Продукція > CSD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 21 24 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
CSD17581Q3ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17581Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17581Q3ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 15 V
на замовлення 2404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.73 грн
10+48.46 грн
100+31.76 грн
500+23.06 грн
1000+20.88 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17581Q3ATexas InstrumentsTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,7mOhm; 101A; 63W; -55°C ~ 150°C; CSD17581Q3AT CSD17581Q3A TCSD17581q3a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+50.57 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17581Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17581Q3ATTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 15 V
на замовлення 8963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.87 грн
10+68.91 грн
100+46.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17581Q3AT
Код товару: 177865
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17581Q3ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17581Q3ATTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 15 V
на замовлення 8750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+41.67 грн
500+36.40 грн
750+34.49 грн
1250+30.36 грн
1750+29.17 грн
2500+28.02 грн
6250+25.06 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17581Q3ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17581Q3ATTexas InstrumentsMOSFETs 30V N-Channel NexFET A 595-CSD17581Q3A A A 595-CSD17581Q3A
на замовлення 1428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17581Q3ATTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 63W; VSONP8; 3.3x3.3mm
Power dissipation: 63W
Gate charge: 20nC
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Dimensions: 3.3x3.3mm
Kind of package: reel; tape
Case: VSONP8
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
на замовлення 466 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+115.60 грн
10+68.43 грн
100+43.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17581Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/123A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 15 V
на замовлення 2529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.17 грн
10+47.78 грн
100+31.42 грн
500+22.89 грн
1000+20.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17581Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17581Q5ATexas InstrumentsMOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17581Q5AT
на замовлення 1491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17581Q5ATexas InstrumentsTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,2mOhm; 123A; 83W; -55°C ~ 150°C; CSD17581Q5AT CSD17581Q5A TCSD17581q5a
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+30.38 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17581Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/123A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17581Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17581Q5ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17581Q5ATTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/123A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 15 V
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.57 грн
10+72.01 грн
100+48.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17581Q5ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17581Q5AT
Код товару: 162889
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17581Q5ATTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/123A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 15 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+43.66 грн
500+38.17 грн
750+36.19 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17581Q5ATTexas InstrumentsMOSFETs 30V N-Ch NexFET Pow er MOSFET A 595-CSD1 A 595-CSD17581Q5A
на замовлення 1551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17585F5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 5.9A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (1.49x0.73)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 15 V
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17585F5Texas InstrumentsMOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A 595-CSD17585F5T
на замовлення 24365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17585F5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 5.9A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (1.49x0.73)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 15 V
на замовлення 2911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.76 грн
13+23.85 грн
50+17.28 грн
100+14.22 грн
500+10.71 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17585F5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 5.9A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+57.28 грн
500+51.83 грн
750+49.06 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17585F5TTexas InstrumentsMOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17585F5
на замовлення 1168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17585F5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 5.9A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 15 V
на замовлення 18250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+32.56 грн
500+28.36 грн
750+26.84 грн
1250+23.72 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17585F5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 5.9A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17585F5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 5.9A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17585F5TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.9A; Idm: 34A; 1.4W; PICOSTAR3
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Transistor: N-MOSFET
Case: PICOSTAR3
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 1.4W
Drain current: 5.9A
Pulsed drain current: 34A
Drain-source voltage: 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17585F5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 5.9A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17585F5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 5.9A 3PICOSTAR
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 900mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): 20V
на замовлення 18434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.81 грн
10+58.57 грн
100+28.70 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17585F5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 5.9A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+68.69 грн
14+56.96 грн
25+36.02 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17C00ACS0
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD1848C&KC&K Components
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18501Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+72.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18501Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18501Q5ATexas InstrumentsMOSFETs 40V N-Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 1103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18501Q5ATEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18501Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0025 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 150W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18501Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 22A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 20 V
на замовлення 1344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.04 грн
10+137.97 грн
100+95.40 грн
500+72.42 грн
1000+69.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18501Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+116.26 грн
144+98.33 грн
145+98.00 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18501Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.69 грн
10+98.94 грн
25+98.00 грн
100+68.84 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18501Q5ATexas InstrumentsMOSFET N-CH 40V 8SON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18501Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18501Q5ATEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18501Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0025 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18501Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 22A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18501Q5ATTexas InstrumentsMOSFET N-CH 40V 8SON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18502KCSTEXAS INSTRUMENTSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 259W; TO220-3
