Продукція > STP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 22 33 44 55 66 77 88 99 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STPSC20H12G-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+709.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
на замовлення 3470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+637.34 грн
10+421.90 грн
100+313.49 грн
500+263.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC20H12G-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 129 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 129nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G-TRSTMicroelectronicsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 2.25V
Max. load current: 38A
Leakage current: 0.8mA
Max. forward impulse current: 700A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+291.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+709.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200 V, 20 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G2-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+424.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G2-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC20H12G2-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 129 nC, D2PAK-HV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: D2PAK-HV
Kapazitive Gesamtladung: 129nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G2-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200V, 20A, silicon carbide power Schottky Diode
на замовлення 673 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G2-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+747.41 грн
10+617.36 грн
100+514.50 грн
500+426.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G2-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC20H12G2-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 129 nC, D2PAK-HV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: D2PAK-HV
Kapazitive Gesamtladung: 129nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G2Y-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK HV T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G2Y-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 1200 V, 20 A Silicon Carbide Diode
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G2Y-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 1.2KV 20A D2PAK HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+296.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G2Y-TRSTMicroelectronicsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 2.25V
Max. load current: 38A
Leakage current: 0.8mA
Max. forward impulse current: 700A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G2Y-TR
Код товару: 186140
Додати до обраних Обраний товар
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G2Y-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK HV T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G2Y-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 1.2KV 20A D2PAK HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+699.68 грн
10+463.04 грн
100+349.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12GY-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12GY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+332.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12GY-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+630.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12GY-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12GY-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 1200 V, 20 A Silicon Carbide Diode
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12GY-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+630.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12GY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+704.30 грн
10+468.97 грн
100+372.42 грн
500+300.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12GY-TRSTMDIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A D2PAK Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12WLSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 20A 2-Pin DO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12WLSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers 1200 V, 20 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12WLSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 20A DO247
Packaging: Tube
Package / Case: DO-247-2 (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: DO-247
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+686.60 грн
30+527.87 грн
120+472.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H065B-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 2A DPAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK
Current - Average Rectified (Io): 2A
Capacitance @ Vr, F: 135pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H065B-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 2A DPAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK
Current - Average Rectified (Io): 2A
Capacitance @ Vr, F: 135pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.00 грн
10+92.43 грн
100+71.88 грн
500+57.18 грн
1000+46.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H065B-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V, 2 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 6993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H12B-TR1STMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK-HV T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H12B-TR1STMicroelectronicsDescription: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H12B-TR1STMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers DFD THYR TRIAC & RECTIFIER
на замовлення 14977 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H12B-TR1STMDIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H12B-TR1STMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK-HV T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H12B-TR1STMicroelectronicsDescription: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H12B2Y-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 1200 V, 2 A High surge Silicon Carbide Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H12B2Y-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 1200V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 1200 V
на замовлення 13838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.90 грн
10+124.30 грн
100+85.95 грн
500+67.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H12B2Y-TRSTMDIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A DPAK Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H12B2Y-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK-HV T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H12B2Y-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 1200V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 1200 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+64.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H12B2Y-TRSTMicroelectronicsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 5A; reel,tape
Semiconductor structure: single diode
Technology: SiC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Leakage current: 80µA
Max. load current: 10A
Max. forward voltage: 2.25V
Load current: 5A
Max. forward impulse current: 15A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Case: DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H12B2Y-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK-HV T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H12DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 5A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+90.27 грн
162+86.73 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H12DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 5A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+90.27 грн
10+86.73 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H12DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200 V power Schottky silicon carbide diode
на замовлення 6810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H12DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 2A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 2A
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 2005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.36 грн
50+70.71 грн
