Продукція > STG

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STGD5H60DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGD5H60DF - IGBT, 10 A, 1.5 V, 83 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: H
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 10A 83W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 134.5 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: DPAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/140ns
Switching Energy: 56µJ (on), 78.5µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 43 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 83 W
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.75 грн
10+57.21 грн
100+37.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5NB120SZSTMIGBT 1200V 5A DPAK Транзистори
на замовлення 5 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
4+222.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5NB120SZ-1STMicroelectronicsDescription: IGBT 1200V 10A TO-251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Td (on/off) @ 25°C: 690ns/12.1µs
Switching Energy: 2.59mJ (on), 9mJ (off)
Test Condition: 960V, 5A, 1kOhm, 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 10 A
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5NB120SZ-1STMicroelectronicsIGBT Transistors 5 A 1200V LOW DROP INTERN CLAMPED IGBT
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5NB120SZ-1
Код товару: 128569
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5NB120SZ-1STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5NB120SZT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 10A 75W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5NB120SZT4STMicroelectronicsIGBTs N-Ch 1200 Volt 5 Amp
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5NB120SZT4
Код товару: 35358
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
Напруга колектор-емітер Vces, В: 1200 В
Напруга насичення Vce, В: 1,2 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 10 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 5 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 55 Вт
товару немає в наявності
1+42.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5NB120SZT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 10A 75W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5NB120SZT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 1200V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 690ns/12.1µs
Switching Energy: 2.59mJ (on), 9mJ (off)
Test Condition: 960V, 5A, 1kOhm, 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 10 A
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5NB120SZT4STMicroelectronicsCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 75W; DPAK
Collector current: 5A
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 10A
Features of semiconductor devices: internally clamped
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 75W
Type of transistor: IGBT
на замовлення 422 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+162.87 грн
10+101.38 грн
25+85.59 грн
50+77.28 грн
100+68.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5NB120SZT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 1200V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 690ns/12.1µs
Switching Energy: 2.59mJ (on), 9mJ (off)
Test Condition: 960V, 5A, 1kOhm, 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 10 A
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: DPAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/90ns
Switching Energy: 36µJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 21.2 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 88 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 12A 88W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+34.40 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6M65DF2STMicroelectronicsCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 6A; 88W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 6A
Power dissipation: 88W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 24A
Mounting: SMD
Gate charge: 21.2nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 12A 88W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 12A 88W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+53.74 грн
16+47.80 грн
100+42.27 грн
500+36.45 грн
1000+32.37 грн
2500+29.48 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: DPAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/90ns
Switching Energy: 36µJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 21.2 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 88 W
на замовлення 3954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.93 грн
10+74.49 грн
100+49.88 грн
500+36.94 грн
1000+33.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 12A 88W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6M65DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss
на замовлення 2083 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6N60HD
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6NC60H-1STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 15A TO-251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/76ns
Switching Energy: 20µJ (on), 68µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 13.6 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A
Power - Max: 62.5 W
на замовлення 1549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.25 грн
75+56.34 грн
150+50.54 грн
525+39.68 грн
1050+36.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6NC60H-1STMicroelectronicsIGBTs N-channel 600 V, 7 A very fast IGBT
на замовлення 3046 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6NC60H-1STMicroelectronicsCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 62.5W; IPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 7A
Power dissipation: 62.5W
Case: IPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 21A
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+79.64 грн
7+66.48 грн
25+61.49 грн
75+59.00 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6NC60HDSTMicroelectronicsIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6NC60HDSTIGBT 600V 15A 56W   STGD6NC60HDT4 STMicroelectronics TSTGD6nc60hdt4
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 88 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+57.92 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6NC60HDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 15A 56W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6NC60HDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 15A 56W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6NC60HDT4STMIGBT 6A 600V DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6NC60HDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 15A 56W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6NC60HDT4STMicroelectronicsCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 56W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 56W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 21A
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 1598 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+103.81 грн
10+67.31 грн
75+54.01 грн
