Продукція > STF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STF33N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; 35W; TO220FP
Transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Case: TO220FP
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 45.5nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 35W
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+278.17 грн
5+203.79 грн
10+178.63 грн
50+132.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF33N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF33N60M6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 15.8A; Idm: 78A
Transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Pulsed drain current: 78A
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 35W
Gate-source voltage: ±25V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF33N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP packag
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF33N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF33N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF33N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF33N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 100 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+300.98 грн
50+149.22 грн
100+135.58 грн
500+104.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF33N65M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 96A; 34W; TO220FP
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 41.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+227.60 грн
10+189.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF34N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF34N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 28A TO220FP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF34N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 0.098 Ohm 29A MDMesh M5 MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF34NM60NSTMicroelectronics
на замовлення 855 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF34NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600V 0.092V Ohm 29A MDmesh II PWR MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF34NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 31.5A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2722 pF @ 100 V
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 14.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF34NM60NDSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A FDmesh II
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF34NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+545.38 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF34NM60NDSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 18A; Idm: 116A
Transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 116A
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+298.95 грн
3+261.66 грн
10+238.18 грн
25+220.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF34NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 29A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2785 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF34NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF34NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+756.98 грн
10+703.25 грн
25+674.68 грн
100+587.02 грн
500+489.44 грн
1000+459.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF35N60DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 17A; 40W; ESD
Transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 17A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF35N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 28A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+443.64 грн
50+226.04 грн
100+206.58 грн
500+161.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF35N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF35N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFETs in TO-220FP packa
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF35N65DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.093 Ohm typ 32 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 678 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF35N65DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 40W
Gate charge: 56.3nC
Drain current: 20A
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+484.09 грн
3+404.23 грн
10+357.26 грн
50+321.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF35N65DM2STMMOSFET N-CH 650V 32A TO220FP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF35N65DM2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF35N65DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 32 A, 0.093 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF35N65DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 32A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF35N65M5
Код товару: 77878
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF35N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 27A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF35N65M5STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET N-CH 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF36N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF36N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+377.00 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF36N60M6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF36N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.085 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF36N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP package
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF36N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF36N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+345.38 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF36N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 100 V
на замовлення 1431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+514.97 грн
10+334.90 грн
50+265.88 грн
100+228.69 грн
500+192.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF38-32.768K-12.5-20---STF38-32.768K-12.5-20 32,768 КГц STF38 D=3мм, H=8мм LS=1.1мм Кварцові та керамічні резонатори та генератори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF38N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF38N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
на замовлення 1958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF38N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 120A; 35W; TO220FP
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+399.20 грн
5+328.75 грн
10+297.72 грн
25+253.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF38N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF38N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 30A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 100 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+474.21 грн
10+307.20 грн
50+243.03 грн
100+208.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF38N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF38N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.073 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 35W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF38N65M5 транзистор
Код товару: 222743
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
очікується: 8 шт
  • 8 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
STF3HNK90ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 3A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3HNK90ZSTMфункциональная замена STP3NB90, TO220ISO Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF3HNK90ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 900 Volt 3 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF3HNK90ZST
на замовлення 8600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF3LN62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 2.5A TO-220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF3LN80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+60.63 грн
2000+56.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3LN80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 2A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 102 pF @ 100 V
на замовлення 1506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.52 грн
50+64.88 грн
100+58.12 грн
500+43.41 грн
1000+39.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3LN80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
на замовлення 3203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF3LN80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF3LN80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.75 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.75ohm
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF3LN80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+60.42 грн
2000+55.98 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3N62K3STMicroelectronics
на замовлення 885 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF3N62K3STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 620V; 2.7A; Idm: 10.8A; 20W; TO220FP
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 620V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 10.8A
Gate charge: 13nC
на замовлення 221 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+102.96 грн
10+60.89 грн
50+45.79 грн
100+40.93 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3N62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 2.7A TO220FP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 25 V
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 1886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.79 грн
50+52.11 грн
100+48.56 грн
500+35.83 грн
1000+32.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3N62K3STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 620V-2.2ohms 2.7A
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF3N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220FP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 1217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.76 грн
50+87.96 грн
100+79.09 грн
500+59.62 грн
1000+54.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protected
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3NK100ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1000V 2.5A TO220FP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 25 V
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+360.55 грн
50+179.71 грн
100+163.52 грн
500+126.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF3NK100ZSTMicroelectronicsMOSFETs N Ch 24V 120A Zener SuperMESH
на замовлення 1801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF3NK100ZSTTransistor N-Channel MOSFET; 1000V; 30V; 6Ohm; 2,5A; 25W; -55°C ~ 150°C; STF3NK100Z TSTF3NK100z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+76.28 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3NK100ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2.5A; Idm: 10A; 25W; TO220FP
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF3NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+54.42 грн
15+53.28 грн
100+53.06 грн
500+50.40 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3NK100ZSTMMOSFET N-Channel, TO-220FP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF3NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
263+53.95 грн
264+53.73 грн
500+52.92 грн
Мінімальне замовлення: 263 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3NK80
на замовлення 940 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF3NK80ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 25W; TO220FP; ESD
Transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.57A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 340 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+195.08 грн
10+118.25 грн
50+90.57 грн
100+82.19 грн
250+72.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3NK80ZSTMMOSFET N-CH 800V 2.5A TO-220FP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF3NK80ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF3NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 4.5 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF3NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3NK80Z
Код товару: 81902
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF3NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
243+58.27 грн
260+54.52 грн
263+53.96 грн
500+50.70 грн
1000+44.14 грн
2000+40.62 грн
Мінімальне замовлення: 243 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3NK80ZSTMicroelectronicsN-канальний ПТ, Udss, В = 800, Id = 2,5 A, Ptot, Вт = 25, Тип монт. = вивідний, Rds = 4.5 Ом, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 10 В,... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3NK80ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.55 грн
10+134.28 грн
50+102.85 грн
100+87.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3NK80ZSTN-MOSFET 800V 2.5A 25W STF3NK80Z TSTF3nk80z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+39.31 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3NK80ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800 Volt 2.5Amp Zener SuperMESH
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF3NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 4221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+127.80 грн
50+126.53 грн
100+118.49 грн
500+92.42 грн
1000+76.98 грн
2000+69.60 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 4216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+128.14 грн
112+126.87 грн
120+118.81 грн
500+92.67 грн
1000+77.19 грн
2000+69.79 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3NK80Z-1
на замовлення 1043 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF3NK80ZFP
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF40100CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V ITO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.79 грн
10+100.31 грн
100+78.20 грн
500+60.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF40120CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V ITO220
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 970 mV @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: ITO-220AB
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.79 грн
10+100.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF40150CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V ITO220
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.43 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: ITO-220AB
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.79 грн
10+100.31 грн
100+78.20 грн
500+60.62 грн
1000+47.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF40200CRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 200V; 40A; ITO220AB; Ufmax: 0.76V
Diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 40A
Semiconductor structure: common anode; double
Case: ITO220AB
Max. forward voltage: 0.76V
Max. forward impulse current: 250A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF40250TSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 250V 40A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 690pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 250 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF4045CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTT 45V ITO220AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: ITO-220AB
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF4060CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 6 mA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF4080CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 80V ITO220
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: ITO-220AB
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Part Status: Active
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.79 грн
10+100.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF40H150CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARR SCHOTTKY 150V ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF40N20STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 60 V 0.024 Ohm 23 A STripFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF40N20
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF40N20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 40A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19  [ Наступна Сторінка >> ]