Продукція > FDC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 22  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDC604PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
315+45.08 грн
460+30.87 грн
589+24.11 грн
1000+20.87 грн
3000+16.35 грн
6000+14.56 грн
9000+13.47 грн
24000+13.35 грн
Мінімальне замовлення: 315 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604PONS/FAIаналог IRLMS4502TR Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1926 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.25 грн
10+35.00 грн
100+22.71 грн
500+16.34 грн
1000+14.74 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+55.00 грн
17+45.08 грн
100+30.87 грн
500+23.25 грн
1000+19.32 грн
3000+15.70 грн
6000+14.56 грн
9000+13.47 грн
24000+13.35 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC604P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.5 A, 0.033 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+62.90 грн
21+39.14 грн
100+25.37 грн
500+19.07 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604Ponsemi / FairchildMOSFETs SSOT-6 P-CH
на замовлення 7738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.48 грн
10+37.79 грн
100+21.33 грн
500+16.36 грн
1000+14.64 грн
3000+12.70 грн
6000+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1926 pF @ 10 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.06 грн
6000+12.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+55.84 грн
25+55.55 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604P-NLFAIRCHIL09+ QFP
на замовлення 815 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604P/604FAIR
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604P_NLFAIRCHILD
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC605N
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P
Код товару: 128958
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606PonsemiMOSFETs SuperSOT-3
на замовлення 9421 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+83.76 грн
10+51.84 грн
100+29.55 грн
500+22.92 грн
1000+20.78 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC606P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
на замовлення 4534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.02 грн
500+23.78 грн
1500+19.81 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
455+31.17 грн
Мінімальне замовлення: 455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606PonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 6A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1699 pF @ 6 V
на замовлення 60414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.77 грн
10+48.61 грн
100+31.90 грн
500+23.19 грн
1000+21.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC606P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
на замовлення 4534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+79.98 грн
50+50.18 грн
100+33.02 грн
500+23.78 грн
1500+19.81 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1117+31.75 грн
Мінімальне замовлення: 1117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606Ponsemi / FairchildMOSFETs SuperSOT-3
на замовлення 7589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.71 грн
10+48.43 грн
100+27.68 грн
500+22.30 грн
1000+20.30 грн
3000+18.22 грн
6000+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606PonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 6A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1699 pF @ 6 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.88 грн
6000+16.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P_NLFAIRCHILD
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZonsemi / FairchildMOSFETs -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET
на замовлення 156932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+24.24 грн
18+18.02 грн
100+14.43 грн
500+12.84 грн
1000+12.15 грн
3000+10.56 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+16.56 грн
100+15.91 грн
250+14.67 грн
500+14.04 грн
1000+13.98 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 5.8A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.27 грн
6000+11.60 грн
9000+11.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZonsemiMOSFETs -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET
на замовлення 146600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.97 грн
10+36.84 грн
100+21.40 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1557+22.77 грн
Мінімальне замовлення: 1557 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZONSEMIDescription: ONSEMI - FDC608PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.8 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 16058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.81 грн
500+16.83 грн
1500+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.15 грн
9000+15.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
857+16.56 грн
860+16.50 грн
863+16.43 грн
866+15.79 грн
1000+14.56 грн
Мінімальне замовлення: 857 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 5.8A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 10 V
на замовлення 9189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.25 грн
11+27.30 грн
100+18.80 грн
500+15.08 грн
1000+13.62 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.15 грн
9000+15.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZONSEMIDescription: ONSEMI - FDC608PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.8 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 16058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+36.73 грн
50+25.13 грн
100+19.81 грн
500+16.83 грн
1500+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ .608ZON-SemiconductorP-MOSFET 5.8A 20V 0.8W 0.03Ω FDC608PZ TFDC608PZ
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+21.07 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ-F171ONSEMIDescription: ONSEMI - FDC608PZ-F171 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 510149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ-F171onsemiDescription: FDC608PZ - P-CHANNEL POWERTRENCH
Packaging: Bulk
на замовлення 681149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1158+18.46 грн
Мінімальне замовлення: 1158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ-F171ON SemiconductorFDC608PZ-F171
на замовлення 681149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1190+29.80 грн
10000+26.56 грн
100000+22.25 грн
Мінімальне замовлення: 1190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZFairchild/ON SemiconductorP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 4,9 A, Ptot, Вт = 0,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1005 @ 15, Qg, нКл = 24 @ 10 В, Rds = 42 мОм @ 4,9 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SSOT-6 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.28 грн
6000+11.62 грн
9000+11.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.28 грн
6000+11.61 грн
9000+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+49.56 грн
20+39.05 грн
100+28.70 грн
500+21.92 грн
1000+15.74 грн
3000+12.77 грн
6000+12.60 грн
9000+12.18 грн
15000+11.96 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.23 грн
9000+12.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 4.9A SUPERSOT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.36 грн
10+32.76 грн
100+21.16 грн
500+15.19 грн
1000+12.49 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+50.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.83 грн
6000+13.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZonsemiMOSFETs -30V P-CHANNEL
на замовлення 90852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.61 грн
10+36.76 грн
100+21.26 грн
500+16.29 грн
3000+14.08 грн
6000+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZONSEMIDescription: ONSEMI - FDC610PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.042 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 8309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+51.63 грн
26+31.49 грн
100+19.41 грн
500+16.75 грн
1000+14.08 грн
5000+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.83 грн
6000+13.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.60 грн
9000+12.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 4.9A SUPERSOT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.17 грн
6000+10.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.54 грн
6000+17.45 грн
9000+17.24 грн
12000+16.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZ-GON SemiconductorFDC610PZ-G
на замовлення 320053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1362+26.03 грн
10000+23.21 грн
100000+19.45 грн
Мінімальне замовлення: 1362 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZ-GonsemiMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZ-GON SemiconductorFDC610PZ-G
на замовлення 2594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1362+26.03 грн
Мінімальне замовлення: 1362 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZ-GON SemiconductorFDC610PZ-G
на замовлення 2694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1362+26.03 грн
Мінімальне замовлення: 1362 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZ-PGONSEMIDescription: ONSEMI - FDC610PZ-PG - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZ-PGonsemiMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZ_PGON SemiconductorFDC610PZ-PG
на замовлення 5050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1722+20.59 грн
Мінімальне замовлення: 1722 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301FAIRCHILD
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.99 грн
6000+7.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.05 грн
6000+9.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301NonsemiMOSFETs SSOT-6 N-CH 25V
на замовлення 8149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.56 грн
13+25.09 грн
100+13.94 грн
500+10.56 грн
1000+9.46 грн
3000+7.80 грн
6000+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.24 грн
6000+9.77 грн
9000+9.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.24 грн
6000+9.77 грн
9000+9.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 40418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.71 грн
12+25.20 грн
100+16.09 грн
500+11.40 грн
1000+10.21 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.41 грн
6000+12.35 грн
9000+12.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301NONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6301N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 220
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 900
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 850
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.55 грн
6000+12.04 грн
9000+11.77 грн
12000+11.17 грн
27000+10.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301N-NL
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301N..ONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6301N.. - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 5 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.59 грн
500+11.67 грн
1500+9.66 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301N..ONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6301N.. - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 5 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+42.20 грн
50+24.89 грн
100+16.59 грн
500+11.67 грн
1500+9.66 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301N/301FAIRCHLD09+
на замовлення 30018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301N_GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301N_NL
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301N_Qonsemi / FairchildMOSFET SSOT-6 N-CH 25V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.12A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1121+31.64 грн
Мінімальне замовлення: 1121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.12A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 19026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1121+31.64 грн
10000+28.21 грн
Мінімальне замовлення: 1121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.12A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1121+31.64 грн
Мінімальне замовлення: 1121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.12A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 43845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1121+31.64 грн
10000+28.21 грн
Мінімальне замовлення: 1121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6302PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 25V 0.12A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.31nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6302PON Semiconductor / FairchildMOSFET SSOT-6 P-CH -25V
на замовлення 3276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 22  [ Наступна Сторінка >> ]