100+52.35 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6NC60HDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/76ns
Switching Energy: 20µJ (on), 68µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 13.6 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A
Power - Max: 56 W
на замовлення 1589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.26 грн
10+75.61 грн
100+50.52 грн
500+37.30 грн
1000+34.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6NC60HDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 15A 56W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6NC60HDT4STMicroelectronicsIGBTs PowerMESH" IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6NC60HDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 15A 56W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6NC60HDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/76ns
Switching Energy: 20µJ (on), 68µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 13.6 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A
Power - Max: 56 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6NC60HT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 15A 56W DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/76ns
Switching Energy: 20µJ (on), 68µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 13.6 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A
Power - Max: 56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD7NB120S-1STMicroelectronicsDescription: IGBT 1200V 10A 55W IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Td (on/off) @ 25°C: 570ns/-
Switching Energy: 15mJ (off)
Test Condition: 960V, 7A, 1kOhm, 15V
Gate Charge: 29 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 55 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD7NB120S-1
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD7NB120ST4STMicroelectronicsDescription: IGBT 1200V 10A 55W DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 570ns/-
Switching Energy: 3.2µJ (on), 15mJ (off)
Test Condition: 960V, 7A, 1kOhm, 15V
Gate Charge: 29 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 55 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD7NB60B
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD7NB60H-1
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD7NB60HT4STM07+ TO-252
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD7NB60KT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 14A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/50ns
Switching Energy: 95µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 32.7 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 70 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD7NB60SSTMicroelectronicsIGBTs N-Ch 600 Volt 7 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD7NB60SLT4STMicroelectronicsIGBTs IGBTs, 600V, IGBT & Power Bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD7NB60ST4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 15A 55W DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 700ns/-
Switching Energy: 3.5mJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 1kOhm, 15V
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 55 W
на замовлення 4122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.02 грн
10+132.37 грн
100+91.53 грн
500+69.49 грн
1000+67.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD7NB60ST4STMicroelectronicsCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 55W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2078 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+187.03 грн
10+122.98 грн
25+103.04 грн
50+91.41 грн
100+87.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD7NB60ST4STMicroelectronicsIGBTs N-Ch 600 Volt 7 Amp
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD7NB60ST4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 15A 55W DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 700ns/-
Switching Energy: 3.5mJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 1kOhm, 15V
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 55 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+64.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD7NB60ST4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 15A 55W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD7NB60ST4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 15A 55W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD7NC60H
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD7NC60HT4STMicroelectronicsIGBTs N-Ch 600 Volt 14 Amp
на замовлення 1426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD7NC60HT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 25A 70W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD7NC60HT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 25A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Td (on/off) @ 25°C: 18.5ns/72ns
Switching Energy: 95µJ (on), 115µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 35 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 70 W
на замовлення 4841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.31 грн
10+151.89 грн
100+105.78 грн
500+80.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD7NC60HT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 25A 70W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+115.72 грн
125+113.93 грн
127+112.14 грн
129+106.42 грн
250+96.95 грн
500+91.54 грн
1000+90.01 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD7NC60HT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGD7NC60HT4 - IGBT, 25 A, 1.85 V, 70 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerMESH
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD7NC60HT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 25A 70W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+85.05 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD7NC60HT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 25A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Td (on/off) @ 25°C: 18.5ns/72ns
Switching Energy: 95µJ (on), 115µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 35 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 70 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD7NC60HT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 25A 70W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD7NC60HT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGD7NC60HT4 - IGBT, 25 A, 1.85 V, 70 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerMESH
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD7NC60HT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 25A 70W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+115.72 грн
10+113.93 грн
25+112.14 грн
100+106.42 грн
250+96.95 грн
500+91.54 грн
1000+90.01 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD8NC60KDT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGD8NC60KDT4 - IGBT, 15 A, 2.2 V, 62 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 62W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerMESH
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD8NC60KDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 15A 62W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.86 грн
