Продукція > STF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STF34NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 29A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2785 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF34NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+758.66 грн
10+704.82 грн
25+676.19 грн
100+588.33 грн
500+490.53 грн
1000+460.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF34NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+546.60 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF34NM60NDSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A FDmesh II
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF35N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 28A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+409.29 грн
50+207.31 грн
100+189.31 грн
500+148.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF35N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF35N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFETs in TO-220FP packa
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+429.28 грн
10+223.08 грн
100+176.73 грн
500+153.26 грн
1000+150.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF35N60DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 17A; 40W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 17A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF35N65DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.093 Ohm typ 32 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 678 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+252.09 грн
1000+237.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF35N65DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+479.66 грн
3+400.53 грн
10+353.99 грн
50+318.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF35N65DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 32A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF35N65DM2STMMOSFET N-CH 650V 32A TO220FP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF35N65DM2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF35N65DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 32 A, 0.093 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+297.19 грн
10+248.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF35N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 27A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF35N65M5
Код товару: 77878
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF35N65M5STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET N-CH 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF36N60M6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 19A; Idm: 102A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 102A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF36N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF36N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP package
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+519.48 грн
10+323.91 грн
100+219.53 грн
500+197.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF36N60M6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF36N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.085 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+542.84 грн
5+436.53 грн
10+330.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF36N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+346.15 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF36N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF36N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 100 V
на замовлення 1431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+495.49 грн
10+322.48 грн
100+234.70 грн
500+185.14 грн
1000+173.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF36N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+377.84 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF38-32.768K-12.5-20 32,768 КГц---STF38 D=3мм, H=8мм LS=1.1мм Кварцові та керамічні резонатори та генератори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF38N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF38N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.073 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+412.36 грн
10+411.56 грн
100+208.60 грн
500+187.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF38N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF38N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 30A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 100 V
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+460.54 грн
50+235.94 грн
100+215.90 грн
500+169.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF38N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 120A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+395.54 грн
5+325.74 грн
10+294.99 грн
25+250.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF38N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
на замовлення 1958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+479.21 грн
10+251.66 грн
100+200.20 грн
500+167.75 грн
1000+162.23 грн
2000+161.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF3HNK90ZST
на замовлення 8600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF3HNK90ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 3A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3HNK90ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 900 Volt 3 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF3HNK90ZSTMфункциональная замена STP3NB90, TO220ISO Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF3LN62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 2.5A TO-220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF3LN80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
на замовлення 3203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.94 грн
10+88.92 грн
100+53.64 грн
500+45.42 грн
1000+37.97 грн
2000+34.59 грн
5000+33.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3LN80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 2A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 102 pF @ 100 V
на замовлення 1506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.24 грн
50+64.29 грн
100+57.59 грн
500+43.01 грн
1000+39.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3LN80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+60.76 грн
2000+56.30 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3LN80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF3LN80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.75 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.75ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+157.05 грн
11+78.53 грн
100+69.51 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3LN80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+60.56 грн
2000+56.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3N62K3STMicroelectronics
на замовлення 885 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF3N62K3STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 620V; 2.7A; Idm: 10.8A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 620V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 10.8A
Gate charge: 13nC
на замовлення 221 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+102.02 грн
10+60.33 грн
50+45.37 грн
100+40.55 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3N62K3STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 620V-2.2ohms 2.7A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.59 грн
10+55.10 грн
100+42.66 грн
500+33.62 грн
1000+30.03 грн
2000+27.13 грн
5000+25.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3N62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 2.7A TO220FP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 25 V
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 1886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.72 грн
50+51.63 грн
100+48.12 грн
500+35.50 грн
1000+32.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protected
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220FP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 1217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.06 грн
50+87.16 грн
100+78.36 грн
500+59.07 грн
1000+54.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
263+54.07 грн
264+53.85 грн
500+53.04 грн
Мінімальне замовлення: 263 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3NK100ZSTTransistor N-Channel MOSFET; 1000V; 30V; 6Ohm; 2,5A; 25W; -55°C ~ 150°C; STF3NK100Z TSTF3NK100z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+77.99 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+54.55 грн
15+53.40 грн
100+53.18 грн
500+50.51 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3NK100ZSTMMOSFET N-Channel, TO-220FP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF3NK100ZSTMicroelectronicsMOSFETs N Ch 24V 120A Zener SuperMESH
