Продукція > stp

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 22 33 44 55 66 77 88 99 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STPSC12065GY-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 650V 12A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065GY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Average Rectified (Io): 12A
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065GY-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 650V 12A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065GY-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, TO-220 D2PAK SiC Power Schottky Diode
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065GY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Average Rectified (Io): 12A
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+353.65 грн
10+228.79 грн
100+171.43 грн
500+133.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC1206DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 12A 600V 12nC Schottky Carbide
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC1206DSTMicroelectronicsDiode Schottky 600V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
415+287.05 грн
Мінімальне замовлення: 415 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC1206DSTMicroelectronicsDiode Schottky 600V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+287.35 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC1206DSTMDIODE SCHOTTKY 600V 12A TO-220-2 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC1206DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 600V 12A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 12A
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12C065DYSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky 650V 12A Automotive AEC-Q101 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.77 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12C065DYSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 12A
Capacitance @ Vr, F: 530pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+276.12 грн
10+222.92 грн
100+180.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12C065DYSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky 650V 12A Automotive AEC-Q101 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12C065DYSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky 650V 12A Automotive AEC-Q101 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12C065DYSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers Automotive 650 V, 12 A SiC Power Schottky Diode
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12C065DYSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky 650V 12A Automotive AEC-Q101 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+173.77 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12G065DSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC12G065D - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 37 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 37nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12G065DYSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC12G065DY - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 37 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 37nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12G065DYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 12A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12H065CTSTMicroelectronicsDescription: DIODE ARR SIC SCHOTT 650V TO220
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12H065CTSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC12H065CT - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, 650V, Doppeldiode mit gemeinsamer Anode, 650V, 12A, 18nC, TO-220AB
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12H065CTSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650V Pwr Schottky Silicn Carbide Diode
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12H065DSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12H065DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V, 12 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12H065DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.27 грн
50+143.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12H065DYSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers Automotive 650 V power Schottky silicon carbide diode
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12H065DYSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+310.14 грн
10+250.65 грн
100+202.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC15H12DSTMДіоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC15H12DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200 V, 15 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC15H12DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 15A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 1200 V
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+525.33 грн
50+274.03 грн
100+251.69 грн
500+201.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC15H12DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC15H12DYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 1200 V, 15 A Silicon Carbide Diode
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC15H12DYSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO220AC
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 15A
Capacitance @ Vr, F: 1200pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC15H12G2-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC15H12G2-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 15 A, 94 nC, D2PAK-HV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: D2PAK-HV
Kapazitive Gesamtladung: 94nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC15H12G2-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 1.2KV 15A D2PAK HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: D2PAK HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 1200 V
на замовлення 1943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+623.44 грн
10+399.98 грн
100+295.19 грн
500+246.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC15H12G2-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC15H12G2-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 15 A, 94 nC, D2PAK-HV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: D2PAK-HV
Kapazitive Gesamtladung: 94nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC15H12G2-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200V, 15A, silicon carbide power Schottky Diode
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC15H12G2-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 1.2KV 15A D2PAK HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: D2PAK HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 1200 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+272.62 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC15H12G2Y-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: D2PAK HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC15H12G2Y-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC15H12G2Y-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 15 A, 94 nC, D2PAK-HV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: D2PAK-HV
Kapazitive Gesamtladung: 94nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC15H12G2Y-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 15A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC15H12G2Y-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive Grade 1200V, 15A, silicon carbide power Schottky Diode
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC15H12G2Y-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: D2PAK HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+575.18 грн
10+474.33 грн
100+395.31 грн
500+327.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC15H12G2Y-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC15H12G2Y-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 15 A, 94 nC, D2PAK-HV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: D2PAK-HV
Kapazitive Gesamtladung: 94nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC15H12WLSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 15A 2-Pin DO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC15H12WLSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200 V, 15 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC15H12WLSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 15A DO247
Packaging: Tube
Package / Case: DO-247-2 (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: DO-247
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 1200 V
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+357.61 грн
30+275.18 грн
120+254.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC15H12WLSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC15H12WL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 15 A, 94 nC, DO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-247
Kapazitive Gesamtladung: 94nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC15H12WLSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 15A 2-Pin DO-247 Tube
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+680.04 грн
25+650.83 грн
50+626.03 грн
100+583.18 грн