10000+43.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD8NC60KDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 15A 62W DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 23.5 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 19 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 62 W
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.92 грн
10+78.90 грн
100+52.99 грн
500+39.30 грн
1000+35.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD8NC60KDT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGD8NC60KDT4 - IGBT, 15 A, 2.2 V, 62 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 62W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerMESH
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD8NC60KDT4STMicroelectronicsIGBTs N Ch 55V 6.5mohm 80A Pwr MOSFET
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD8NC60KDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 15A 62W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.86 грн
10000+43.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD8NC60KDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 15A 62W DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 23.5 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 19 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 62 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD8NC60KT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 15A 62W DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 62 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD8NC60KT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 15A 62W DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 62 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGDL6NC60DIT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 13A 50W DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 23 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 6.7ns/46ns
Switching Energy: 32µJ (on), 24µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 12 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 13 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 50 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGDL6NC60DIT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 13A 50W DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 23 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 6.7ns/46ns
Switching Energy: 32µJ (on), 24µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 12 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 13 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 50 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGDL6NC60DT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 13A 50W DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 6.7ns/46ns
Switching Energy: 46.5µJ (on), 23.5µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 12 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 13 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A
Power - Max: 50 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGE200N60KSTMicroelectronicsDescription: IGBT MODULE 600V 150A ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: ISOTOP
Mounting Type: Chassis Mount
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOTOP®
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGE200NB60
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGE200NB60SSTMicroelectronicsTrans IGBT Module N-CH 600V 200A 600W 4-Pin ISOTOP Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2055.38 грн
10+2008.12 грн
50+1925.02 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGE200NB60SSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGE200NB60S - IGBT-Modul, Einfach, 200 A, 1.6 V, 600 W, 150 °C, ISOTOP
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: ISOTOP
Dauerkollektorstrom: 200A
Dauerkollektorstrom: 200A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGE200NB60SSTMicroelectronicsIGBT Modules N-Ch 600 Volt 150Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGE200NB60SSTMicroelectronicsTrans IGBT Module N-CH 600V 200A 600W 4-Pin ISOTOP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGE200NB60SSTMIGBT N-channel 600V 150A, ISOTOP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGE200NB60SSTMicroelectronicsTrans IGBT Module N-CH 600V 200A 600W 4-Pin ISOTOP Tube
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2543.17 грн
10+1980.90 грн
25+1850.84 грн
50+1581.58 грн
100+1502.66 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGE200NB60SSTMicroelectronicsTrans IGBT Module N-CH 600V 200A 600W 4-Pin ISOTOP Tube
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2581.10 грн
5+2522.01 грн
10+1964.41 грн
25+1835.44 грн
50+1568.41 грн
100+1490.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGE200NB60SSTMicroelectronicsCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 150A; ISOTOP; 600W
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 400A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Case: ISOTOP
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 600W
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1779.93 грн
2+1540.61 грн
5+1413.47 грн
10+1346.16 грн
20+1327.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGE200NB60SSTMicroelectronicsTrans IGBT Module N-CH 600V 200A 600W 4-Pin ISOTOP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGE200NB60S
Код товару: 53843
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGE50NB60HDSTMicroelectronicsDescription: IGBT MOD 600V 100A 300W ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOTOP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 300 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.5 nF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGE50NB60HDST99/05+
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGE50NC60VDSTMicroelectronicsDescription: IGBT MODULE 600V 90A 260W ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOTOP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 260 W
Current - Collector Cutoff (Max): 150 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.55 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGE50NC60VD
на замовлення 260 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGE50NC60WDSTMIGBT UFAST N-CH 100A 600V ISOTOP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGE50NC60WDSTMicroelectronicsIGBT Transistors N-Ch 600volt 50 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGE50NC60WDSTMicroelectronicsDescription: IGBT MOD 600V 100A 260W ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOTOP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 260 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.7 nF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGF10H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 30W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGF10H60DFSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 30W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Gate charge: 57nC
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+122.15 грн
10+97.22 грн
30+73.12 грн
50+71.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGF10H60DFSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate H series 600V 10A HiSpd
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.