Продукція > STD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 20 25 30 35 40 45 50 53  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STD10150TRSTMicroelectronicsДіод Шотткі smd, Io, A = 10, Uзвор, В = 150, Uf (max), В = 1,2, If, А = 10, Тексп, °С = -55...+150, Темп.опір,°C/Вт = 2, I, мкА @ Ur, В = 150 @ 150,... Діоди Корпус: DPAK-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 554 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2500+26.25 грн
5000+24.49 грн
Мінімальне замовлення: 554 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10150TRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 150V DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 150 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.25 грн
20+22.79 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1016T4
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1017
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1017T4
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD102-00
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD10200CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SMD; 200V; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DPAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 10A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.73V
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD1028T4onsemiDescription: NFET DPAK SPCL 60V TR
Packaging: Bulk
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
333+66.05 грн
Мінімальне замовлення: 333 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1028T4
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD10300SMC Diode SolutionsDescription: 10A,300V,DPAK, TRENCH SCHOTTKY
Supplier Device Package: DPAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD10300SMC Diode SolutionsDescription: 10A,300V,DPAK, TRENCH SCHOTTKY
Supplier Device Package: DPAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1030PLSTM07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1045
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1045T4
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1047T4
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1047T4onsemiDescription: NFET DPAK SPCL 80V TR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD1048T4
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1056T4ONSEMIDescription: ONSEMI - STD1056T4 - N CHANNEL MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1233+30.64 грн
Мінімальне замовлення: 1233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1056T4SanyoDescription: N CHANNEL MOSFET
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1056T4-ONonsemiDescription: N CHANNEL MOSFET
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1057T4onsemiDescription: NFET DPAK SPCL 60V TR
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 361 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1057T4
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1059-001onsemiDescription: NFET DPAK SPECIAL
Packaging: Bulk
на замовлення 15225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1268+17.37 грн
Мінімальне замовлення: 1268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1059-001
на замовлення 15825 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD105N10F7AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 100 V, 6.8 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET i
на замовлення 3126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD105N10F7AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD105N10F7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+101.61 грн
500+87.56 грн
1000+73.85 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD105N10F7AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4369 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD105N10F7AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD105N10F7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.25 грн
50+129.24 грн
100+101.61 грн
500+87.56 грн
1000+73.85 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD105N10F7AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 80A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4369 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.63 грн
10+113.75 грн
100+78.23 грн
500+59.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1060SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 60V DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 850 µA @ 60 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1060SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 60V DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 850 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD1063T4
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1063T4onsemiDescription: NFET DPAK SPCL 500V TR
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1110+22.06 грн
Мінімальне замовлення: 1110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1065T4Rochester Electronics, LLCDescription: NFET DPAK SPECIAL
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 925 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1084T4
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD10LN80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 100 V
на замовлення 4378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.41 грн
10+152.01 грн
100+106.26 грн
500+87.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10LN80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10LN80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+79.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10LN80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ 8 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 2115 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD10LN80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10N10L
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD10N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 109W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD10N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 440 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
на замовлення 2098 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD10N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 109W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10N60DM2STMN-Channel 650V 8A (Tc) 109W (Tc) Surface Mount DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD10N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V
на замовлення 2029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.14 грн
10+73.14 грн
100+48.91 грн
500+36.16 грн
1000+33.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10N60M2STMMOSFET N-CH 600V DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD10N60M2STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.9A; 85W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 85W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2147 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+104.77 грн
10+72.12 грн
50+62.90 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+148.77 грн
100+142.11 грн
250+136.42 грн
500+126.79 грн
1000+113.58 грн
2500+105.81 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
на замовлення 9655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD10N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD10N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.5 A, 0.55 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 85W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
на замовлення 8501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+199.96 грн
10+129.24 грн
100+80.07 грн
500+56.99 грн
1000+48.56 грн
5000+45.08 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 520 mOhm typ., 6.4 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 6.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 338 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NF06LSTM07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NF06L-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NF06LT4
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NF06T4
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NF10STM07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NF10-1STM07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NF10-T4
на замовлення 58700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NF10-TR
на замовлення 58700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NF10LUMWDescription: MOSFET N-CH 100V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NF10LUMWDescription: MOSFET N-CH 100V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NF10LT4
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NF10T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD10NF10T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.38 грн
50+95.10 грн
100+63.73 грн
500+48.53 грн
1000+39.23 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NF10T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 13A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.54 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NF10T4STMN-кан. HEXFET Power MOSFET, 100V, D-Pak Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NF10T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD10NF10T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.73 грн
500+48.53 грн
1000+39.23 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+42.90 грн
349+40.54 грн
350+40.43 грн
500+33.87 грн
1000+29.89 грн
2000+28.59 грн
5000+26.27 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NF10T4
Код товару: 60161
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NF10T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 13A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.71 грн
5000+32.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+48.91 грн
25+48.57 грн
100+46.52 грн
250+42.78 грн
500+40.78 грн
1000+40.50 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
290+48.91 грн
292+48.57 грн
294+48.24 грн
296+46.20 грн
500+42.48 грн
1000+40.50 грн
Мінімальне замовлення: 290 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NF10T4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 100 Volt 10 Amp
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NF30
Код товару: 155803
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NF30STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD10NF30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 10 A, 0.33 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 103W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MESH OVERLAY Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.73 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NF30STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 300V 10A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.37 грн
10+113.51 грн
100+89.59 грн
500+73.87 грн
1000+56.09 грн
2500+50.64 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NF30STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 300V 10A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.95 грн
10+84.84 грн
100+57.33 грн
500+42.76 грн
1000+40.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NF30STMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 300 V, 280 mOhm typ., 10 A, STripFET II Power MOSFET
на замовлення 3414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NF30STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD10NF30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 10 A, 0.33 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 103W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MESH OVERLAY Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.62 грн
50+88.60 грн
100+63.73 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NF30STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 300V 10A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+113.51 грн
158+89.59 грн
500+76.60 грн
1000+60.57 грн
2500+52.75 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NF30STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 300V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 7A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NM50NSTMicroelectronics
на замовлення 2447 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NM60NSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2035 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+183.34 грн
10+114.06 грн
100+93.93 грн
500+88.06 грн
1000+83.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NM60NSTMicroelectronicsSTD10NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+116.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NM60NSTMicroelectronicsSTD10NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+116.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V Mdmesh 10A
на замовлення 3643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NM60NSTMicroelectronicsSTD10NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+86.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NM60NSTMicroelectronicsSTD10NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+86.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NM60NSTMicroelectronicsSTD10NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 4487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+120.15 грн
119+115.07 грн
250+106.19 грн
500+101.59 грн
1000+101.24 грн
3000+100.90 грн
Мінімальне замовлення: 118 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 20 25 30 35 40 45 50 53  [ Наступна Сторінка >> ]