Продукція > FDC

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDC5612_F095onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 94341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
297+47.78 грн
424+33.43 грн
535+26.44 грн
1000+23.23 грн
3000+18.59 грн
Мінімальне замовлення: 297 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 14800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
321+44.11 грн
1000+25.85 грн
3000+25.10 грн
6000+23.17 грн
9000+21.40 грн
Мінімальне замовлення: 321 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
324+43.77 грн
426+33.24 грн
539+26.28 грн
1000+23.09 грн
3000+18.66 грн
Мінімальне замовлення: 324 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 323960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
748+18.92 грн
809+17.50 грн
875+16.17 грн
1000+15.07 грн
3000+13.21 грн
6000+12.27 грн
9000+11.59 грн
24000+11.56 грн
Мінімальне замовлення: 748 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 972 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+86.70 грн
17+24.82 грн
18+23.65 грн
100+20.21 грн
500+16.77 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614PonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 30 V
на замовлення 163274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.25 грн
10+45.29 грн
50+33.41 грн
100+27.73 грн
500+21.36 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 94341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 198000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.05 грн
6000+19.39 грн
9000+18.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 198000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.05 грн
6000+19.39 грн
9000+18.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614PonsemiMOSFETs SSOT-6 P-CH
на замовлення 89628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+72.44 грн
15+53.06 грн
100+35.26 грн
500+26.25 грн
1000+21.98 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 323960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+20.42 грн
40+18.92 грн
100+17.50 грн
500+15.59 грн
1000+13.95 грн
3000+12.68 грн
6000+12.27 грн
9000+11.59 грн
24000+11.56 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614PonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 30 V
на замовлення 163200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.49 грн
6000+16.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+62.08 грн
18+44.12 грн
100+33.51 грн
500+25.55 грн
1000+21.56 грн
3000+18.06 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 10800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1345+26.31 грн
10000+23.46 грн
Мінімальне замовлення: 1345 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P .564ON-SemiconductorP-MOSFET 3A 60V 0.8W 0.105Ω FDC5614P TFDC5614P
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+14.09 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P-EVEVVODescription: MOSFET P-CH 60V 3A SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P-EVEVVODescription: MOSFET P-CH 60V 3A SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23-6
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.57 грн
15+20.30 грн
25+18.11 грн
100+14.73 грн
250+13.65 грн
500+13.00 грн
1000+12.26 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P-GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P-NLFAIRCHILDSOT-163 05+
на замовлення 5450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P_D87ZonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC563N
на замовлення 1426 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5661NON SemiconductorMOSFET FET 60V 50.0 MOHM SSOT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5661NonsemiDescription: FET 60V 50.0 MOHM SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5661NonsemiMOSFETs FET 60V 500 MOHM SSOT6
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5661NonsemiDescription: FET 60V 50.0 MOHM SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V
на замовлення 2835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.73 грн
20+15.17 грн
25+13.44 грн
100+10.88 грн
250+10.05 грн
500+9.55 грн
1000+8.98 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5661N-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.84 грн
6000+18.81 грн
9000+17.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5661N-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.24 грн
25+31.28 грн
41+18.56 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5661N-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.54 грн
10+42.34 грн
50+31.13 грн
100+25.82 грн
500+19.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5661N-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDC5661N-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.038 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
на замовлення 3011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5661N-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.21 грн
6000+22.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5661N-F085onsemiMOSFETs Trans N-Ch 60V 4.3A
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5661N-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5661N-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5661N-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.51 грн
6000+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5661N-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDC5661N-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.038 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
на замовлення 3011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5661N-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+18.40 грн
9000+17.22 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5661N-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5661N-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.91 грн
6000+18.88 грн
9000+17.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5XPRCA02H132XConecDescription: CONN D-SUB PLUG 50POS VERT SLDR
Features: Filter, Grounding Indents
Packaging: Bulk
Connector Type: Plug, Male Pins
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 50
Number of Rows: 3
Contact Type: Signal
Flange Feature: Board Side (4-40)
Termination: Solder
Connector Style: D-Sub
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Shell Material, Finish: Steel, Tin Plated
Shell Size, Connector Layout: 5 (DD, D)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5XPRCA02H132XCONECD-Sub Standard Connectors 50P Solder pin Str 1300pf
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6000NZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7.3A 6SSOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6 FLMP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6000NZFSCSSOT-6 07+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6000NZ_F077onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7.3A 6SSOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6 FLMP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6020CON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6SSOT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6020CFAIRCHILSOT-163 10+
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6020CON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6SSOT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6020CON Semiconductor / FairchildMOSFET Complementary PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6020C-NLFAIRCHLDSOT163 10+
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6020C/.020FAIR
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6020C_F077ON Semiconductor / FairchildMOSFET Complementary PwrTrh
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6020C_F077ON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6-SSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+64.76 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.59 грн
6000+15.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+64.76 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC602P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 22110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 11389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1331+26.57 грн
10000+23.70 грн
Мінімальне замовлення: 1331 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602PonsemiMOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 2.5V
на замовлення 9862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+73.92 грн
278+51.01 грн
500+48.47 грн
1000+34.01 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC602P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 22110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
на замовлення 12888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.11 грн
10+43.02 грн
50+31.75 грн
100+26.36 грн
500+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 53mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2771 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+69.54 грн
9+48.47 грн
11+41.76 грн
50+29.86 грн
100+26.17 грн
500+19.96 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602P_F095ON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 5.5A 6SSOT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6036P
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6036PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 5A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 992pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6036P/.036FAIR
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6036P_F077onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 5A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 992pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC604P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.5 A, 0.033 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
на замовлення 22468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604PUMWDescription: MOSFET P-CH 20V 5.5A SOT23-6
на замовлення 1621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.97 грн
13+23.55 грн
50+17.10 грн
100+14.08 грн
500+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.08 грн
6000+16.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.83 грн
6000+17.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 4172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+69.89 грн
18+43.91 грн
25+32.58 грн
100+30.97 грн
250+28.26 грн
500+26.74 грн
1000+26.35 грн
3000+25.95 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604PONS/FAIаналог IRLMS4502TR Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1926 pF @ 10 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.36 грн
6000+13.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604PonsemiMOSFETs SSOT-6 P-CH
на замовлення 7535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
332+42.66 грн
1000+19.29 грн
3000+18.91 грн
6000+18.19 грн
9000+16.80 грн
Мінімальне замовлення: 332 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604PUMWDescription: MOSFET P-CH 20V 5.5A SOT23-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.89 грн
6000+17.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
на замовлення 948 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+51.48 грн
16+27.51 грн
25+24.91 грн
50+22.98 грн
100+21.05 грн
250+18.45 грн
500+16.69 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 29910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
944+14.98 грн
Мінімальне замовлення: 944 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.08 грн
6000+16.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC604P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.5 A, 0.033 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
на замовлення 22468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.86 грн
6000+17.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 29910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+29.97 грн
28+27.41 грн
50+24.92 грн
100+22.05 грн
500+16.77 грн
3000+14.85 грн
6000+12.84 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1926 pF @ 10 V
на замовлення 40940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.49 грн
10+38.27 грн
50+28.09 грн
100+23.28 грн
500+17.85 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 4172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
435+32.58 грн
441+32.12 грн
447+31.65 грн
500+30.08 грн
1000+27.45 грн
3000+25.95 грн
Мінімальне замовлення: 435 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604P-NLFAIRCHIL09+ QFP
на замовлення 815 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604P/604FAIR
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604P_NLFAIRCHILD
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC605N
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.