на замовлення 1811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+358.40 грн
10+182.60 грн
100+144.97 грн
500+120.12 грн
2000+113.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF3NK100ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2.5A; Idm: 10A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF3NK100ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1000V 2.5A TO220FP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 25 V
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+357.25 грн
50+178.07 грн
100+162.03 грн
500+125.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF3NK80
на замовлення 940 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF3NK80ZSTMicroelectronicsN-канальний ПТ, Udss, В = 800, Id = 2,5 A, Ptot, Вт = 25, Тип монт. = вивідний, Rds = 4.5 Ом, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 10 В,... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3NK80ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF3NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 4.5 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+194.10 грн
10+101.48 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
243+58.40 грн
260+54.64 грн
263+54.08 грн
500+50.81 грн
1000+44.24 грн
2000+40.71 грн
Мінімальне замовлення: 243 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3NK80ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800 Volt 2.5Amp Zener SuperMESH
на замовлення 1716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+194.10 грн
10+100.03 грн
100+75.94 грн
500+62.34 грн
1000+53.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3NK80ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 25W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.57A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 394 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+180.77 грн
10+98.88 грн
50+83.93 грн
100+78.11 грн
250+70.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3NK80ZSTMMOSFET N-CH 800V 2.5A TO-220FP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF3NK80ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
на замовлення 2387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.71 грн
50+93.27 грн
100+84.07 грн
500+63.75 грн
1000+58.89 грн
2000+54.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3NK80ZSTN-MOSFET 800V 2.5A 25W STF3NK80Z TSTF3nk80z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+40.19 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 4221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+128.09 грн
50+126.81 грн
100+118.76 грн
500+92.63 грн
1000+77.15 грн
2000+69.76 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3NK80Z
Код товару: 81902
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF3NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 4216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+128.43 грн
112+127.15 грн
120+119.08 грн
500+92.87 грн
1000+77.36 грн
2000+69.94 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF3NK80Z-1
на замовлення 1043 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF3NK80ZFP
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF40100CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V ITO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.72 грн
10+99.39 грн
100+77.48 грн
500+60.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF40120CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V ITO220
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 970 mV @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: ITO-220AB
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.72 грн
10+99.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF40150CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V ITO220
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.43 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: ITO-220AB
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.72 грн
10+99.39 грн
100+77.48 грн
500+60.06 грн
1000+47.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF40250TSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 250V 40A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 690pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 250 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF4045CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTT 45V ITO220AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: ITO-220AB
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF4060CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 6 mA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF4080CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 80V ITO220
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: ITO-220AB
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Part Status: Active
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.72 грн
10+99.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF40H150CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARR SCHOTTKY 150V ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF40N20STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 60 V 0.024 Ohm 23 A STripFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF40N20
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF40N20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 40A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF40N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 136A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+424.18 грн
5+283.36 грн
10+240.98 грн
50+215.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF40N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+471.56 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF40N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
580+230.11 грн
Мінімальне замовлення: 580 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF40N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 34A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+441.90 грн
50+225.29 грн
100+206.00 грн
500+161.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF40N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 580 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF40N60M2STMicroelectronicsMOSFETs Nchanl 600 V 78 Ohm typ 34 A Pwr MOSFET
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+468.74 грн
10+309.62 грн
100+216.08 грн
500+192.61 грн
1000+170.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF40N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+579.49 грн
31+458.09 грн
32+448.90 грн
100+350.23 грн
250+274.19 грн
500+220.37 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF40N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF40N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.078 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+441.36 грн
5+338.27 грн
10+234.37 грн
50+200.43 грн
100+177.42 грн
250+169.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF40N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+578.11 грн
10+457.00 грн
25+447.84 грн
100+349.40 грн
250+273.54 грн
500+219.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF40N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 32A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2355 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF40N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF40N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
на замовлення 981 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+388.20 грн
10+256.43 грн
100+180.87 грн
500+159.47 грн
1000+153.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF40N65M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF40N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 32 A, 0.087 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
на замовлення 1788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+525.12 грн
10+369.68 грн
100+271.42 грн
500+198.93 грн
1000+180.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF40N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF40N65M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; Idm: 128A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 56.5nC
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 128A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 99mΩ
Drain current: 32A
Gate-source voltage: ±25V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF40NF03LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 23A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF40NF03LSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V STripFET 40A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF40NF06STMicroelectronics
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF40NF06STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 23A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 11.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18  [ Наступна Сторінка >> ]