Продукція > DMN

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 20 24 28 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMN2053UWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2053UWQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2053UWQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2053UWQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2053UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.039 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2053UWQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2053UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.039 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2053UWQ-7Diodes Zetex20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3025+4.68 грн
Мінімальне замовлення: 3025 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2053UWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055U-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.8A SOT23 T&R 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
на замовлення 39961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
17+18.04 грн
100+9.09 грн
500+7.56 грн
1000+5.88 грн
2000+5.27 грн
5000+5.06 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055U-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.8A SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.05 грн
30000+4.80 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055U-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 10K
на замовлення 57970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.8A SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
17+18.04 грн
100+9.09 грн
500+7.56 грн
1000+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055U-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 3044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.8A SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.83 грн
6000+5.49 грн
9000+4.86 грн
30000+4.50 грн
75000+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055UQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055UQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055UQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055UW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.40 грн
30000+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055UW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055UW-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055UW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
на замовлення 66600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.78 грн
16+19.93 грн
100+10.05 грн
500+7.70 грн
1000+5.71 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055UW-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3192+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 3192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055UW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2055UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.035 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055UW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.32 грн
6000+4.90 грн
9000+4.23 грн
30000+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055UW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R 3K
на замовлення 3015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055UW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2055UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.035 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055UWQ-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.68 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055UWQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055UWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.64 грн
30000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055UWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
15+21.06 грн
100+10.62 грн
500+8.13 грн
1000+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055UWQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2055UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.035 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055UWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.61 грн
6000+5.17 грн
9000+4.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055UWQ-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3025+4.68 грн
Мінімальне замовлення: 3025 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055UWQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2055UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.035 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055UWQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R 3K
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2056UDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2056U-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 11847 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2056U-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2056U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3
на замовлення 7567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.22 грн
19+16.61 грн
25+13.77 грн
50+11.21 грн
100+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2056U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2056U-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; Idm: 22A; 940mW; SOT23
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 0.94W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 4.3nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2056U-7DiodesMOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2056U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2056U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.038 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 660mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2056U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+32.85 грн
37+20.84 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2056U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 940mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 339 pF @ 10 V
на замовлення 118608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
20+15.70 грн
25+12.98 грн
50+10.58 грн
100+9.23 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2056U-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.7A; 0.94W; SOT23
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 0.94W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1528 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.26 грн
37+11.57 грн
50+8.42 грн
100+7.45 грн
500+5.81 грн
1000+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2056U-7Diodes INC.N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 4 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 339 @ 10, Qg, нКл = 4,3 @ 4,5 В, Rds = 38 мОм @ 3,6 A, 4,5 В, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,94, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 1479 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2056U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 657000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.31 грн
6000+7.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2056U-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3
на замовлення 148086 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2056U-7DIODES/ZETEXTransistor N-MOSFET; 20V; 8V; 38mOhm; 4A; 660mW; -55°C~150°C; Substitute: DMN2056U-13; DMN2056U-7 TDMN2056U-7 Diodes
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+5.42 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2056U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2056U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 940mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 339 pF @ 10 V
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.61 грн
9000+4.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2056U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2056U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.038 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 660mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2056U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 657000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2056U-7-50Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058UDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.13W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058U-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.7A; Idm: 24A; 1.13W; SOT23
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.7A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 1.13W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 91mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.7nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058U-13Diodes INC.N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 4,6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 281 @ 10, Qg, нКл = 7,7 @ 10 В, Rds = 35 мОм @ 6 A, 10 В, Ugs(th) = 1,2 @ 250 мкА, Р, Вт = 1,13, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.13W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 10 V
на замовлення 9105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.62 грн
14+22.12 грн
25+18.36 грн
50+15.02 грн
100+13.15 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058U-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058U-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 18472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2058U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.6 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 740mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 2115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058U-7DIODES/ZETEXTransistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 40mOhm; 4,6A; 740mW; -55°C~150°C; Substitute: DMN2058U-13; DMN2058U-7 TDMN2058U-7 Diodes
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 61025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3093+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 3093 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.13W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2058U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.6 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 740mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 2115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058U-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 8V-24V
на замовлення 5627 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058U-7Diodes Inc./ZetexMOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058U-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.3A; 0.74W; SOT23
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.3A
Power dissipation: 0.74W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 310 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+31.61 грн
21+20.80 грн
50+13.75 грн
100+11.49 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 61025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+5.94 грн
165+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.13W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 10 V
на замовлення 4466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.62 грн
14+22.19 грн
25+18.39 грн
50+15.05 грн
100+13.17 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058U-7Diodes INC.N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 4,6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 281 @ 10, Qg, нКл = 7,7 @ 10 В, Rds = 35 мОм @ 6A, 10 В, Ugs(th) = 1,2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 1,13, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+39.60 грн
32+23.99 грн
100+14.73 грн
250+7.40 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058UWDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058UW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT323 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.78 грн
17+17.89 грн
25+14.82 грн
50+12.08 грн
100+10.56 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058UW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.20 грн
20000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058UW-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3A; Idm: 20A; 700mW; SOT323
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 91mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.7nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058UW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT323 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058UW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT323 T&R 10K
на замовлення 15931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058UW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.20 грн
20000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-323 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058UW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058UW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2058UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.042 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058UW-7
Код товару: 213724
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058UW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT323 T&R 3K
на замовлення 2302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-323 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058UW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058UW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2058UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.042 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 20 24 28 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]