Продукція > FDS

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 21 24 27 30 31  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDS6676ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
563+62.89 грн
1000+58.00 грн
Мінімальне замовлення: 563 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676ASonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14.5A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2510 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
563+62.89 грн
1000+58.00 грн
Мінімальне замовлення: 563 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676AS-Gonsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676AS-GonsemiDescription: 30V N-CHANNEL POWERTRENCH SYNCFE
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2510 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 24005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
893+43.89 грн
Мінімальне замовлення: 893 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676AS-NL
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676ASNLFAIRCHILD
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676AS_GON SemiconductorFDS6676AS-G
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
379+93.43 грн
500+84.09 грн
1000+77.54 грн
Мінімальне замовлення: 379 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676AS_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V, NCH SINGLE, SO8, POWER TRENCH SYNCFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676NLFAIRCHILD
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676SON SemiconductorFDS6676S
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+96.53 грн
500+86.88 грн
1000+80.13 грн
10000+68.88 грн
Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676SONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6676S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 47465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
517+55.35 грн
Мінімальне замовлення: 517 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676SON SemiconductorFDS6676S
на замовлення 19386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+96.53 грн
500+86.88 грн
1000+80.13 грн
10000+68.88 грн
Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676SON SemiconductorFDS6676S
на замовлення 3079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+96.53 грн
500+86.88 грн
1000+80.13 грн
Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676SFAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676SFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4665 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
на замовлення 47465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
430+50.66 грн
Мінімальне замовлення: 430 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676S-NLFAIRCHILD09+
на замовлення 20018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676SNLFAIRCHILD
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676S_NLFSC09+
на замовлення 5028 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6678AFAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6678AF40FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679onsemiMOSFETs SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3939 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+163.07 грн
10+118.76 грн
25+111.22 грн
50+99.98 грн
100+85.85 грн
250+75.96 грн
500+69.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679-NLFDS
на замовлення 89000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZonsemiMOSFETs -30V P-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 5592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+104.86 грн
10+57.77 грн
100+37.83 грн
500+28.98 грн
1000+27.03 грн
2500+24.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 14.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+104.77 грн
6+73.30 грн
10+63.40 грн
50+45.87 грн
100+40.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZFairchildP-MOSFET 30V 13A 1W FDS6679AZ Fairchild TFDS6679az
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+28.69 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.06 грн
5000+24.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ
Код товару: 34125
4 Додати до обраних Обраний товар
FairchildТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, V: 30 V
Струм стоку Id, A: 13 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,0093 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 2890/68
Монтаж: SMD
у наявності: 18 шт
  • 4 шт - склад
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+34.50 грн
10+31.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.96 грн
5000+25.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 7700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 18683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.75 грн
500+35.40 грн
1000+30.52 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.39 грн
11+75.42 грн
25+74.67 грн
100+51.78 грн
250+47.46 грн
500+27.47 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZFairchild/ON SemiconductorP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 13 А, Ptot, Вт = 1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3845 @ 15, Qg, нКл = 96 @ 10 В, Rds = 9,3 мОм @ 13 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.96 грн
5000+25.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 7700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 18533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.68 грн
50+66.00 грн
100+49.75 грн
500+35.40 грн
1000+30.52 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
на замовлення 14917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.38 грн
10+65.59 грн
100+43.60 грн
500+32.08 грн
1000+29.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+48.47 грн
500+44.72 грн
1000+42.53 грн
2500+39.52 грн
Мінімальне замовлення: 292 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZONS/FAIТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+75.42 грн
190+74.67 грн
264+53.70 грн
267+51.26 грн
500+28.62 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ-GonsemiDescription: FDS6P-CHANNPOWERTRENMOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ-GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 49980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
665+53.19 грн
1000+49.06 грн
10000+43.74 грн
Мінімальне замовлення: 665 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ-NLFairchild
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ_NLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679BZ-NLFDS
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679E
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679NLFAIRCHILD
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679ZFAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679ZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3803 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679Z-NL
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679ZNLFAIRCHILD
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679Z_NLFAIRCHILD
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679_NLFAIRCHILD
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+132.01 грн
500+119.04 грн
1000+109.56 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 14997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+132.01 грн
500+119.04 грн
1000+109.56 грн
10000+94.20 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 15 V
на замовлення 57204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
214+94.78 грн
Мінімальне замовлення: 214 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680onsemi / FairchildMOSFET SO-8 N-CH 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680NDS0004+
на замовлення 26102 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 6832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+132.01 грн
500+119.04 грн
1000+109.56 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+132.01 грн
500+119.04 грн
1000+109.56 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680-NLFDS
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680/AFSC09+ SO-8
на замовлення 12982 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+107.81 грн
11+73.32 грн
25+72.58 грн
100+48.03 грн
250+44.03 грн
500+33.33 грн
1000+29.69 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680AonsemiMOSFETs SO-8 SGL N-CH 30V
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.10 грн
10+58.33 грн
100+36.44 грн
500+28.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.25 грн
10+63.33 грн
100+42.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+73.32 грн
195+72.58 грн
284+49.81 грн
287+47.55 грн
500+34.72 грн
1000+29.69 грн
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680AONS/FAIMOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6680A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.5 A, 9500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.96 грн
500+34.80 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680AONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; 2.5W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Gate charge: 23nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 12.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+88.51 грн
9+50.15 грн
10+43.86 грн
25+37.57 грн
50+33.88 грн
100+33.55 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
731+48.37 грн
1000+44.61 грн
Мінімальне замовлення: 731 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A
Код товару: 31312
Додати до обраних Обраний товар
FairchildТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, V: 30 V
Струм стоку Idd, A: 11,5 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,01 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 2070/19
Примітка: -
Монтаж: SMD
у наявності: 21 шт
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+31.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680Aonsemi / FairchildMOSFETs SO-8 SGL N-CH 30V
на замовлення 4131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.39 грн
10+56.33 грн
100+35.88 грн
500+28.50 грн
1000+25.78 грн
2500+22.71 грн
5000+21.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6680A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.5 A, 9500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.30 грн
50+66.73 грн
100+47.96 грн
500+34.80 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680AFairchildTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 15mOhm; 12,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6680A TFDS6680a
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+15.40 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A NLFAIRCHILD0947+ SOP8
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A-NBBI005AonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL, LOGIC LEVEL, P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A-NL
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680AAS
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680ANLFAIRCHILD
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680ASONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6680AS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.5 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 11.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680ASonsemi / FairchildMOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680ASonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680ASONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6680AS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.5 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680ASFairchildTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 15,5mOhm; 11,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6680AS TFDS6680as
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
40+17.24 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680AS-NLFDS
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680ASNLFAIRCHILD
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A_NLFSC08+;
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A_NL/FSCFSC08+;
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A_Qonsemi / FairchildMOSFETs SO-8 SGL N-CH 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680NLFAIRCHILD
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 15 V
на замовлення 25135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
395+51.45 грн
Мінімальне замовлення: 395 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 21 24 27 30 31  [ Наступна Сторінка >> ]