Продукція > FQP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FQPF32N20ConsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 28A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF32N20CONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17.8A; Idm: 112A; 50W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 17.8A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF32N20ConsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 28A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 25 V
на замовлення 1571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
247+85.89 грн
Мінімальне замовлення: 247 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF32N20C
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF32N20Consemi / FairchildMOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF33N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 18A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF33N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF33N10
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF33N10onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.63 грн
10+113.78 грн
250+93.36 грн
500+57.83 грн
1000+49.05 грн
10000+47.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF33N10
Код товару: 42633
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF33N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF33N10LFAIRCHIL09+ SOT263
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF33N10Lonsemi / FairchildMOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 19653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.93 грн
10+120.18 грн
100+84.30 грн
500+69.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF33N10L
Код товару: 88710
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF33N10LONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF33N10L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.039 ohm, TO-220F
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 18
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 41
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 41
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+129.24 грн
10+107.30 грн
100+82.91 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF33N10LonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 18A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF33N10LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF34N20onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 17.5A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 8.75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF34N20Fairchild
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF34N20LFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 17.5A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 8.75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
243+93.04 грн
Мінімальне замовлення: 243 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF34N20LONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF34N20L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF34N20LFAIRCHILDFQPF34N20L
на замовлення 764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+132.01 грн
500+126.11 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N25ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 2.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
809+43.71 грн
1000+41.29 грн
Мінімальне замовлення: 809 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N25
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N25FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 250V 2.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail
на замовлення 71800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
664+53.30 грн
1000+49.15 грн
10000+43.83 грн
Мінімальне замовлення: 664 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N25onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 2.3A TO220F
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N25FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 250V 2.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
664+53.30 грн
1000+49.15 грн
10000+43.83 грн
100000+35.41 грн
Мінімальне замовлення: 664 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N25onsemi / FairchildMOSFET 250V N-Channel QFET
на замовлення 631 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N25FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 250V 2.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
664+53.30 грн
1000+49.15 грн
Мінімальне замовлення: 664 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N30onsemiDescription: MOSFET N-CH 300V 1.95A TO220F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N40FAIRCHILDFQPF3N40
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
790+44.82 грн
Мінімальне замовлення: 790 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N40Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 400V 1.6A TO220F
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 800mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
на замовлення 1544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
683+31.81 грн
Мінімальне замовлення: 683 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N40ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF3N40 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
822+37.96 грн
Мінімальне замовлення: 822 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N50CFAIRCHILDFQPF3N50C
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
440+80.42 грн
500+76.99 грн
1000+72.71 грн
Мінімальне замовлення: 440 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N50CFAIRCHILDFQPF3N50C
на замовлення 17479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
440+80.42 грн
500+76.99 грн
1000+72.71 грн
Мінімальне замовлення: 440 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N50CFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 3A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 20381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
398+54.64 грн
Мінімальне замовлення: 398 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N50CONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF3N50C - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 20381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
479+65.19 грн
Мінімальне замовлення: 479 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N50CFAIRCHILDFQPF3N50C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
440+80.42 грн
500+76.99 грн
1000+72.71 грн
Мінімальне замовлення: 440 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N50CFAIRCHILDFQPF3N50C
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
440+80.42 грн
500+76.99 грн
Мінімальне замовлення: 440 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N50CFAIRCHILD06+
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N60Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 2A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+48.63 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N60onsemi / FairchildMOSFETs 600V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
574+61.67 грн
1000+56.87 грн
Мінімальне замовлення: 574 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N60
на замовлення 87090 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80ON SemiconductorFQPF3N80
на замовлення 1694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+107.44 грн
500+96.69 грн
1000+89.18 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80FAIRCHILD2002 TO-220F
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF3N80 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
465+67.14 грн
Мінімальне замовлення: 465 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80ON SemiconductorFQPF3N80
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+107.44 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80onsemi / FairchildMOSFETs 800V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 900mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 3682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
263+77.17 грн
Мінімальне замовлення: 263 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80ON SemiconductorFQPF3N80
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+107.44 грн
500+96.69 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80onsemiMOSFETs 800V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+122.58 грн
500+110.32 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 16810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+122.58 грн
500+110.32 грн
1000+101.74 грн
10000+87.47 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80ConsemiMOSFETs 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
на замовлення 1739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+183.70 грн
10+86.53 грн
100+68.91 грн
500+55.95 грн
1000+52.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80CONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+127.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 3004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.61 грн
10+91.07 грн
100+86.78 грн
500+79.34 грн
1000+65.74 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 8200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+122.58 грн
500+110.32 грн
1000+101.74 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+122.58 грн
500+110.32 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+122.58 грн
500+110.32 грн
1000+101.74 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+120.66 грн
156+91.11 грн
163+86.81 грн
500+79.38 грн
1000+65.78 грн
Мінімальне замовлення: 118 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+122.58 грн
500+110.32 грн
1000+101.74 грн
10000+87.47 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80CONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF3N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 4 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 3
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 39
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.56 грн
10+122.74 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80ConsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 3A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 25 V
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.14 грн
50+83.93 грн
100+75.50 грн
500+56.97 грн
1000+52.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 68579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+122.58 грн
500+110.32 грн
1000+101.74 грн
10000+87.47 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80C
Код товару: 188274
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80CYDTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 3A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80CYDTUONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF3N80CYDTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
509+61.37 грн
Мінімальне замовлення: 509 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80CYDTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
361+98.11 грн
Мінімальне замовлення: 361 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80CYDTUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 3A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 25 V
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
288+70.15 грн
Мінімальне замовлення: 288 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80CYDTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
361+98.11 грн
500+88.30 грн
Мінімальне замовлення: 361 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N90ON SemiconductorFQPF3N90
на замовлення 3838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+169.72 грн
500+153.22 грн
1000+141.44 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N90ON SemiconductorFQPF3N90
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+169.72 грн
500+153.22 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N90onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 2.1A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N90onsemi / FairchildMOSFET 900V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N90
Код товару: 88432
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N90ON SemiconductorFQPF3N90
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+169.72 грн
500+153.22 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N90Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 900V 2.1A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 53159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
201+100.85 грн
Мінімальне замовлення: 201 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N90onsemiMOSFETs 900V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N90ON SemiconductorFQPF3N90
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+169.72 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N90_NLonsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 2.1A TO220F
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25Ohm @ 1.05A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N90_NLonsemi / FairchildMOSFET Trans MOS N-Ch 900V 2.1A 3-Pin 3+Tab
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3P20FAIRCHILDFQPF3P20
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
902+39.22 грн
1000+36.17 грн
Мінімальне замовлення: 902 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3P20Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 200V 2.2A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
952+23.14 грн
Мінімальне замовлення: 952 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3P20ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF3P20 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1145+27.23 грн
Мінімальне замовлення: 1145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3P20FAIRCHILDFQPF3P20
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
902+39.22 грн
1000+36.17 грн
Мінімальне замовлення: 902 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3P50
Код товару: 130288
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3P50FAIRCHILD
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3P50Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 500V 1.9A TO-220F
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF44N08Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 25A TO-220F
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF44N08TFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 25A TO-220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 25 V
на замовлення 2667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+71.23 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF44N08TFAIRCHILD2002 TO-220F
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF44N08TONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF44N08T - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
501+62.26 грн
Мінімальне замовлення: 501 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF44N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 27A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF44N10FAIRCHIL08+ CDIP-14
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF45N15V2ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF45N15V2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 45 A, 0.034 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 45
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 66
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.034
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF45N15V2ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF45N15V2onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 45A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 22.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17  [ Наступна Сторінка >> ]