Продукція > FQP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FQPF3N60Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 2A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+50.15 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N60FAIRCHILDFQPF3N60
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
574+61.67 грн
1000+56.87 грн
Мінімальне замовлення: 574 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80ON SemiconductorFQPF3N80
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+107.44 грн
500+96.69 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
на замовлення 3682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
263+77.17 грн
Мінімальне замовлення: 263 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80ON SemiconductorFQPF3N80
на замовлення 1694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+107.44 грн
500+96.69 грн
1000+89.18 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80onsemi / FairchildMOSFETs 800V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF3N80 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 465 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80ON SemiconductorFQPF3N80
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+107.44 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80onsemiMOSFETs 800V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80CFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 68579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
276+128.47 грн
500+115.63 грн
1000+106.63 грн
10000+91.68 грн
Мінімальне замовлення: 276 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 3528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+121.30 грн
156+90.82 грн
158+89.91 грн
161+85.21 грн
500+71.48 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80ConsemiMOSFETs 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80CONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF3N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 4 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 3
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 39
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80CFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 16805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
276+128.47 грн
500+115.63 грн
1000+106.63 грн
10000+91.68 грн
Мінімальне замовлення: 276 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80ConsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 3A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 25 V
на замовлення 1022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.06 грн
10+112.76 грн
50+86.17 грн
100+72.81 грн
500+58.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80CFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 8200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
276+128.47 грн
500+115.63 грн
1000+106.63 грн
Мінімальне замовлення: 276 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 3534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.43 грн
10+90.17 грн
50+89.26 грн
100+84.60 грн
500+70.96 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80C
Код товару: 188274
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80CONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+158.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80CFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
276+128.47 грн
500+115.63 грн
1000+106.63 грн
10000+91.68 грн
Мінімальне замовлення: 276 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80CFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
276+128.47 грн
500+115.63 грн
Мінімальне замовлення: 276 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80CFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
276+128.47 грн
500+115.63 грн
1000+106.63 грн
Мінімальне замовлення: 276 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
276+128.47 грн
500+115.63 грн
Мінімальне замовлення: 276 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80CYDTUFAIRCHILDFQPF3N80CYDTU
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
361+98.11 грн
500+88.30 грн
Мінімальне замовлення: 361 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80CYDTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 3A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80CYDTUONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF3N80CYDTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 509 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80CYDTUFAIRCHILDFQPF3N80CYDTU
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
361+98.11 грн
Мінімальне замовлення: 361 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80CYDTUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 3A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 25 V
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
288+71.28 грн
Мінімальне замовлення: 288 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N90ON SemiconductorFQPF3N90
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+169.72 грн
500+153.22 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N90Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 900V 2.1A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 53159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
201+100.85 грн
Мінімальне замовлення: 201 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N90
Код товару: 88432
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N90ON SemiconductorFQPF3N90
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+169.72 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N90onsemi / FairchildMOSFET 900V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N90ON SemiconductorFQPF3N90
на замовлення 3838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+169.72 грн
500+153.22 грн
1000+141.44 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N90ON SemiconductorFQPF3N90
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+169.72 грн
500+153.22 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N90onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 2.1A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N90onsemiMOSFETs 900V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N90_NLonsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 2.1A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N90_NLonsemi / FairchildMOSFET Trans MOS N-Ch 900V 2.1A 3-Pin 3+Tab
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3P20ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF3P20 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3P20FAIRCHILDFQPF3P20
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
902+39.22 грн
1000+36.17 грн
Мінімальне замовлення: 902 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3P20FAIRCHILDFQPF3P20
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
902+39.22 грн
1000+36.17 грн
Мінімальне замовлення: 902 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3P20Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 200V 2.2A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 3985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
649+31.60 грн
Мінімальне замовлення: 649 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3P50FAIRCHILD
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3P50Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 500V 1.9A TO-220F
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3P50
Код товару: 130288
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF44N08Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 25A TO-220F
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF44N08TFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 25A TO-220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 25 V
на замовлення 2667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+71.23 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF44N08TONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF44N08T - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 501 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF44N08TFAIRCHILDFQPF44N08T
на замовлення 2667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
355+99.66 грн
500+89.70 грн
1000+82.72 грн
Мінімальне замовлення: 355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF44N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 27A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF44N10FAIRCHIL08+ CDIP-14
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF45N15V2ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF45N15V2ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 31A; Idm: 180A; 66W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 31A
Power dissipation: 66W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 180A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF45N15V2onsemi / FairchildMOSFETs N-CH/150V/45A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF45N15V2ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF45N15V2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 45 A, 0.034 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 45
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 66
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.034
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF45N15V2ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+219.09 грн
10+193.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF45N15V2onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 45A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF46N15onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 25.6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF46N15ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF46N15 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 292 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF46N15FAIRCHILDFQPF46N15
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+170.90 грн
500+154.40 грн
1000+141.44 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF46N15Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 25.6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
на замовлення 6151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
243+89.73 грн
Мінімальне замовлення: 243 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF46N15FAIRCHILDFQPF46N15
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+170.90 грн
500+154.40 грн
1000+141.44 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF46N15FAIRCHILDFQPF46N15
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+170.90 грн
500+154.40 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF46N15FAIRCHILDFQPF46N15
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+170.90 грн
500+154.40 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF47P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+397.09 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF47P06onsemiMOSFETs 60V P-Channel QFET
на замовлення 7420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF47P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+297.33 грн
86+165.74 грн
100+153.26 грн
500+137.02 грн
1000+122.67 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF47P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF47P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+362.41 грн
79+180.09 грн
100+174.07 грн
500+146.69 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF47P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF47P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+180.28 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF47P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF47P06onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 30A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
на замовлення 6196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+322.93 грн
10+205.45 грн
50+160.07 грн
100+136.51 грн
500+112.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF47P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+159.54 грн
100+149.64 грн
500+137.95 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF47P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+180.28 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF47P06ONSEMICategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -21.2A; 62W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -21.2A
Power dissipation: 62W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+218.89 грн
3+206.31 грн
10+158.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF47P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF47P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+394.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF47P06YDTUonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 30A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF47P06YDTUON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF47P06YDTUON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF47P06YDTUonsemi / FairchildMOSFET -60V -30A P-Channel
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF47P06YDTUONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF47P06YDTU - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 30 A, 0.026 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 30
Verlustleistung Pd: 62
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 62
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N20FAIRCHILDFQPF4N20
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
971+36.43 грн
1053+33.60 грн
Мінімальне замовлення: 971 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N20ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF4N20 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N20FAIRCHILDFQPF4N20
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
971+36.43 грн
1053+33.60 грн
Мінімальне замовлення: 971 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N20Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 2.8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V
на замовлення 15902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
699+31.70 грн
Мінімальне замовлення: 699 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N20FAIRCHILDFQPF4N20
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
971+36.43 грн
1053+33.60 грн
Мінімальне замовлення: 971 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N20LonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N25onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 2.8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N50Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 2.3A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
634+34.87 грн
Мінімальне замовлення: 634 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N60Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 2.6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 4775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
293+70.08 грн
Мінімальне замовлення: 293 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N60FAIRCHILDFQPF4N60
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+96.53 грн
500+86.88 грн
Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N60onsemiMOSFETs 600V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N60FAIRCHILDFQPF4N60
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+96.53 грн
500+86.88 грн
1000+80.13 грн
Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N60FAIRCHILDFQPF4N60
на замовлення 2028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+96.53 грн
500+86.88 грн
1000+80.13 грн
Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N60CFAIRCHILD
на замовлення 88800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.