRANS MOSFET N/PCH 30V 9A/7A 8PIN
на замовлення 1172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M51
на замовлення 6068 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M51FRATBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 100V 3A 8SOP
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 5V, 12.5nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3A, 10V, 290mOhm @ 2.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 10V, 1550pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 2.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M51FRATBROHM SemiconductorMOSFETs Nch+Pch 100V Vds 3A 0.135Rds(on) 8.5Qg
на замовлення 24078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M51FRATBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 100V 3A 8SOP
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 5V, 12.5nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3A, 10V, 290mOhm @ 2.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 10V, 1550pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 2.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M51GTB1Rohm SemiconductorSP8M51GTB1
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+95.74 грн
155+91.46 грн
250+87.79 грн
500+81.60 грн
1000+73.09 грн
Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M51GTB1
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M51GTB1Rohm SemiconductorSP8M51GTB1
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M51HZGTBROHMDescription: ROHM - SP8M51HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 3 A, 3 A, 0.17 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+80.12 грн
500+58.50 грн
1000+52.69 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M51HZGTBROHM SemiconductorMOSFETs AECQ
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M51HZGTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+81.84 грн
Мінімальне замовлення: 173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M51HZGTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+198.01 грн
110+129.18 грн
200+126.35 грн
500+83.56 грн
1000+76.11 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M51HZGTBROHMDescription: ROHM - SP8M51HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 3 A, 3 A, 0.17 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+177.60 грн
10+115.72 грн
100+80.12 грн
500+58.50 грн
1000+52.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M51HZGTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 100V 3A 8SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 5V, 12.5nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3A, 10V, 290mOhm @ 2.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 25V, 1550pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 2.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.63 грн
10+98.72 грн
100+67.32 грн
500+50.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M51HZGTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+99.93 грн
149+95.46 грн
250+91.63 грн
500+85.17 грн
1000+76.29 грн
Мінімальне замовлення: 142 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M51HZGTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 100V 3A 8SOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 5V, 12.5nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3A, 10V, 290mOhm @ 2.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 25V, 1550pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 2.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M51TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A SOP8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M51TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A SOP8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M5FRATBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6A 8SOP
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 5V, 25nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V, 2600pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M5FRATBROHM SemiconductorMOSFETs Nch+Pch 30V Vds 7A 0.03Rds(on) 7.2Qg
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M5FRATBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6A 8SOP
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 5V, 25nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V, 2600pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M5FT1TB
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M5FU6TBROHM SemiconductorMOSFET SWITCHING Nch/Pch 4V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M5FU6TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M5TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M5TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M6
Код товару: 77055
Додати до обраних Обраний товар

8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M6ROHM07+ SOP8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M6ROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M6FRATBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5A 8SOP
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V, 5.5nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V, 90mOhm @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V, 490pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 3.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M6FRATBROHM SemiconductorMOSFETs Nch+Pch 30V Vds 5A 3.9Qg SOP8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M6FRATBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5A 8SOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V, 5.5nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V, 90mOhm @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V, 490pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 3.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M6FU6TBROHM SemiconductorMOSFET SWITCHING Nch/Pch 4V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M6FU6TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5A/3.5A 8SOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 3.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M6HZGTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 5A/3.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+72.98 грн
250+70.06 грн
500+67.53 грн
1000+62.99 грн
2500+56.60 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M6HZGTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V, 490pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V, 90mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V, 5.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M6HZGTBROHMDescription: ROHM - SP8M6HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.051 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.051ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.40 грн
500+49.25 грн
1000+41.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M6HZGTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V, 490pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V, 90mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V, 5.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.06 грн
10+82.23 грн
100+55.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M6HZGTBROHM SemiconductorMOSFETs AECQ
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M6HZGTBROHMDescription: ROHM - SP8M6HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.051 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.051ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.86 грн
10+85.18 грн
100+63.40 грн
500+49.25 грн
1000+41.33 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M6TB
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M6TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5A/3.5A 8SOP
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 3.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M6TBROHM SemiconductorMOSFET Trans MOSFET N/P-CH 30V 5A/3.5A 8-Pin SOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M6TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5A/3.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M7ROHM07+ SOP8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M70N/A
на замовлення 208 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M70TB
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M70TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M70TB1ROHM SemiconductorMOSFET CHECK PROD MOSFET 250V/-250V 3A/-2.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M7FU6TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5A/7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M7TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5A/7A 8SOP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M8ROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M8ROHM04+ SOP8
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M8-FD5-TB
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M8-TBROHMSOP8 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M8FSPSO-8
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M8FD5-TB1
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M8FD5T
на замовлення 281 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M8FD5TB
на замовлення 5120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M8FD5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOP
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 5V, 8.5nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V, 56mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V, 850pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 4.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M8FRATBROHMDescription: ROHM - SP8M8FRATB - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.45 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M8FRATBROHMDescription: ROHM - SP8M8FRATB - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+19.45 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M8FTB
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M8FU6TBROHM SemiconductorMOSFET SWITCHING Nch/Pch 4V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M8FU6TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M8TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOP
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 4.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M9
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12  [ Наступна Сторінка >> ]