Продукція > IPB
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPB05N03LB G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 80A D2PAK-2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB05N03LB G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB05N03LB G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB05N03LB G | INF | TO-263 | на замовлення 32000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB05N03LE3045A | INFINEON | 03+ TO-263 | на замовлення 650 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB05N06L | infineon | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB05N06LG | infineon | to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB060N15N5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 136A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB060N15N5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB060N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 136 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 136A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V Verlustleistung: 250W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm | на замовлення 514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB060N15N5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 136A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB060N15N5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 136A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB060N15N5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 136A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 68A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 180µA Supplier Device Package: PG-TO263-7-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 75 V | на замовлення 2267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB060N15N5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 136A; 250W; TO263-7 Transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 136A Power dissipation: 250W Case: TO263-7 On-state resistance: 4.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 68nC Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB060N15N5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB060N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 136 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 136A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V Verlustleistung: 250W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm | на замовлення 514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB060N15N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS | на замовлення 149 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB060N15N5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 136A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB060N15N5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 136A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 68A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 180µA Supplier Device Package: PG-TO263-7-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 75 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB060N15N5E8187ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB065N03L G | INF | TO-263 | на замовлення 62000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB065N03L G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3 | на замовлення 1810 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB065N03LG | INF | 08+ | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB065N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3 | на замовлення 182 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB065N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB065N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 12345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB065N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V | на замовлення 333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB065N06L G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB065N06L G | INF | TO-263 | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB065N06L G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 80A D2PAK-2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB065N06LG | infineon | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB065N06LG | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB065N10N3G | UMW | Description: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V | на замовлення 777 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB065N10N3G | UMW | Description: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB065N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH >=100V | на замовлення 1002 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB065N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB065N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 7499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB065N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB065N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 12307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB065N15N3 G | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 130A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB065N15N3 G | Infineon | на замовлення 19000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPB065N15N3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 150V 130A D2PAK-6 OptiMOS 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB065N15N3G | Infineon technologies | на замовлення 845 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPB065N15N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 130A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB065N15N3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 75 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB065N15N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 150V 130A D2PAK-6 OptiMOS 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB065N15N3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB065N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB065N15N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 130A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB065N15N3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 300W; PG-TO263-3 Transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 130A Power dissipation: 300W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB065N15N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 130A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB065N15N3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB065N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB065N15N3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 75 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB065N15N3GE8187ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO263-7 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB067N08N3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 80V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3 | на замовлення 1896 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB067N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 13000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB067N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 73A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB067N08N3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 80A; 136W; PG-TO263-3 Transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 80A Power dissipation: 136W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.7mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB067N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB067N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 73A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB068N20NM6 | Infineon Technologies | IFX FET >150 - 400V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB068N20NM6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB068N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 134 A, 6300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 134A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 15V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm | на замовлення 292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB068N20NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 15.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB068N20NM6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET >150 - 400V | на замовлення 3824 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB068N20NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 15.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB068N20NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 134A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 100A, 15V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 258µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 100 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB068N20NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 15.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB068N20NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 15.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB068N20NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 15.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB068N20NM6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB068N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 134 A, 6300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 134A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 15V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm | на замовлення 292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB068N20NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 15.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB068N20NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 15.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB068N20NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 134A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 100A, 15V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 258µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 100 V | на замовлення 6025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB068N20NM6ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 134A; Idm: 536A Transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 134A Pulsed drain current: 536A Power dissipation: 300W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 73nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB068N20NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 15.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB06CN10N G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB06CN10NG | infineon | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB06CNE8NG | infineon | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB06N03 | INFINEON | TO-263 | на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB06N03LA | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB06N03LA | infineon | to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB06N03LA | Infineon Technologies | MOSFET N-KANAL POWER MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB06N03LA G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 25V 50A D2PAK-2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB06N03LA G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3 Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB06N03LAG | infineon | to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB06N03LAT | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA Power Dissipation (Max): 83W (Tc) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB06N03LAT | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB06N03LB | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB06N03LB | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2782 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB06N03LB | infineon | to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB06N03LB G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2782 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB06N03LB G | INF | TO-263 | на замовлення 40000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB06N03LBG | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB06P001LATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 100A TO263-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB06P001LATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB070N06L G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 80A D2PAK-2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB070N06L G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB070N06LG | infineon | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB070N06LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB070N06N G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHAN D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB070N06NG | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB070N06NG | infineon | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB070N06NGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |