Продукція > CSD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 21 24 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
CSD18501Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+73.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18501Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18501Q5ATEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18501Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0025 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 150W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18501Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 22A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18501Q5ATexas InstrumentsMOSFET N-CH 40V 8SON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18501Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+116.52 грн
144+98.54 грн
145+98.21 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18501Q5ATexas InstrumentsMOSFETs 40V N-Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 2876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+223.10 грн
10+131.79 грн
100+80.08 грн
500+69.72 грн
1000+67.10 грн
2500+64.68 грн
5000+62.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18501Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.95 грн
10+99.16 грн
25+98.21 грн
100+68.99 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18501Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 22A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 20 V
на замовлення 1797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.80 грн
10+132.60 грн
100+91.66 грн
500+69.58 грн
1000+67.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18501Q5ATTexas InstrumentsMOSFET N-CH 40V 8SON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18502KCSTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 259W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4680 pF @ 20 V
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.68 грн
50+104.37 грн
100+94.25 грн
500+71.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18502KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+89.48 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18502KCSTexas InstrumentsMOSFETs 40-V N-Chanel NxFT P wr MOSFETs
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+240.01 грн
10+118.29 грн
100+92.51 грн
500+74.56 грн
1000+68.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18502KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+160.74 грн
100+140.89 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18502KCSTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18502KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 212 A, 2400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 212A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 259W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: NexFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+247.26 грн
10+161.08 грн
100+160.27 грн
500+147.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18502KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18502KCSTexas InstrumentsMOSFET N-CH 40V 100A TO220-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18502KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+89.48 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18502Q5BTexas InstrumentsMOSFETs 40-V N-Ch NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD185 A 595-CSD18502Q5BT
на замовлення 1501 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+230.34 грн
10+148.46 грн
100+89.74 грн
500+76.63 грн
2500+71.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18502Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 26A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18502Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 26A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18502Q5BTI
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18502Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 26A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18502Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 26A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18502Q5BTexas InstrumentsN-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5070 @ 20, Qg, нКл = 68 @ 10, Rds = 2,3 @ 30 А, 10 В мОм, Ugs(th) = 2,2 В, Р, Вт = 156, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerTDFN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2500+178.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18502Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 26A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+191.36 грн
88+161.78 грн
117+117.19 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18502Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 26A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18502Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 20 V
на замовлення 1201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+295.12 грн
10+187.04 грн
100+131.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18502Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 26A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18502Q5BTTexas InstrumentsMOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18502Q5B
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+289.14 грн
10+188.15 грн
100+102.86 грн
500+98.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18502Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 20 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+116.90 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18502Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 26A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+195.24 грн
10+164.34 грн
25+163.30 грн
100+117.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18503KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
276+128.76 грн
500+115.89 грн
1000+106.87 грн
Мінімальне замовлення: 276 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18503KCSTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 20 V
на замовлення 761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.11 грн
50+76.39 грн
100+72.44 грн
500+57.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18503KCSTexas InstrumentsMOSFETs 40V N-Ch NexFET Powe r MOSFET
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.61 грн
10+83.36 грн
100+65.03 грн
500+53.36 грн
1000+49.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18503KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18503KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+63.32 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18503KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18503KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+83.93 грн
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18503Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 19A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18503Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 19A/100A 8VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18503Q5ATEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18503Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0034 ohm, VSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 120
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8
Verlustleistung: 120
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18503Q5ATEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 121A; 120W; VSONP8; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 121A
Power dissipation: 120W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 32nC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2500+46.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18503Q5ATexas InstrumentsTransistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 6,2mOhm; 121A; 120W; -55°C ~ 150°C; CSD18503Q5AT CSD18503Q5A TCSD18503q5a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+55.83 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18503Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 19A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18503Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 19A/100A 8VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.47 грн
10+85.41 грн
100+60.39 грн
500+48.01 грн
1000+44.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18503Q5ATexas InstrumentsMOSFETs 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18503Q5AT
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.66 грн
10+100.03 грн
100+58.89 грн
500+46.87 грн
1000+43.08 грн