250+523.61 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC16H065AWSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC16H065AWSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V, 16 A Single High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC16H065AWSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 16A TO247-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 16 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io): 16A
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC16H065CTSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers 650V Pwr Schottky Silicn Carbide Diode
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC16H065CTSTMicroelectronicsDescription: DIODE ARR SIC SCHOTT 650V TO220
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065CWLSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247
Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065CWLSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065CWLSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V, dual 10 A, power Schottky silicon carbide diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V power Schottky silicon carbide diode
на замовлення 1886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 650 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+415.36 грн
10+335.60 грн
100+271.47 грн
500+226.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065DISTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 650V 20A TO220AC INS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Insulated, TO-220AC
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC ins
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 650 V
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+490.52 грн
10+318.00 грн
50+251.70 грн
100+216.22 грн
500+181.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065DISTMicroelectronicsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220AC; Ir: 2mA
Case: TO220AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 0.4kA
Max. forward voltage: 1.65V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
Load current: 20A
Max. load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 2mA
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+381.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065DISTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Ins Tube
на замовлення 3710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+460.99 грн
10+367.19 грн
50+363.53 грн
100+318.43 грн
500+278.80 грн
1000+237.48 грн
2000+228.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065DISTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Ins Tube
на замовлення 3710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+460.99 грн
39+367.19 грн
50+363.53 грн
100+318.43 грн
500+278.80 грн
1000+237.48 грн
2000+228.13 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065DISTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V power Schottky silicon carbide diode
на замовлення 737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065DYSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065DYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 20 A SiC Power Schottky Diode
на замовлення 1343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065DYSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+536.41 грн
10+351.60 грн
100+257.97 грн
500+208.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065GY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+194.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065GY-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 20 A SiC Power Schottky Diode
на замовлення 814 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065GY-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065GY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+505.55 грн
10+328.06 грн
50+260.05 грн
100+223.52 грн
500+210.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065GY-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065WSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A DO247
Packaging: Tube
Package / Case: DO-247-2 (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: DO-247
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 650 V
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+465.99 грн
30+255.58 грн
60+232.44 грн
120+199.88 грн
510+170.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065WSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V power Schottky silicon carbide diode
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065WSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) DO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065WYSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A DO247
Packaging: Tube
Package / Case: DO-247-2 (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: DO-247
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+563.31 грн
30+289.00 грн
120+253.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065WYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 20 A SiC Power Schottky Diode
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065WYSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) DO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065WYSTMDIODE SIL CARBIDE 650V 20A DO247 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2006CWSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2006CWSTMicroelectronicsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 10Ax2; TO247-3; tube
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 160A
Max. forward voltage: 2.1V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 10A x2
Max. load current: 40A
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+720.19 грн
3+591.71 грн
10+530.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2006CWSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2006CWSTMicroelectronicsDescription: DIODE ARRAY SIC 600V 10A TO-247
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+705.72 грн
30+399.60 грн
120+338.15 грн
510+286.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2006CWSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes SiC Ultra Perf Diode 600V 12nC Schottky
на замовлення 7076 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20G065WLSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC20G065WL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 60 nC, DO-247LL
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-247LL
Kapazitive Gesamtladung: 60nC
rohsCompliant: TBA
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20G065WLSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V, 20A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20G065WLYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 20A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
на замовлення 1191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20G065WLYSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC20G065WLY - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 60 nC, DO-247LL
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-247LL
Kapazitive Gesamtladung: 60nC
rohsCompliant: TBA
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20G12L2YSTMicroelectronicsDescription: RECTIFIER
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1548pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: HU3PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20G12L2YSTMicroelectronicsDescription: RECTIFIER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1548pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: HU3PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+926.45 грн
10+621.30 грн
50+505.65 грн
100+466.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20G12L2YSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 1200 V, 20A power Schottky High Surge silicon carbide diode
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20G12WLSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers 1200 V, 20 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20G12WLSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 1.2KV 20A DO247 LL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1548pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: DO-247 LL
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+731.03 грн
30+388.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20G12WLYSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 1.2KV 20A DO247 LL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: DO-247 LL
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+775.34 грн
30+387.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20G12WLYSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC20G12WLY - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 103 nC, DO-247LL
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-247LL
Kapazitive Gesamtladung: 103nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20G12WLYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 1200 V, 20A power Schottky High Surge silicon carbide diode
на замовлення 571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CTSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V, 20 A dual High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CTSTMicroelectronicsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO220AB; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 2.5V
Max. load current: 36A
Max. forward impulse current: 470A
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CTSTMicroelectronicsDescription: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 22 33 44 55 66 77 88 99 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119  [ Наступна Сторінка >> ]