100+70.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H12DSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC2H12D - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 2 A, 15.6 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 15.6nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC30G065L2YSTMicroelectronicsDescription: 650V 30A HIGH SURGE SILICON CARB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1890pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: HU3PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC30G065L2YSTMicroelectronicsDescription: 650V 30A HIGH SURGE SILICON CARB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1890pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: HU3PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+575.76 грн
10+430.35 грн
25+399.43 грн
100+342.91 грн
250+327.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC30G065WLSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 30A Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+446.36 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC30G065WLSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V, 30A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC30G065WLSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC30G065WL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 63 A, 86 nC, DO-247LL
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: DO-247LL
Kapazitive Gesamtladung: 86nC
rohsCompliant: TBA
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 63A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC30G065WLYSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC30G065WLY - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 63 A, 86 nC, DO-247LL
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: DO-247LL
Kapazitive Gesamtladung: 86nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 63A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC30G065WLYSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 30A Automotive Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+531.41 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC30G065WLYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 30A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC30G12WLSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers 1200 V, 20 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC30G12WLSTMicroelectronicsDescription: 1200 V, 20 A HIGH SURGE SILICON
Packaging: Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1035.29 грн
10+878.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC30G12WLYSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers Automotive 1200 V, 30 A Silicon Carbide Diode
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC30G12WLYSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE 1200 V, 30 A SILICON
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2272pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: DO-247 LL
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 225 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1242.34 грн
10+1053.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC30H12CWLSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200 V power Schottky silicon carbide diode
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC30H12CWLSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC30H12CWL - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 30 A, 94 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 94nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC30H12CWLSTMicroelectronicsDescription: DIODE ARR SIC 1200V 38A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 38A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 1200 V
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+899.04 грн
10+611.43 грн
100+536.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC30H12CWLSTMDIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC31H12CWYSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers 2x15A 1200V Power Schottky Silicon Carbide Diode Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC31H12CWYSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC31H12CWY - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 30 A, 94 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 94nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC31H12CWYSTMicroelectronicsDescription: DIODE ARR SIC 1200V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC40065CWSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC40065CWSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC40065CWSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V power Schottky silicon-carbide diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC40065CWSTMicroelectronicsDescription: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO247-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+865.95 грн
30+502.10 грн
120+429.27 грн
510+383.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC40065CWYSTMicroelectronics
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC40065CWYSTMicroelectronicsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20Ax2; TO247; Ir: 2mA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247
Max. forward voltage: 1.65V
Max. forward impulse current: 0.4kA
Leakage current: 2mA
Kind of package: tube
Application: automotive industry
Max. load current: 40A
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+552.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC40065CWYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 40 A dual SiC Power Schottky Diode
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC40065CWYSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+897.51 грн
10+602.69 грн
100+455.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC40065CWYSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 650V 40A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC40065CWYSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC40065CWY - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 62 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 62
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC406B
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC406B-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 600 V Power Schottky Diode
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC406B-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 600V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 3342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.03 грн
10+103.33 грн
100+70.68 грн
500+53.22 грн
1000+52.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC406B-TRSTMSchottky Diodes & Rectifiers 600 V Power Schottky Diode, D2PAK-2 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC406B-TR
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC406B-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 600V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC406DSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC406DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 600V 4A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC406DSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC406DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 600 V Power Schottky Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC406DSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC406D
Код товару: 57913
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC40G12WLSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200 V, 40 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC40G12WLSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC40G12WL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 40 A, 202 nC, DO-247LL
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-247LL
Kapazitive Gesamtladung: 202nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC40G12WLSTMicroelectronicsDescription: 1200 V, 20 A HIGH SURGE SILICON
Packaging: Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1065.31 грн
30+813.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC40G12WLYSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE 1200 V, 40A POWER SCH
Packaging: Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1636.45 грн
30+985.95 грн
120+976.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC40G12WLYSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers Automotive 1200 V, 40A power Schottky High Surge silicon carbide diode
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC40H12CWLSTMicroelectronicsDescription: DIODE ARR SIC 1200V 38A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 38A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1041.44 грн
10+811.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC40H12CWLSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200 V, 40 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 22 33 44 55 66 77 88 99 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117  [ Наступна Сторінка >> ]