Kind of package: tube
Case: TO220-3
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 259W
Gate charge: 52nC
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+212.24 грн
10+113.22 грн
50+110.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18502KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+89.28 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18502KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+160.39 грн
100+140.58 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18502KCSTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18502KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 212 A, 2400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 212A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 259W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: NexFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18502KCSTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 259W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4680 pF @ 20 V
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237.50 грн
50+114.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18502KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18502KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+89.28 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18502KCSTexas InstrumentsMOSFET N-CH 40V 100A TO220-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18502KCSTexas InstrumentsMOSFETs 40-V N-Chanel NxFT P wr MOSFETs
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18502Q5BTexas InstrumentsN-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5070 @ 20, Qg, нКл = 68 @ 10, Rds = 2,3 @ 30 А, 10 В мОм, Ugs(th) = 2,2 В, Р, Вт = 156, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerTDFN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2500+178.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18502Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 26A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18502Q5BTI
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18502Q5BTexas InstrumentsMOSFETs 40-V N-Ch NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD185 A 595-CSD18502Q5BT
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18502Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 26A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18502Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 26A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18502Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 26A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18502Q5BTTexas InstrumentsMOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18502Q5B
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18502Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 26A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18502Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 26A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18502Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 20 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+118.47 грн
500+105.32 грн
750+100.86 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18502Q5BTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 156W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Dimensions: 5x6mm
Kind of package: reel; tape
Case: VSON-CLIP8
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 156W
Gate charge: 25nC
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18502Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 26A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+194.80 грн
10+163.97 грн
25+162.93 грн
100+116.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18502Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 26A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+190.94 грн
88+161.42 грн
117+116.93 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18502Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 20 V
на замовлення 1201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+307.26 грн
10+194.73 грн
100+137.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18503KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18503KCSNational SemiconductorDescription: CSD18503KCS 40V, N CHANNEL NEXFE
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+83.82 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18503KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+63.17 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18503KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18503KCSTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 20 V
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.98 грн
50+87.21 грн
100+78.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18503KCSTexas InstrumentsMOSFETs 40V N-Ch NexFET Powe r MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18503KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+83.75 грн
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18503KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
276+128.47 грн
500+115.63 грн
1000+106.63 грн
Мінімальне замовлення: 276 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18503Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 19A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18503Q5ATEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18503Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0034 ohm, VSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 120
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8
Verlustleistung: 120
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18503Q5ATexas InstrumentsMOSFETs 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18503Q5AT
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18503Q5ATEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 120W; VSONP8
Case: VSONP8
Mounting: SMD
Power dissipation: 120W
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18503Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 19A/100A 8VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18503Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 19A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18503Q5ATexas InstrumentsTransistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 6,2mOhm; 121A; 120W; -55°C ~ 150°C; CSD18503Q5AT CSD18503Q5A TCSD18503q5a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+54.61 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18503Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 19A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+57.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18503Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 19A/100A 8VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.76 грн
10+96.46 грн
50+73.00 грн
100+61.39 грн
500+48.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18503Q5ATTexas InstrumentsMOSFET N-CH 40V 8SON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18503Q5ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 19A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18503Q5ATTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.31 грн
10+123.48 грн
100+84.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18503Q5ATTexas InstrumentsMOSFETs 40V CSD18503Q5A 8-VS ONP A 595-CSD18503Q A 595-CSD18503Q5A
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18503Q5ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 19A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18503Q5ATTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 120W; VSONP8; 5x6mm
Dimensions: 5x6mm
Kind of package: reel; tape
Case: VSONP8
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 120W
Gate charge: 13nC
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+173.41 грн
10+103.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18503Q5ATTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 20 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+77.47 грн
500+68.28 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504KCSTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 53A/100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.44 грн
50+80.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 21 24 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]