Продукція > STG

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STGD5H60DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGD5H60DF - IGBT, 10 A, 1.5 V, 83 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: H
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 10A 83W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5H60DFSTMicroelectronicsCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 5A; 83W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 5A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 2186 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+86.70 грн
10+59.54 грн
50+41.93 грн
100+37.57 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5H60DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGD5H60DF - IGBT, 10 A, 1.5 V, 83 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: H
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 10A 83W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5H60DFSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 134.5 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: DPAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/140ns
Switching Energy: 56µJ (on), 78.5µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 43 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 83 W
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.14 грн
10+54.42 грн
100+35.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5NB120SZSTMIGBT 1200V 5A DPAK Транзистори
на замовлення 5 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
4+221.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5NB120SZ-1STMicroelectronicsIGBT Transistors 5 A 1200V LOW DROP INTERN CLAMPED IGBT
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5NB120SZ-1STMicroelectronicsDescription: IGBT 1200V 10A TO-251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Td (on/off) @ 25°C: 690ns/12.1µs
Switching Energy: 2.59mJ (on), 9mJ (off)
Test Condition: 960V, 5A, 1kOhm, 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 10 A
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5NB120SZ-1
Код товару: 128569
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5NB120SZ-1STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5NB120SZT4
Код товару: 35358
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
Напруга колектор-емітер Vces, В: 1200 В
Напруга насичення Vce, В: 1,2 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 10 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 5 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 55 Вт
товару немає в наявності
1+42.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5NB120SZT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 10A 75W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5NB120SZT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 1200V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 690ns/12.1µs
Switching Energy: 2.59mJ (on), 9mJ (off)
Test Condition: 960V, 5A, 1kOhm, 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 10 A
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5NB120SZT4STMicroelectronicsIGBTs N-Ch 1200 Volt 5 Amp
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5NB120SZT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 1200V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 690ns/12.1µs
Switching Energy: 2.59mJ (on), 9mJ (off)
Test Condition: 960V, 5A, 1kOhm, 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 10 A
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5NB120SZT4STMicroelectronicsCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 75W; DPAK
Collector current: 5A
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 10A
Features of semiconductor devices: internally clamped
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 75W
Type of transistor: IGBT
на замовлення 422 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+164.38 грн
10+102.32 грн
25+86.38 грн
50+77.99 грн
100+69.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5NB120SZT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 10A 75W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 12A 88W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+34.32 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 12A 88W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6M65DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss
на замовлення 2083 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6M65DF2STMicroelectronicsCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 6A; 88W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 6A
Power dissipation: 88W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 24A
Mounting: SMD
Gate charge: 21.2nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 12A 88W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+53.62 грн
16+47.69 грн
100+42.18 грн
500+36.37 грн
1000+32.30 грн
2500+29.42 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: DPAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/90ns
Switching Energy: 36µJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 21.2 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 88 W
на замовлення 6454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.57 грн
10+71.70 грн
100+47.86 грн
500+35.33 грн
1000+32.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 12A 88W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: DPAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/90ns
Switching Energy: 36µJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 21.2 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 88 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6N60HD
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6NC60H-1STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 15A TO-251
Power - Max: 62.5 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Part Status: Active
Gate Charge: 13.6 nC
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 20µJ (on), 68µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/76ns
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 3A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 1549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.46 грн
75+56.86 грн
150+51.01 грн
525+40.04 грн
1050+36.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6NC60H-1STMicroelectronicsIGBTs N-channel 600 V, 7 A very fast IGBT
на замовлення 3046 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6NC60H-1STMicroelectronicsCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 62.5W; IPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 7A
Power dissipation: 62.5W
Case: IPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 21A
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+80.38 грн
7+67.09 грн
25+62.06 грн
75+59.54 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6NC60HDSTIGBT 600V 15A 56W   STGD6NC60HDT4 STMicroelectronics TSTGD6nc60hdt4
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 88 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+57.80 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6NC60HDSTMicroelectronicsIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6NC60HDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 15A 56W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6NC60HDT4STMicroelectronicsIGBTs PowerMESH" IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6NC60HDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 15A 56W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6NC60HDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 15A DPAK
