Продукція > STP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STPSC10H065BY-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 650V 10A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V 10A Schottky silicn carbid TO-220
на замовлення 976 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+260.28 грн
10+122.28 грн
100+91.98 грн
500+85.45 грн
1000+77.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065DSTMicroelectronicsDescription: 650 V 10 A power Schottky silico
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065DISTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Ins Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065DISTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650V Pwr Schottky Silicn Carbide Diode
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+270.93 грн
10+257.31 грн
25+123.94 грн
100+123.29 грн
500+101.76 грн
1000+101.11 грн
2000+96.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065DISTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 650V 10A TO220AC INS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Insulated, TO-220AC
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC ins
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+315.39 грн
10+200.69 грн
50+156.20 грн
100+133.16 грн
500+109.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065DISTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10H065DI - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 28.5 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Durchlassstoßstrom: 470A
Kapazitive Gesamtladung: 28.5nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.75V
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 4078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065DLFSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V 10 A power Schottky silicon carbide diode
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+370.63 грн
10+357.08 грн
100+298.76 грн
500+93.93 грн
1000+86.76 грн
3000+82.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065DLFSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A PWRFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 595pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065DLFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10H065DLF - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 32 nC, PowerFLAT
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: PowerFLAT
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065DLFSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A PWRFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 595pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065DLFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10H065DLF - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 32 nC, PowerFLAT
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: PowerFLAT
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065DYSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+252.78 грн
10+204.11 грн
100+165.08 грн
500+137.72 грн
1000+117.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065DYSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers Automotive 650V, 10 A Silicon Carbide diode
на замовлення 773 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+260.28 грн
10+230.30 грн
100+164.38 грн
500+139.60 грн
1000+122.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065G-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10H065G-TR - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, einfach, 650V, 10A, 28.5nC, TO-263
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 28.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: 650V
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065G-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V 10A Schottky silicon carbid T2PAK
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+262.56 грн
10+131.28 грн
100+103.07 грн
500+84.80 грн
1000+79.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065G-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065G-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10H065G-TR - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, einfach, 650V, 10A, 28.5nC, TO-263
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 28.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: 650V
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065G-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+290.66 грн
10+184.39 грн
100+130.12 грн
500+111.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065G-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065G-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065G2-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065G2-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.05 грн
10+198.46 грн
100+160.52 грн
500+133.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065G2-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V, 10 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+299.09 грн
10+150.78 грн
100+119.37 грн
500+100.46 грн
1000+94.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065GY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+298.39 грн
10+189.30 грн
50+147.05 грн
100+125.21 грн
500+105.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065GY-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650V, 10 A Silicon Carbide diode
на замовлення 1624 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+295.28 грн
10+149.28 грн
100+118.07 грн
500+98.50 грн
1000+93.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065GY-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky 650V 10A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065GY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+105.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065GY-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky 650V 10A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12B-TR1STMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers DFD THYR TRIAC & RECTIFIER
на замовлення 1488 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12B-TR1STMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK-HV T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12B-TR1STMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12B2-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 10A DPAK HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+120.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12B2-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK-HV T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+263.99 грн
500+250.91 грн
1000+236.64 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12B2-TRSTMicroelectronicsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DPAK
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 2.25V
Max. load current: 25A
Leakage current: 0.4mA
Max. forward impulse current: 71A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12B2-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200V, 10A, silicon carbide power Schottky Diode
на замовлення 1123 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+347.03 грн
10+227.30 грн
100+140.90 грн
500+115.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12B2-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10H12B2-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, DPAK-HV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DPAK-HV
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12B2-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 10A DPAK HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
на замовлення 3452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+359.46 грн
10+229.27 грн
100+163.18 грн
500+126.68 грн
1000+118.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12B2-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK-HV T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+263.99 грн
500+250.91 грн
1000+236.64 грн
10000+214.42 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12B2-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK-HV T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+263.99 грн
500+250.91 грн
1000+236.64 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12CWLSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+635.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12CWLSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200 V, 10 A dual High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 35 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+555.56 грн
10+384.84 грн
100+270.71 грн
600+240.71 грн
1200+213.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12CWLSTMicroelectronicsDescription: DIODE ARR SIC 1200V 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 19A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+572.04 грн
10+374.13 грн
100+274.11 грн