2500+39.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18503Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 19A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+57.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18503Q5ATEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 120W; VSONP8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 120W
Case: VSONP8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18503Q5ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 19A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18503Q5ATTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 120W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 120W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
Dimensions: 5x6mm
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+171.82 грн
10+103.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18503Q5ATTexas InstrumentsMOSFET N-CH 40V 8SON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18503Q5ATTexas InstrumentsMOSFETs 40V CSD18503Q5A 8-VS ONP A 595-CSD18503Q A 595-CSD18503Q5A
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+186.85 грн
10+119.88 грн
100+62.96 грн
500+54.54 грн
1000+53.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18503Q5ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 19A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18503Q5ATTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.73 грн
10+112.48 грн
100+76.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18503Q5ATTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 20 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+63.52 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 6660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
398+89.22 грн
Мінімальне замовлення: 398 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504KCSTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 53A/100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.77 грн
50+72.05 грн
100+64.68 грн
500+48.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+57.45 грн
2000+56.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+57.45 грн
2000+56.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504KCSTEXAS INSTRUMENTSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 115W; TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
On-state resistance: 5.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 115W
на замовлення 305 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+68.01 грн
10+62.32 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504KCSTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 53A/100A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
на замовлення 6810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
211+93.74 грн
Мінімальне замовлення: 211 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504KCSTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18504KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0055 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 93
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Verlustleistung: 93
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504KCSTexas InstrumentsMOSFET 40V N-Ch NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+111.95 грн
10+93.68 грн
100+63.37 грн
500+53.09 грн
1000+40.66 грн
2500+40.11 грн
5000+38.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504Q5ATEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18504Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5300 µohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 77W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
на замовлення 2271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+111.95 грн
11+73.94 грн
100+52.43 грн
500+39.19 грн
1000+32.45 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 15A/50A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1656 pF @ 20 V
на замовлення 3070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.37 грн
10+77.63 грн
100+52.11 грн
500+38.64 грн
1000+35.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504Q5ATexas InstrumentsTransistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 9,8mOhm; 75A; 77W; -55°C ~ 150°C; CSD18504Q5AT CSD18504Q5A TCSD18504q5a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+56.48 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504Q5ATEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18504Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5300 µohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 77W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
на замовлення 2271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.43 грн
500+39.19 грн
1000+32.45 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504Q5ATexas InstrumentsMOSFETs 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18504Q5AT
на замовлення 3550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.06 грн
10+80.18 грн
100+46.67 грн
500+37.00 грн
1000+32.86 грн
2500+30.58 грн
5000+28.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504Q5ATexas InstrumentsMOSFET N-CH 40V 50A 8VSON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.41 грн
5000+46.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 15A/50A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1656 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504Q5ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504Q5ATTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 50A 8VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1656 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 77W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.41 грн
10+106.87 грн
100+73.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504Q5ATTexas InstrumentsMOSFETs 40V N-Ch NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD1850 A 595-CSD18504Q5A
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+190.88 грн
10+120.67 грн
100+63.51 грн
500+55.02 грн
1000+50.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504Q5ATTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 77W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 77W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 7.7nC
Dimensions: 5x6mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504Q5ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504Q5ATTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 50A 8VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1656 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 77W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+66.74 грн
500+58.76 грн
750+55.96 грн
1250+49.56 грн
1750+47.80 грн
2500+46.10 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504Q5ATTexas InstrumentsMOSFET N-CH 40V 50A 8VSON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13900 pF @ 20 V
на замовлення 4375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.44 грн
10+144.56 грн
100+100.07 грн
500+76.09 грн
1000+70.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+95.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5BTexas InstrumentsMOSFET N-CH 40V 100A 8VSON Транзистори
на замовлення 15 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
2+311.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13900 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5BTexas InstrumentsMOSFETs 40V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD18509Q5BT
на замовлення 1177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+227.12 грн
10+145.28 грн
100+87.67 грн
500+71.11 грн
1000+68.90 грн
2500+64.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 5250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+173.69 грн
500+154.70 грн
1000+135.61 грн
2500+122.65 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5BTTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18509Q5BT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.001 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423190
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5BTTexas InstrumentsMOSFETs 40V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1850 A 595-CSD18509Q5B
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+283.50 грн
10+182.60 грн
100+100.79 грн
500+88.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+146.65 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13900 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+260.95 грн
10+163.86 грн
100+114.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18509Q5BTTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18509Q5BT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.001 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423190
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+198.13 грн
10+151.41 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 21 24 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]