Power - Max: 56 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Part Status: Active
Gate Charge: 13.6 nC
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 20µJ (on), 68µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/76ns
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 3A
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.41 грн
10+76.31 грн
100+50.99 грн
500+37.65 грн
1000+34.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6NC60HDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 15A 56W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6NC60HDT4STMicroelectronicsCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 56W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 56W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 21A
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 1608 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+87.61 грн
10+60.38 грн
25+52.83 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6NC60HDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 15A 56W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6NC60HDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/76ns
Switching Energy: 20µJ (on), 68µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 13.6 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A
Power - Max: 56 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6NC60HDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 15A 56W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6NC60HDT4STMIGBT 6A 600V DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6NC60HT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 15A 56W DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/76ns
Switching Energy: 20µJ (on), 68µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 13.6 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A
Power - Max: 56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD7NB120S-1
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD7NB120S-1STMicroelectronicsDescription: IGBT 1200V 10A 55W IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Td (on/off) @ 25°C: 570ns/-
Switching Energy: 15mJ (off)
Test Condition: 960V, 7A, 1kOhm, 15V
Gate Charge: 29 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 55 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD7NB120ST4STMicroelectronicsDescription: IGBT 1200V 10A 55W DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 570ns/-
Switching Energy: 3.2µJ (on), 15mJ (off)
Test Condition: 960V, 7A, 1kOhm, 15V
Gate Charge: 29 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 55 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD7NB60B
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD7NB60H-1
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD7NB60HT4STM07+ TO-252
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD7NB60KT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 14A DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/50ns
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 7A
Input Type: Standard
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 70 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 32.7 nC
Test Condition: 480V, 7A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 95µJ (on), 140µJ (off)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD7NB60SSTMicroelectronicsIGBTs N-Ch 600 Volt 7 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD7NB60SLT4STMicroelectronicsIGBTs IGBTs, 600V, IGBT & Power Bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD7NB60ST4STMicroelectronicsCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 55W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2078 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+188.76 грн
10+124.12 грн
25+103.99 грн
50+92.25 грн
100+88.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD7NB60ST4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 15A 55W DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 700ns/-
Switching Energy: 3.5mJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 1kOhm, 15V
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 55 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+62.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD7NB60ST4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 15A 55W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD7NB60ST4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 15A 55W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD7NB60ST4STMicroelectronicsIGBTs N-Ch 600 Volt 7 Amp
на замовлення 2203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD7NB60ST4STM07+ TO-252
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD7NB60ST4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 15A 55W DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 700ns/-
Switching Energy: 3.5mJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 1kOhm, 15V
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 55 W
на замовлення 4122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.71 грн
10+129.52 грн
100+89.31 грн
500+67.65 грн
1000+65.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD7NC60H
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD7NC60HT4
на замовлення 2033 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD7NC60HT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 25A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Td (on/off) @ 25°C: 18.5ns/72ns
Switching Energy: 95µJ (on), 115µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 35 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 70 W
на замовлення 9845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.90 грн
10+154.73 грн
100+107.69 грн
500+82.21 грн
1000+82.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD7NC60HT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 25A 70W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+115.46 грн
125+113.68 грн
127+111.89 грн
129+106.18 грн
250+96.73 грн
500+91.33 грн
1000+89.81 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD7NC60HT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGD7NC60HT4 - IGBT, 25 A, 1.85 V, 70 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerMESH
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD7NC60HT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 25A 70W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+84.86 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD7NC60HT4STMicroelectronicsIGBTs N-Ch 600 Volt 14 Amp
на замовлення 2991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD7NC60HT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 25A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Td (on/off) @ 25°C: 18.5ns/72ns
Switching Energy: 95µJ (on), 115µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 35 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 70 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+77.02 грн
5000+71.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD7NC60HT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 25A 70W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD7NC60HT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGD7NC60HT4 - IGBT, 25 A, 1.85 V, 70 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerMESH
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD7NC60HT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 25A 70W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+115.46 грн
10+113.68 грн
25+111.89 грн
100+106.18 грн
250+96.73 грн
500+91.33 грн
1000+89.81 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD7NC60HT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 25A 70W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD8NC60KDT4STMicroelectronicsIGBTs N Ch 55V 6.5mohm 80A Pwr MOSFET
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD8NC60KDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 15A 62W DPAK
Power - Max: 62 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Gate Charge: 19 nC
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A
Reverse Recovery Time (trr): 23.5 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.11 грн
10+79.63 грн
100+53.48 грн
500+39.67 грн
1000+36.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD8NC60KDT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGD8NC60KDT4 - IGBT, 15 A, 2.2 V, 62 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 62W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerMESH
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD8NC60KDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 15A 62W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.76 грн
10000+43.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD8NC60KDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 15A 62W DPAK
Power - Max: 62 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Gate Charge: 19 nC
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A
Reverse Recovery Time (trr): 23.5 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD8NC60KDT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGD8NC60KDT4 - IGBT, 15 A, 2.2 V, 62 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 62W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerMESH
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD8NC60KDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 15A 62W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.76 грн
10000+43.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD8NC60KT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 15A 62W DPAK
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 62 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 19 nC
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD8NC60KT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 15A 62W DPAK
Power - Max: 62 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 19 nC
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGDL6NC60DIT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 13A 50W DPAK
Power - Max: 50 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 13 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 12 nC
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 32µJ (on), 24µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 6.7ns/46ns
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 3A
Reverse Recovery Time (trr): 23 ns
Input Type: Standard
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGDL6NC60DIT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 13A 50W DPAK
Power - Max: 50 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 13 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 12 nC
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 32µJ (on), 24µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 6.7ns/46ns
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Reverse Recovery Time (trr): 23 ns
Input Type: Standard
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGDL6NC60DT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 13A 50W DPAK
Power - Max: 50 W
Current - Collector (Ic) (Max): 13 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 12 nC
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 46.5µJ (on), 23.5µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 6.7ns/46ns
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 3A
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGE200N60KSTMicroelectronicsDescription: IGBT MODULE 600V 150A ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: ISOTOP
Mounting Type: Chassis Mount
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOTOP®
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGE200NB60
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGE200NB60SSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGE200NB60S - IGBT-Modul, Einfach, 200 A, 1.6 V, 600 W, 150 °C, ISOTOP
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: ISOTOP
Dauerkollektorstrom: 200A
Dauerkollektorstrom: 200A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGE200NB60SSTMicroelectronicsTrans IGBT Module N-CH 600V 200A 600W 4-Pin ISOTOP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGE200NB60SSTMIGBT N-channel 600V 150A, ISOTOP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGE200NB60SSTMicroelectronicsTrans IGBT Module N-CH 600V 200A 600W 4-Pin ISOTOP Tube
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2537.51 грн
10+1976.50 грн
25+1846.73 грн
50+1578.06 грн
100+1499.32 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGE200NB60SSTMicroelectronicsTrans IGBT Module N-CH 600V 200A 600W 4-Pin ISOTOP Tube
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2575.36 грн
5+2516.40 грн
10+1960.04 грн
25+1831.36 грн
50+1564.93 грн
100+1486.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGE200NB60SSTMicroelectronicsIGBT Modules N-Ch 600 Volt 150Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGE200NB60SSTMicroelectronicsTrans IGBT Module N-CH 600V 200A 600W 4-Pin ISOTOP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGE200NB60S
Код товару: 53843
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGE200NB60SSTMicroelectronicsCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 150A; ISOTOP; 600W
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 400A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Case: ISOTOP
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 600W
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1796.39 грн
2+1554.86 грн
5+1426.54 грн
10+1358.61 грн
20+1339.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGE200NB60SSTMicroelectronicsTrans IGBT Module N-CH 600V 200A 600W 4-Pin ISOTOP Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2050.81 грн
10+2003.66 грн
50+1920.74 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGE50NB60HDSTMicroelectronicsDescription: IGBT MOD 600V 100A 300W ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOTOP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 300 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.5 nF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGE50NB60HDST99/05+
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGE50NC60VDSTMicroelectronicsDescription: IGBT MODULE 600V 90A 260W ISOTOP
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.55 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 150 µA
Power - Max: 260 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: ISOTOP
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGE50NC60VD
на замовлення 260 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]