Продукція > IRF
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFB7540PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFB7545 | Infineon | Transistor: unipolar, N-MOSFET; 60V; 95A; 125W; TO220AB IRFB7545 TIRFB7545 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFB7545 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFB7545PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 46220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFB7545PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB | на замовлення 57904 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFB7545PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 53 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 21 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFB7545PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 95A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 95A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.9mΩ Mounting: THT Gate charge: 75nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Trade name: StrongIRFET | на замовлення 1100 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFB7545PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1372 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFB7545PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 95A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 57A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4010 pF @ 25 V | на замовлення 10322 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFB7545PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1372 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFB7545PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 26000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFB7545PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFB7545PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB7545PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 95 A, 5900 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 95A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFB7545PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 53 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFB7545PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 26000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFB7545PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFB7545PBF | International Rectifier | MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFB7545PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 41140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFB7545PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 46220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFB7546 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFB7546PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFB7546PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB7546PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 7300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 99W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFB7546PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFB7546PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET N CH 60V 75A TO-220AB | на замовлення 2509 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFB7546PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFB7546PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFB7546PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFB7546PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V | на замовлення 1545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFB7546PBF транзистор Код товару: 196359
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFB7730 | Infineon Technologies | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFB7730PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFB7730PBF | International Rectifier | N-CH 75V 195A TO-220-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFB7730PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFB7730PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFB7730PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 75V Single N-Channel HEXFET Power | на замовлення 1897 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFB7730PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 195A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13660 pF @ 25 V | на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFB7730PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFB7730PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB7730PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 2600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V Verlustleistung: 375mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm | на замовлення 922 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFB7730PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 246A; 375W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 246A Power dissipation: 375W Case: TO220AB On-state resistance: 2.2mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFB7730PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFB7730PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFB7730PBF Код товару: 168558
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFB7730PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFB7734 | Infineon Technologies | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFB7734PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 183A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 183A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 290W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10150 pF @ 25 V | на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFB7734PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 3700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFB7734PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFB7734PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB7734PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 75 V, 183 A, 3500 µohm, TO-2220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 183A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 290mW Bauform - Transistor: TO-2220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 824 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFB7734PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFB7734PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 200050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFB7734PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFB7734PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 75V Single N-Channel HEXFET Power | на замовлення 488 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFB7734PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 230 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFB7734PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFB7734PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 75V 183A TO220AB Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFB7734PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 155830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFB7734PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFB7740 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFB7740PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 87A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFB7740PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 87A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFB7740PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 87A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFB7740PBF | Infineon | на замовлення 106800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFB7740PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 87A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 52A, 10V Power Dissipation (Max): 143W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFB7740PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 75V Single N-Channel HEXFET Power | на замовлення 930 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFB7740PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB7740PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 85 A, 0.0073 ohm, TO-2220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75 Dauer-Drainstrom Id: 85 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 143 Bauform - Transistor: TO-2220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 3.7 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFB7740PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 87A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFB7746PBF | International Rectifier | TO-220 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFB7746PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 59A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3049 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFB7746PBF | Infineon / IR | MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET Power | на замовлення 347 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFB7746PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFB7787 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFB7787PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFB7787PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB7787PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 75 V, 76 A, 8400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFB7787PBF | Infineon / IR | MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET | на замовлення 357 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFB7787PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 76A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFB812PBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFB812PBF - IRFB812 - HEXFET POWER MOSFET tariffCode: 85412900 euEccn: NLR hazardous: false rohsCompliant: YES productTraceability: No rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFB812PBF | Infineon / IR | MOSFET Gen 10.7 FredFet 500V 1.5Ohm | на замовлення 1081 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFB812PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFB9N30A | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 300V 9.3A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFB9N30APBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 300V 9.3A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFB9N60A | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFB9N60A Код товару: 36734
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFB9N60A | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFB9N60A-PBF | IRFB9N60A-PBF Транзисторы | на замовлення 104 шт: термін постачання 4 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFB9N60APBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFB9N60APBF Код товару: 143119
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFB9N60APBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFB9N60APBF | TO-220AB Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFB9N60APBF | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5.8A Power dissipation: 170W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: THT Gate charge: 49nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 829 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFB9N60APBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO220 600V 9.2A N-CH MOSFET | на замовлення 1766 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFB9N60APBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | на замовлення 879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFB9N60APBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFB9N60APBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFB9N60APBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFB9N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.2 A, 0.75 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFB9N60APBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V | на замовлення 4673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFB9N60APBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | на замовлення 994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFB9N60APBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFB9N60APBF-BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFB9N60APBF-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFB9N60APBF-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO220 600V 9.2A N-CH MOSFET | на замовлення 805 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|

