Продукція > IPB

MOSFETs N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2

на замовлення 1882 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	209.40 грн
10+	133.37 грн
100+	80.08 грн
500+	64.68 грн
1000+	58.13 грн
2000+	57.16 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB100N06S03-03

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB100N06S2-05

MOSFET N-Ch 55V 100A D2PAK-2 OptiMOS

на замовлення 330 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB100N06S205ATMA1

Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB100N06S205ATMA4

MOSFET MOSFET_)40V 60V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB100N06S205ATMA4

Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB100N06S205ATMA4

Description: INFINEON - IPB100N06S205ATMA4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 100 A, 0.0037 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 898 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	113.56 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB100N06S205ATMA4

Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V

на замовлення 23000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

139+	159.73 грн

Мінімальне замовлення: 139 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB100N06S205ATMA4

Trans MOSFET N-CH 55V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB100N06S205ATMA4

на замовлення 898 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	113.56 грн

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB100N06S205ATMA4

Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB100N06S205ATMA4

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 100A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB100N06S205ATMA4

Trans MOSFET N-CH 55V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB100N06S2L-05

MOSFET N-Ch 55V 100A D2PAK-2 OptiMOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB100N06S2L05ATMA1

Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB100N06S2L05ATMA2

Trans MOSFET N-CH 55V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	448.59 грн
10+	400.87 грн
25+	388.96 грн
100+	311.65 грн
250+	277.51 грн
500+	231.98 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB100N06S2L05ATMA2

Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB100N06S2L05ATMA2

MOSFET MOSFET_)40V 60V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB100N06S2L05ATMA2

Trans MOSFET N-CH 55V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	448.59 грн
36+	400.87 грн
37+	388.96 грн
100+	311.65 грн
250+	277.51 грн
500+	231.98 грн

Мінімальне замовлення: 32 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB100N06S2L05ATMA2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 100A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 170nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB100N06S2L05ATMA2

Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB100N06S2L05ATMA2

Trans MOSFET N-CH 55V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB100N06S2L05ATMA2

Trans MOSFET N-CH 55V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 11000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	229.34 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB100N06S3-03

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB100N06S3-03

Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21620 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 480 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB100N06S3-04

Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14230 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 314 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk

на замовлення 642 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

224+	89.89 грн

Мінімальне замовлення: 224 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB100N06S3-04

Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14230 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 314 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB100N06S3L-03

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB100N06S3L-03

Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3-2
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26240 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 550 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 230µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB100N06S3L-03

Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3-2
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26240 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 550 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 230µA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB100N06S3L-04

Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 362 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB100N06S3L-04

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB100N08S2-03

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB100N08S2-07

MOSFET N-Ch 75V 100A D2PAK-2 OptiMOS

на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	333.43 грн
10+	295.33 грн
100+	210.55 грн
500+	178.80 грн
1000+	151.18 грн
2000+	143.59 грн
5000+	142.90 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB100N08S207ATMA1

Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB100N08S207ATMA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB100N08S207ATMA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB100N08S207ATMA1

Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7012 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

115+	172.99 грн

Мінімальне замовлення: 115 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB100N08S2L-07

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB100N08S2L-07

MOSFET N-Ch 75V 100A D2PAK-2 OptiMOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB100N08S2L07ATMA1

MOSFET N-Ch 75V 100A D2PAK-2 OptiMOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB100N08S2L07ATMA1

Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 246 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB100N08S2L07ATMA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 5000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB100N08S2L07ATMA1

Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 246 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 425 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

110+	181.64 грн

Мінімальне замовлення: 110 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB100N08S2L07ATMA1

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB100N10S3-05

MOSFETs N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T

на замовлення 375 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	471.16 грн
10+	312.00 грн
100+	196.75 грн
500+	183.63 грн
1000+	173.28 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB100N10S3-05(транзистор)
Код товару: 94630

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB100N10S305ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 100V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB100N10S305ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB100N10S305ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB100N10S305ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)

на замовлення 924 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	528.11 грн
10+	341.85 грн
100+	247.22 грн
500+	194.16 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB100N10S305ATMA2

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB100N10S305ATMA2

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB100N12S305ATMA1

Description: MOSFET N-CH 120V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	182.82 грн
2000+	165.77 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB100N12S305ATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB100N12S305ATMA1

Description: INFINEON - IPB100N12S305ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 0.004 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	253.70 грн
10+	204.57 грн
100+	169.94 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB100N12S305ATMA1

Description: MOSFET N-CH 120V 100A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V

на замовлення 3860 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	353.37 грн
10+	285.91 грн
100+	231.31 грн
500+	192.95 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB100N12S305ATMA1

MOSFETs N-CHANNEL 100+

на замовлення 468 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	287.53 грн
10+	210.38 грн
100+	166.37 грн
500+	163.61 грн
1000+	138.07 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB100N12S305ATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB100N12S305ATMA1

Description: INFINEON - IPB100N12S305ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 0.004 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 788 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	236.79 грн
500+	201.92 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB100N12S305ATMA2

Description: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB100N12S305ATMA2

MOSFETs MOSFET_(120V 300V)

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB100P03P3L-04

SHENZHEN YANGXING TECHNOLOGY CO., LTD.

Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 475µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB107N20N3

IPB107N20N3

на замовлення 20400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	454.76 грн
1000+	425.85 грн
1500+	406.05 грн
2000+	349.10 грн

Мінімальне замовлення: 500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB107N20N3 G

MOSFETs N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 3778 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	493.71 грн
10+	377.10 грн
1000+	327.91 грн
5000+	160.85 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB107N20N3 G

Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	838.23 грн
25+	799.54 грн
50+	767.36 грн
100+	713.87 грн
250+	640.48 грн
500+	598.02 грн
1000+	583.50 грн

Мінімальне замовлення: 17 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB107N20N3G

Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 11mOhm; 88A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPB107N20N3GATMA1; IPB107N20N3G INFINEON TIPB107n20n3g
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 15 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	333.68 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB107N20N3GATMA1

MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3 Транзистори

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB107N20N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2689 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

40+	359.62 грн

Мінімальне замовлення: 40 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB107N20N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB107N20N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0107 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm

на замовлення 6146 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	558.14 грн
10+	365.65 грн
50+	317.33 грн
200+	249.79 грн
500+	211.24 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB107N20N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V

на замовлення 4330 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	409.29 грн
10+	264.15 грн
100+	190.81 грн
500+	178.45 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB107N20N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB107N20N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	191.44 грн
7+	118.60 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB107N20N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB107N20N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	187.15 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB107N20N3GATMA1

MOSFETs N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 5460 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	486.46 грн
10+	320.73 грн
100+	223.67 грн
500+	198.82 грн
1000+	176.04 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB107N20N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 23000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	225.80 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB107N20N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB107N20N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0107 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 981 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	259.34 грн
200+	210.90 грн
500+	193.99 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB107N20N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 10.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 88A
Drain-source voltage: 200V
Power dissipation: 300W
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB107N20N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 23000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	225.14 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB107N20NA

MOSFETs N-Ch 200V 88A D2PAK-2

на замовлення 4497 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	652.37 грн
10+	513.65 грн
25+	403.16 грн
100+	357.60 грн
250+	336.20 грн
500+	321.01 грн
1000+	309.96 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB107N20NAATMA1

на замовлення 655 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

1+	459.97 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB107N20NAATMA1

Description: INFINEON - IPB107N20NAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0107 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 661 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	658.01 грн
5+	555.72 грн
10+	452.63 грн
50+	407.59 грн
100+	279.59 грн
250+	274.07 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB107N20NAATMA1

Description: MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 185 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	643.05 грн
10+	426.14 грн
100+	316.83 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB107N20NAATMA1

Description: MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB107N20NAATMA1

MOSFETs Mosfet, DCtoDC Nchannel 200V

на замовлення 86 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	613.71 грн
10+	418.38 грн
100+	291.32 грн
500+	280.28 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB107N20NAATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 176 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	749.38 грн
32+	447.93 грн
50+	439.42 грн
100+	404.60 грн

Мінімальне замовлення: 19 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB107N20NAATMA1

Description: INFINEON - IPB107N20NAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0107 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 721 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	417.20 грн
50+	370.94 грн
100+	311.34 грн
250+	305.13 грн

Мінімальне замовлення: 10 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB107N20NAXT

MOSFETs N-Ch 200V 88A D2PAK-2

на замовлення 3837 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	732.91 грн
10+	510.47 грн
100+	370.02 грн
500+	329.29 грн
1000+	312.03 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB108N15N3 G
Код товару: 160753

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB108N15N3 G

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB108N15N3 G

MOSFETs N-Ch 150V 83A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 2619 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	343.90 грн
10+	222.29 грн
100+	143.59 грн
500+	120.81 грн
1000+	111.84 грн
2000+	104.24 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB108N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 33 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	144.10 грн
10+	126.03 грн
25+	91.01 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB108N15N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB108N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 83 A, 0.0108 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm

на замовлення 1034 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	276.25 грн
10+	173.97 грн
100+	140.94 грн
500+	110.68 грн
1000+	95.27 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB108N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

213+	166.56 грн
500+	157.11 грн
1000+	148.84 грн
10000+	134.41 грн

Мінімальне замовлення: 213 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB108N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	130.67 грн
2000+	115.08 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB108N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 33 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB108N15N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB108N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 83 A, 0.0108 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm

на замовлення 1034 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	140.94 грн
500+	110.68 грн
1000+	95.27 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB108N15N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 83A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 75 V

на замовлення 4534 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	274.93 грн
10+	174.03 грн
100+	122.48 грн
500+	103.81 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB108N15N3GATMA1