Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRFBC30ASVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFBC30ASPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30ASPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 600V 3.6 Amp
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+207.74 грн
10+141.33 грн
100+90.78 грн
500+82.40 грн
5000+75.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30ASPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+288.30 грн
50+141.72 грн
100+128.51 грн
500+98.89 грн
1000+91.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30ASPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30ASPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 14A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30ASTRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30ASTRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 600V 3.6A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30ASTRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30ASTRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30ASTRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 14A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30ASTRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30ASTRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30ASTRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.6A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30LIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.6A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFBC30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.6 A, 2.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+131.97 грн
10+91.24 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30PBF
Код товару: 133046
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 600 V
Idd,A: 3,6 A
Rds(on), Ohm: 2,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 660/31
Монтаж: THT
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+35.00 грн
10+31.50 грн
100+27.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 600V 3.6A N-CH MOSFET
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+187.37 грн
10+114.83 грн
100+70.53 грн
500+59.14 грн
1000+49.37 грн
2000+45.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.16 грн
50+120.94 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 3.6A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 600V 3.6A N-CH MOSFET
на замовлення 1655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+243.58 грн
10+177.47 грн
100+118.01 грн
250+103.34 грн
500+99.16 грн
1000+85.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30SIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30SVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFBC30SPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30SPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 14A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 600V 3.6 Amp
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+223.22 грн
10+184.69 грн
25+152.22 грн
100+129.88 грн
250+122.90 грн
500+115.91 грн
1000+98.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 600V 3.6 Amp
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+222.40 грн
10+184.69 грн
25+152.22 грн
100+129.88 грн
250+122.90 грн
500+106.14 грн
800+92.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30STRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 14A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC30STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40SiliconixN-MOSFET 6.2A 600V 130W 1.2Ω Replacement: BUZ90A IRFBC40 TIRFBC40
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 147 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+50.18 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40
Код товару: 26834
1 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 600 V
Idd,A: 6,2 A
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/60
Монтаж: THT
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+28.00 грн
10+25.20 грн
100+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40STMicroelectronicsMOSFETs TO-220 N-CH 600V 6.2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40
Код товару: 163760
1 Додати до обраних Обраний товар
SiliconixТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 600 V
Idd,A: 6,2 A
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/60
Монтаж: THT
у наявності: 83 шт
  • 83 шт - склад
1+24.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40AVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1036 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40AIR
на замовлення 3850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40AVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40ALVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 6.2A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1036 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+168.02 грн
97+146.85 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40APBFVISHAYMOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+168.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40APBF
Код товару: 41815
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AR
Uds,V: 600 V
Idd,A: 6,2 A
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1036/42
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+50.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40APBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+120.39 грн
5+96.66 грн
10+91.62 грн
50+80.69 грн
100+73.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.89 грн
10+109.44 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1036 pF @ 25 V
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.95 грн
50+111.17 грн
100+100.38 грн
500+76.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40APBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+216.70 грн
10+110.01 грн
100+87.98 грн
500+73.32 грн
1000+67.24 грн
2000+64.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40APBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFBC40APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 1.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 1451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+189.81 грн
10+102.65 грн
100+90.43 грн
500+69.59 грн
1000+63.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40APBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40APBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1036 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40APBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+228.10 грн
10+132.50 грн
100+87.98 грн
500+73.32 грн
1000+64.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40ASVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1036 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40ASVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT IRFBC40ASPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40ASIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40ASPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1036 pF @ 25 V
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+384.14 грн
50+193.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40ASPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 600V 6.2 Amp
на замовлення 782 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+400.00 грн
10+206.38 грн
100+139.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40ASPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40ASPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40ASPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40ASPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+90.78 грн
10+86.57 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40ASTRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1036 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40ASTRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1036 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40ASTRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40ASTRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40ASTRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 600V 6.2 Amp
на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+400.00 грн
10+263.39 грн
100+164.09 грн
500+155.72 грн
800+139.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40ASTRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1036 pF @ 25 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+384.14 грн
10+246.46 грн
100+176.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40ASTRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1036 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40ASTRRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40ASTRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1036 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40ASTRRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40ASTRRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 600V 6.2 Amp
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 6.2A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40LVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFBC40LPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40LCVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40LCVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT IRFBC40LCPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40LCSiliconixN-MOSFET 6.2A 600V 125W 1.2Ω IRFBC40LC TIRFBC40lc
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+43.02 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40LCLVishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40LCLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 6.2A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40LCPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFBC40LCPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 1.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 6.2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 125
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40LCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40LCPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+381.00 грн
50+191.43 грн
100+174.50 грн
500+135.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40LCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40LCPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+141.21 грн
10+95.82 грн
25+82.37 грн
50+77.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40LCPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+396.74 грн
10+204.77 грн
100+137.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40LCPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+381.00 грн
50+191.43 грн
100+174.50 грн
500+135.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40LCPBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40LCPBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40LCSVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40LCSVishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40LCSTRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40LCSTRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]