600+213.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12CWLSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12DSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10H12D - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12DSTMДіоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200 V, 10 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 997 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+458.15 грн
10+209.30 грн
100+180.04 грн
1000+152.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12DYSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+294.90 грн
10+294.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12DYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 1200 V, 10 A Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 906 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+406.40 грн
10+210.80 грн
100+167.65 грн
500+160.47 грн
1000+148.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12DYSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+420.53 грн
50+213.28 грн
100+194.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+328.80 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10H12G-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+298.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+401.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10H12G-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200 V, 10 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 2981 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+363.78 грн
10+260.31 грн
100+174.17 грн
250+173.52 грн
500+166.99 грн
1000+149.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G2-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 1.2KV 10A D2PAK HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G2-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G2-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200V, 10A, silicon carbide power Schottky Diode
на замовлення 505 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+348.56 грн
10+228.05 грн
100+141.55 грн
500+117.42 грн
1000+116.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G2-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10H12G2-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, D2PAK-HV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: D2PAK-HV
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G2-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 1.2KV 10A D2PAK HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
на замовлення 908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+360.23 грн
10+230.39 грн
100+164.12 грн
500+127.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G2-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10H12G2-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, D2PAK-HV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: D2PAK-HV
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G2Y-TRSTMicroelectronicsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 2.25V
Max. load current: 25A
Leakage current: 0.4mA
Max. forward impulse current: 71A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G2Y-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive Grade 1200V, 10A, silicon carbide power Schottky Diode
на замовлення 2232 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+430.75 грн
10+224.30 грн
100+178.08 грн
500+163.73 грн
1000+154.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G2Y-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10H12G2Y-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, D2PAK-HV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: D2PAK-HV
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G2Y-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 1.2KV 10A D2PAK HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G2Y-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK HV T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G2Y-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10H12G2Y-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, D2PAK-HV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: D2PAK-HV
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G2Y-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK HV T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+373.39 грн
101+354.36 грн
500+336.52 грн
1000+306.16 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G2Y-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 1.2KV 10A D2PAK HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+441.40 грн
10+285.03 грн
100+205.55 грн
500+178.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12GY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+429.03 грн
10+276.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12GY-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12GY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12GY-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+180.98 грн
80+179.22 грн
100+171.13 грн
250+156.89 грн
500+149.11 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12GY-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 1200 V, 10 A Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 340 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+409.44 грн
10+259.56 грн
100+166.34 грн
500+150.03 грн
1000+146.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12GY-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+172.24 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12GY-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+172.24 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12WLSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200 V, 10 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 377 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+424.66 грн
10+237.80 грн
100+172.21 грн
600+166.34 грн
1200+155.90 грн
3000+152.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12WLSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin DO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12WLSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin DO-247 Tube
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+375.00 грн
10+339.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12WLSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 10A DO247
Packaging: Tube
Package / Case: DO-247-2 (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DO-247
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+439.85 грн
30+240.29 грн
120+199.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12WLSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin DO-247 Tube
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+491.05 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10TH13TISTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Insulated Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10TH13TISTMicroelectronicsDescription: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220AB Insulated
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+373.37 грн
50+163.51 грн
100+162.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10TH13TISTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10TH13TI - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, zweifach, in Reihe, 650V, 10A, 28.5nC, TO-220AB
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Kapazitive Gesamtladung: 28.5nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10TH13TISTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Dual 650V Pwr Schtky Silicn Carbide Diode
на замовлення 508 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+465.76 грн
10+306.82 грн
100+214.61 грн
500+190.48 грн
1000+169.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 113765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+133.18 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+150.34 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V power Schottky silicon carbide diode
на замовлення 489 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+300.61 грн
10+178.54 грн
100+122.64 грн
500+103.07 грн
1000+94.59 грн
2000+90.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 113765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+133.18 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+150.53 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 650 V
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+298.39 грн
10+189.82 грн
100+134.51 грн
500+104.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065DSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC12065D - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 36 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065DYSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+183.22 грн
10+159.15 грн
50+157.54 грн
100+144.66 грн
500+128.85 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.