Продукція > AUI
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AUIRF9540N | International Rectifier | Description: AUTOMOTIVE POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRF9540N | International Rectifier | Trans MOSFET P-CH Si 100V 23A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 AUIRF9540N TAUIRF9540n кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 36 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRF9540N | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRF9540N - AUIRF9540 20V-150V P-CHANNEL AUTOMOTIVE tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRF9540N | Infineon Technologies | MOSFETs AUTO -100V 1 P-CH HEXFET 117mOhms | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRF9540N | International Rectifier | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRF9540N | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 100V 23A TO220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRF9952Q | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRF9952Q Код товару: 117606
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| AUIRF9952QTR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRF9952QTR | Infineon / IR | MOSFET AUTO 30V 1 N-CH HEXFET 100mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRF9Z34N | International Rectifier | MOSFET P-CH 55V 19A Automotive AUIRF9Z34N International Rectifier TAUIRF9Z34n кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRF9Z34N | International Rectifier | Description: AUTOMOTIVE HEXFET P CHANNEL | на замовлення 11306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRF9Z34N | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRF9Z34N | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRF9Z34N | Infineon Technologies | MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 100mOhms 23.3nC | на замовлення 398 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRF9Z34N | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRF9Z34N-INF | Infineon Technologies | Description: AUTOMOTIVE HEXFET P CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRFB3004 | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFB3006 | Infineon / IR | MOSFET AUTO TO-220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFB3206 | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFB3207 | Infineon Technologies | MOSFETs AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 7mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFB3207 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFB3306 | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFB3607 | Infineon / IR | MOSFET AUTO TO-220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFB3806 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 43A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFB3806 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 43A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRFB3806 | Infineon / IR | MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 15.8mOhms | на замовлення 305 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFB3806-IR | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 60V 43A TO220AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFB4227 | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFB4310Z | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFB4410 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRFB4410 - AUIRFB4410 75V-100V N-CHANNEL AUTOMOTIVE tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFB4410 | Infineon Technologies | MOSFETs AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 10mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFB4410 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFB4410-IR | International Rectifier | Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.037mA Supplier Device Package: PG-TO220-3-904 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFB4610 | International Rectifier | Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 14627 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRFB4610 | Infineon / IR | MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 14mOhms | на замовлення 669 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFB8405 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 185A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRFB8405 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 185A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRFB8405 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 185A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFB8405 | International Rectifier | Description: AUIRFB8405 - 20V-40V N-CHANNEL A Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 163W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5193 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRFB8405 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 185A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRFB8405 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRFB8405 - AUIRFB8405 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 90 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFB8405 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 185A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFB8405 | Infineon Technologies | MOSFETs Auto 40V N-Ch FET 1.9mOhm 120A | на замовлення 1366 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFB8405-071 | International Rectifier | Description: AUIRFB8405 - 20V-40V N-CHANNEL A Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 14950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRFB8405XKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET_(20V 40V) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFB8407 | Infineon Technologies | MOSFETs Auto 40V N-Ch FET 1.4mOhm 195A | на замовлення 694 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFB8407 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFB8407 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; TO220AB Mounting: THT Power dissipation: 230W Gate charge: 150nC Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Drain current: 180A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: TO220AB On-state resistance: 1.4mΩ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFB8407 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRFB8407XKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET_(20V 40V) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFB8409 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFB8409 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRFB8409 | Infineon Technologies | MOSFETs Auto 40V N-Ch FET 0.97mOhm 195A | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFB8409 Код товару: 61521
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| AUIRFB8409 | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRFB8409 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2918 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFB8409 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V | на замовлення 1986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRFB8409 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFB8409XKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET_(20V 40V) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFBA1405 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 95A SUPER-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-273AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 101A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SUPER-220™ (TO-273AA) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFBA1405 | Infineon / IR | MOSFET Automotive MOSFET 55 nC Qg, Super | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFBA1405P | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFC8407TR | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRFC8407TR - AUIRFC8407 30V-250V N-CHANNEL POWER tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 292426 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 513 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFC8407TR | International Rectifier | Description: AUIRFC8407 - 30V-250V N-CHANNEL Packaging: Bulk Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 294276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRFC8408TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH SMD D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFI3205 | International Rectifier | Description: MOSFET N CH 55V 64A TO-220AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFI4905 | International Rectifier | Description: AUIRFI4HEXFPOWMOSFET Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFI4905 | Infineon / IR | MOSFET Automotive 55V 64.00a TO-220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFIZ34N | International Rectifier | Description: MOSFET N CH 55V 21A TO-220AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFIZ34N | Infineon / IR | MOSFET Automotive MOSFET 55m, 23nC Qg | на замовлення 45 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFIZ44N | International Rectifier | Description: MOSFET N CH 55V 31A TO-2220AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFIZ44N | Infineon / IR | MOSFET Automotive MOSFET 55m, 43nC Qg | на замовлення 355 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFL014N | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 1.5A SOT-223 Packaging: Tube Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFL014NTR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 1.5A SOT-223 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFL014NTR | Infineon Technologies | MOSFET Automotive MOSFET 55V, 1.9A, 160 mOhm | на замовлення 1589 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFL014NTR | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRFL014NTR - AUIRFL014 - 55V-60V N-CHANNEL AUTOMOTIVE tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 88 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFL014NTR | International Rectifier | Description: AUTOMOTIVE POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRFL024N | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223 Packaging: Tube Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFL024NTR | Infineon / IR | MOSFET Automotive MOSFET 55V, 2.8A, 75 mOhm | на замовлення 2567 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFL024NTR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFN7107TR | Infineon Technologies | Description: AUIRFN7107 - 75V-100V N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 4.4W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3001 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 7800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRFN7107TR | Infineon Technologies | MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET | на замовлення 4405 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFN7107TR | International Rectifier | Description: AUTOMOTIVE POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 4.4W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3001 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRFN7107TR-IR | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 75V 14A/75A TDSON0 Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 4.4W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3001 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFN7110TR | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRFN7110TR - AUIRFN7110 75V-100V N-CHANNEL AUTOMOTIVE tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 44000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 223 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFN7110TR | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL 75 / 80 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFN7110TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 58A 8PQFN Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 4.3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 44000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRFN7110TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 58A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 4.3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFN8401TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 84A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFN8401TR | Infineon / IR | MOSFET 40V Single N-Channel HEXFET | на замовлення 1235 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFN8403TR | Infineon Technologies | MOSFET Automotive HEXFET COOLiRFET | на замовлення 2456 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFN8403TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 95A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 4.3W (Ta), 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3174 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFN8405TR | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V 40V) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFN8405TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 95A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5142 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFN8405TR | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRFN8405TR - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 40 V, 187 A, 0.0016 ohm, PQFN, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 187 Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 136 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9 Verlustleistung: 136 Bauform - Transistor: PQFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFN8405TR | International Rectifier HiRel Products | AUIRFN8405TR | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRFN8458TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 40V 43A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 34W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 26A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 25µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFN8458TR | Infineon Technologies | MOSFET 40V Dual N Channel HEXFET | на замовлення 1574 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFN8458TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 40V 43A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 34W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 26A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 25µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFN8458TRXTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 40V 43A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 34W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 26A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 25µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. |