Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 22 44 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRF250MEXMOT9418+ DIP-2
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF250N
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF250NPBFir09= QFN
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF250P224Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+429.45 грн
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF250P224INFINEONDescription: INFINEON - IRF250P224 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 128 A, 0.012 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+634.62 грн
5+628.10 грн
10+620.77 грн
50+350.24 грн
100+273.03 грн
250+267.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF250P224International Rectifier HiRel ProductsIRF250P224
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+526.84 грн
100+500.85 грн
500+473.68 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF250P224
Код товару: 177313
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF250P224Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+814.59 грн
50+804.20 грн
100+509.36 грн
200+413.71 грн
400+361.12 грн
800+336.96 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF250P224Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+430.25 грн
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF250P224INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 250V; 68A; 313W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: StrongIRFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 68A
Power dissipation: 313W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 203nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF250P224Infineon TechnologiesMOSFETs IFX OPTIMOS
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+669.65 грн
10+632.78 грн
25+365.20 грн
100+308.64 грн
400+307.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF250P224Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1046.49 грн
27+538.37 грн
50+517.86 грн
100+482.42 грн
250+433.13 грн
500+404.50 грн
1000+394.60 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF250P224Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 96A TO247AC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9915 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 58A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+586.03 грн
25+359.74 грн
100+303.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF250P225Infineon TechnologiesMOSFETs IFX OPTIMOS
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+529.53 грн
10+399.10 грн
25+258.36 грн
400+233.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF250P225Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+724.21 грн
50+689.02 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF250P225Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 69A TO247AC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 41A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4897 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF250P225International RectifierN-MOSFET 250V 69A IRF250P225 TIRF250P225
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+353.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF250P225INFINEONDescription: INFINEON - IRF250P225 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 69 A, 0.018 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+531.97 грн
5+469.24 грн
10+406.51 грн
50+254.93 грн
100+233.22 грн
250+228.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF250P225Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+418.16 грн
100+396.90 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2526IR01+
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF253International RectifierDescription: MOSFET N-CH 150V 25A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Power Dissipation (Max): 150W
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF260N
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF260N(Транзистор)
Код товару: 47822
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804International RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2,3mOhm; 270A; 300W; -55°C ~ 175°C; IRF2804 TIRF2804
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+121.44 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804 PBF
Код товару: 23326
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 40 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,002 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 6450/160
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+54.00 грн
10+46.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804LIR
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804LPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+319.34 грн
10+206.38 грн
100+134.07 грн
500+116.61 грн
1000+98.46 грн
2000+97.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+167.74 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804LPBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804PBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+132.71 грн
116+122.40 грн
117+121.18 грн
500+98.26 грн
1000+89.61 грн
2000+82.17 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.27 грн
50+102.01 грн
100+100.99 грн
500+87.29 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF2804PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 280 A, 2300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 280A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 1106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+199.59 грн
10+122.20 грн
100+104.28 грн
500+80.94 грн
1000+69.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 2.3mΩ
на замовлення 680 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+205.47 грн
10+121.03 грн
50+100.86 грн
100+93.30 грн
250+83.21 грн
500+77.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.10 грн
50+118.01 грн
100+116.83 грн
500+100.98 грн
1000+92.54 грн
2000+86.13 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+107.27 грн
139+102.01 грн
141+100.99 грн
500+87.29 грн
Мінімальне замовлення: 133 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+262.06 грн
57+252.08 грн
100+243.53 грн
250+227.70 грн
500+205.10 грн
1000+192.08 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg
на замовлення 3627 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+265.58 грн
10+170.24 грн
100+104.04 грн
500+87.28 грн
1000+80.30 грн
2000+75.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 75 А, Ptot, Вт = 300, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 6450 @ 25, Qg, нКл = 240 @ 10 В, Rds = 2,3 мОм @ 75 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+123.78 грн
121+117.72 грн
122+116.54 грн
500+100.73 грн
1000+92.31 грн
2000+85.91 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+160.65 грн
500+144.11 грн
1000+133.48 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
на замовлення 3650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.60 грн
50+109.96 грн
100+99.28 грн
500+75.59 грн
1000+69.94 грн
2000+65.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804S
Код товару: 99462
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 40 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 2,0 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 6450/160
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+54.00 грн
10+46.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804S-7P
Код товару: 99463
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK-7 (TO-263-7)
Uds,V: 40 V
Idd,A: 160 A
Rds(on), Ohm: 1,6 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 6930/170
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+91.50 грн
10+77.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804S-7PIR
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804S-7PPBFInfineon / IRMOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 1.6mOhms 170nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804S-7PPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 160A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6930 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804S-7PPBFInternational RectifierD2PAK-7 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804S-7PPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 320A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804SPBFIRF2804S Транзисторы Прочие
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+389.60 грн
10+351.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804SPBFInternational RectifierTO-263 (D2Pak) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804SPBFInfineon TechnologiesMOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 2.3mOhms 160nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804SPBF-IRInternational RectifierDescription: HEXFET POWER MOSFET
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 75A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRL
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRLInfineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRL-7PInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 160A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6930 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRL7PPInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 40V 320A 1.6mOhm 170nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRL7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 160A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6930 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 320A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+76.56 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRL7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 160A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6930 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRL7PPINFINEONDescription: INFINEON - IRF2804STRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 1600 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+145.01 грн
500+114.98 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRL7PPInfineonN-Channel 40 V 160A (Tc) 330W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRL7PPINFINEONDescription: INFINEON - IRF2804STRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 1600 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+270.47 грн
10+191.44 грн
100+145.01 грн
500+114.98 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRL7PPINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 320A; 330W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 320A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF2804STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+237.88 грн
10+155.60 грн
100+108.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
на замовлення 1185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.74 грн
10+152.58 грн
100+106.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+103.03 грн
1600+102.01 грн
2400+100.98 грн
4000+96.40 грн
5600+88.37 грн
8000+83.99 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRLPBFInternational RectifierD2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 550 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+234.44 грн
10+145.41 грн
20+131.12 грн
50+114.31 грн
100+103.38 грн
200+94.98 грн
500+88.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+271.28 грн
10+174.25 грн
100+105.44 грн
500+83.79 грн
800+77.51 грн
2400+75.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+85.12 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF2804STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+108.35 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+112.69 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRR7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 160A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6930 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+389.41 грн
10+251.34 грн
100+163.40 грн
500+136.86 грн
800+126.39 грн
2400+119.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805IR09+ SMD
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805
Код товару: 4025
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805International RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 4,7Ohm; 175A; 330W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IRF2805L; IRF2805; IRF2805 TIRF2805
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+91.02 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 135A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 104A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+142.50 грн
101+141.07 грн
119+119.49 грн
500+103.42 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+106.16 грн
2000+96.97 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 104A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V
на замовлення 4424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+266.30 грн
50+128.21 грн
100+115.73 грн
500+88.07 грн
1000+81.48 грн
2000+75.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBFInternational RectifierMOSFET N-CN, Udss=55V, Id=75A, Rds(on)=4.7mOhm, TO-220AB, -55...+175 Транзистори
на замовлення 25 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
4+84.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF2805PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 175 A, 4700 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+277.80 грн
10+140.12 грн
100+127.09 грн
500+95.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+145.73 грн
99+144.28 грн
118+120.77 грн
500+103.88 грн
1000+95.22 грн
2000+81.02 грн
5000+80.22 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+146.22 грн
50+144.76 грн
100+121.18 грн
500+104.23 грн
1000+95.54 грн
2000+81.30 грн
5000+80.49 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 22 44 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]