Продукція > DMN

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 20 24 28 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMN2053UVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 6220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.94 грн
16+20.96 грн
100+9.39 грн
1000+8.15 грн
3000+6.70 грн
9000+5.87 грн
24000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2053UVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.6A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2053UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.6A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
на замовлення 368469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.63 грн
16+19.30 грн
100+11.55 грн
500+10.03 грн
1000+6.82 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2053UVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.6A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 396000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2053UVTQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.6A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2053UVTQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2053UVTQ-13Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2053UVTQ-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2053UVTQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V TSOT26 T and R 3K
на замовлення 1384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.36 грн
16+21.04 грн
100+11.74 грн
500+8.77 грн
1000+7.80 грн
3000+6.42 грн
6000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2053UVTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.6A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 23842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.63 грн
16+19.37 грн
100+11.64 грн
500+10.11 грн
1000+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2053UVTQ-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2053UVTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.6A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.00 грн
6000+6.46 грн
9000+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2053UW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 8V~24V SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369 pF @ 10 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.70 грн
30000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2053UW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.9A 3-Pin SOT-323 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2053UW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.9A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2053UW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2053UW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2053UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.039 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.58 грн
500+9.05 грн
1000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2053UW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369 pF @ 10 V
на замовлення 105165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.84 грн
15+21.24 грн
100+10.75 грн
500+8.23 грн
1000+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2053UW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R 3K
на замовлення 6462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+24.48 грн
20+15.96 грн
100+6.01 грн
1000+5.38 грн
3000+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2053UW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2053UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.039 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.30 грн
29+28.75 грн
100+14.58 грн
500+9.05 грн
1000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2053UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.9A 3-Pin SOT-323 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2053UW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369 pF @ 10 V
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.69 грн
6000+5.24 грн
9000+4.53 грн
30000+4.17 грн
75000+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2053UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.9A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2053UWQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2053UWQ-13Diodes ZetexDMN2053UWQ-13
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2053UWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2053UWQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2053UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.039 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+38.42 грн
61+13.21 грн
100+11.03 грн
500+10.17 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2053UWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2053UWQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2053UWQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2053UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.039 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.03 грн
500+10.17 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2053UWQ-7Diodes Zetex20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3025+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 3025 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055U-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 10K
на замовлення 57970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+20.78 грн
24+13.65 грн
100+6.14 грн
500+5.25 грн
1000+4.83 грн
10000+4.49 грн
20000+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055U-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.8A SOT23 T&R 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
на замовлення 39961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.41 грн
17+17.87 грн
100+9.00 грн
500+7.49 грн
1000+5.83 грн
2000+5.22 грн
5000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055U-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.8A SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.00 грн
30000+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.8A SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.77 грн
6000+5.44 грн
9000+4.81 грн
30000+4.46 грн
75000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.8A SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.41 грн
17+17.87 грн
100+9.00 грн
500+7.49 грн
1000+5.83 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055U-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 3044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.71 грн
16+20.56 грн
100+11.18 грн
1000+5.94 грн
3000+5.04 грн
9000+4.49 грн
24000+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055UQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055UQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055UQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055UW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.36 грн
30000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055UW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055UW-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055UW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.27 грн
6000+4.85 грн
9000+4.19 грн
30000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055UW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R 3K
на замовлення 3015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+21.42 грн
23+14.05 грн
100+5.59 грн
3000+4.14 грн
9000+3.31 грн
24000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055UW-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3192+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 3192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055UW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2055UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.035 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.16 грн
500+7.55 грн
1000+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055UW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
на замовлення 66600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.51 грн
16+19.74 грн
100+9.96 грн
500+7.63 грн
1000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055UW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2055UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.035 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+29.32 грн
38+21.50 грн
100+12.16 грн
500+7.55 грн
1000+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055UWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.60 грн
30000+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055UWQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055UWQ-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055UWQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2055UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.035 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+32.70 грн
38+21.67 грн
100+12.24 грн
500+8.68 грн
1000+6.28 грн
3000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055UWQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R 3K
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.92 грн
14+23.74 грн
100+11.67 грн
1000+6.90 грн
3000+5.11 грн
9000+4.69 грн
24000+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055UWQ-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3025+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 3025 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055UWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.07 грн
15+20.87 грн
100+10.52 грн
500+8.05 грн
1000+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055UWQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2055UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.035 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.24 грн
500+8.68 грн
1000+6.28 грн
3000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055UWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.56 грн
6000+5.12 грн
9000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2056UDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2056U-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2056U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 940mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 339 pF @ 10 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.52 грн
20000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2056U-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 1394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+24.97 грн
22+15.08 грн
100+8.28 грн
500+6.14 грн
1000+4.90 грн
5000+4.21 грн
10000+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2056U-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2056U-7DIODES/ZETEXTransistor N-MOSFET; 20V; 8V; 38mOhm; 4A; 660mW; -55°C~150°C; Substitute: DMN2056U-13; DMN2056U-7 TDMN2056U-7 Diodes
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+5.54 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2056U-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3
на замовлення 38028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.44 грн
18+18.18 грн
100+9.94 грн
500+7.39 грн
1000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2056U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2056U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2056U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.038 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2056U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 940mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 339 pF @ 10 V
на замовлення 145610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.08 грн
22+14.13 грн
100+8.88 грн
500+6.17 грн
1000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2056U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2056U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.038 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2056U-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.7A; 0.94W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain current: 3.7A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 0.94W
на замовлення 5258 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.11 грн
37+11.47 грн
50+8.34 грн
100+7.38 грн
500+5.76 грн
1000+5.15 грн
3000+4.38 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2056U-7Diodes INC.N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 4 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 339 @ 10, Qg, нКл = 4,3 @ 4,5 В, Rds = 38 мОм @ 3,6 A, 4,5 В, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,94, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 1479 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2056U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 940mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 339 pF @ 10 V
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.07 грн
6000+4.40 грн
9000+4.16 грн
15000+3.64 грн
21000+3.49 грн
30000+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2056U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2056U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2056U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.038 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2056U-7DiodesMOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2056U-7-50Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058UDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058U-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058U-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.13W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 10 V
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.96 грн
19+16.53 грн
100+10.42 грн
500+7.29 грн
1000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058U-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 240000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058U-13Diodes INC.N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 4,6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 281 @ 10, Qg, нКл = 7,7 @ 10 В, Rds = 35 мОм @ 6 A, 10 В, Ugs(th) = 1,2 @ 250 мкА, Р, Вт = 1,13, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.13W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2058U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.6 A, 0.027 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 740mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+32.54 грн
34+24.08 грн
100+13.53 грн
500+9.42 грн
1000+6.97 грн
3000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.13W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.87 грн
6000+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1220+11.62 грн
1258+11.27 грн
1324+10.71 грн
1695+8.06 грн
3000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 1220 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.32 грн
9000+3.85 грн
24000+3.80 грн
45000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058U-7Diodes Inc./ZetexMOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+34.28 грн
34+22.80 грн
100+10.51 грн
1000+7.81 грн
3000+6.26 грн
9000+5.35 грн
24000+5.31 грн
45000+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1380000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.68 грн
9000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058U-7DIODES/ZETEXTransistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 40mOhm; 4,6A; 740mW; -55°C~150°C; Substitute: DMN2058U-13; DMN2058U-7 TDMN2058U-7 Diodes
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.28 грн
9000+6.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 162000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3897+3.64 грн
39000+3.33 грн
78000+3.10 грн
117000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 3897 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 20 24 28 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]