Продукція > STW

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STW42N65M5
Код товару: 49703
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW42N65M5STMMOSFET N-channel 650V, 33A TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW434008STATICTECCategory: ESD Bench Mats
Description: Mat: bench; ESD; blue (dark); L: 1.2m; Width: 0.6m; Thick: 2mm
Related items: PRT-STW1100; PRT-STW1110; PRT-STW1120; PRT-STW1130; PRT-STW1160; PRT-STW1200; PRT-STW1220; PRT-STW1300; PRT-STW1310; PRT-STW1320; PRT-STW1330; PRT-STW2100; PRT-STW2110; PRT-STW2210; PRT-STW2220
Type of mat: bench
Colour: blue (dark)
Version: ESD
Length: 1.2m
Kit contents: antistatic mat
Thickness: 2mm
Width: 0.6m
Mat features: consist of two rubber layers: dispersing and electric charges conducting; fitted with four 10mm male press studs
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+4318.72 грн
3+3918.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW434010STATICTECCategory: ESD Workstations
Description: Mat: table set; ESD; L: 1.2m; W: 0.6m; Thk: 2mm; blue (dark)
Type of mat: table set
Version: ESD
Length: 1.2m
Width: 0.6m
Thickness: 2mm
Colour: blue (dark)
Kit contents: antistatic mat; cable for wirstband; ESD wirstband; ground cord; grounding plug
Mat features: consist of two rubber layers: dispersing and electric charges conducting; fitted with four 10mm male press studs
Related items: PRT-STW2210; PRT-STW2220
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+5047.16 грн
3+4413.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW434013STATICTECCategory: ESD Bench Mats
Description: Mat: bench; ESD; blue (dark); L: 0.9m; Width: 0.6m; Thick: 2mm
Related items: PRT-STW1100; PRT-STW1110; PRT-STW1120; PRT-STW1130; PRT-STW1160; PRT-STW1200; PRT-STW1220; PRT-STW1300; PRT-STW1310; PRT-STW1320; PRT-STW1330; PRT-STW2100; PRT-STW2110; PRT-STW2210; PRT-STW2220
Type of mat: bench
Colour: blue (dark)
Version: ESD
Length: 0.9m
Kit contents: antistatic mat
Thickness: 2mm
Width: 0.6m
Mat features: consist of two rubber layers: dispersing and electric charges conducting; fitted with four 10mm male press studs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW434014STATICTECCategory: ESD Workstations
Description: Mat: table set; ESD; L: 0.9m; W: 0.6m; Thk: 2mm; blue (dark)
Type of mat: table set
Version: ESD
Length: 0.9m
Width: 0.6m
Thickness: 2mm
Colour: blue (dark)
Kit contents: antistatic mat; cable for wirstband; ESD wirstband; ground cord
Mat features: consist of two rubber layers: dispersing and electric charges conducting; fitted with four 10mm male press studs
Related items: PRT-STW2100; PRT-STW2110; PRT-STW2210; PRT-STW2220
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+3886.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW434015STATICTECCategory: ESD Workstations
Description: Mat: table set; ESD; L: 0.9m; W: 0.6m; Thk: 2mm; blue (dark)
Type of mat: table set
Version: ESD
Length: 0.9m
Width: 0.6m
Thickness: 2mm
Colour: blue (dark)
Kit contents: antistatic mat; cable for wirstband; ESD wirstband; ground cord; grounding plug
Mat features: consist of two rubber layers: dispersing and electric charges conducting; fitted with four 10mm male press studs
Related items: PRT-STW2210; PRT-STW2220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW434020STATICTECCategory: ESD Bench Mats
Description: Mat: bench; ESD; blue (dark); L: 0.6m; Width: 0.6m; Thick: 2mm
Related items: PRT-STW1100; PRT-STW1110; PRT-STW1120; PRT-STW1130; PRT-STW1160; PRT-STW1200; PRT-STW1220; PRT-STW1300; PRT-STW1310; PRT-STW1320; PRT-STW1330; PRT-STW2100; PRT-STW2110
Type of mat: bench
Colour: blue (dark)
Version: ESD
Length: 0.6m
Kit contents: antistatic mat; ground cord
Thickness: 2mm
Width: 0.6m
Mat features: consist of two rubber layers: dispersing and electric charges conducting; fitted with two 10mm male press studs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW43N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 34A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+571.60 грн
30+319.89 грн
60+292.35 грн
120+252.61 грн
510+217.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW43N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW43N60DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; Idm: 136A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW43NM50STMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW43NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 37A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW43NM60N
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW43NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW43NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600V Power MDmesh
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW43NM60NDSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600V, 35A FDMesh II
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW43NM60NDSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 35A; 255W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 35A
Power dissipation: 255W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: 25V
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
120+314.11 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW43NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW43NM60NDSTMMOSFET N-channel 600V, 35A FDMesh II Транзистори
на замовлення 1 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
1+780.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW43NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW4511BH)/HFST-Ericsson IncDescription: IC PMU 7CH I2C 64TFBGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW4511BH)T/HFST-Ericsson IncDescription: IC PMU 7CH I2C 64TFBGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW45N60DM2AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW45N60DM2AGSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 21A; 250W; TO247
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: tube
Case: TO247
On-state resistance: 85mΩ
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Technology: MDmesh™ DM2
Drain current: 21A
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+520.82 грн
10+393.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW45N60DM2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW45N60DM2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 34A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW45N60DM6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+594.90 грн
30+334.02 грн
60+305.49 грн
120+264.18 грн
510+228.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW45N60DM6
Код товару: 168776
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW45N60DM6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 19A; Idm: 95A
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: tube
Case: TO247
On-state resistance: 99mΩ
Pulsed drain current: 95A
Power dissipation: 210W
Gate charge: 44nC
Polarisation: unipolar
Technology: MDmesh™ DM6
Drain current: 19A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW45N60DM6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW45N60DM6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW45N60DM6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.085 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 210W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW45N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+493.08 грн
30+488.40 грн
34+420.30 грн
50+401.24 грн
100+369.73 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW45N65M5STMMOSFET N-Ch, Metal Oxide, 650V, 35A Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW45N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW45N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW45N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.067 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 210W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW45N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+491.10 грн
10+486.44 грн
25+418.61 грн
50+399.62 грн
100+368.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW45N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
на замовлення 658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW45N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 100 V
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+632.96 грн
30+357.01 грн
60+326.91 грн
120+283.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW45N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+482.90 грн
50+409.18 грн
100+385.46 грн
200+349.31 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW45NM50STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW45NM50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 45 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 417W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW45NM50
Код товару: 73997
Додати до обраних Обраний товар

8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW45NM50STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 45 Amp
на замовлення 2322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW45NM50STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 28.4A; 390W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 28.4A
Power dissipation: 390W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 208 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+898.47 грн
5+703.00 грн
10+628.21 грн
30+528.49 грн
60+485.28 грн
120+455.37 грн
150+447.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW45NM50STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+806.31 грн
10+624.41 грн
25+624.30 грн
60+523.53 грн
120+481.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW45NM50STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 45A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1005.74 грн
30+588.75 грн
120+505.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW45NM50STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW45NM50STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+807.88 грн
23+625.62 грн
25+625.51 грн
60+524.54 грн
120+482.32 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW45NM50STMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW45NM50FDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 45A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW45NM50FDSTMMOSFET 500V 45A 0.07Om TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW45NM50FDSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500 Volt 45 Amp FDMesh
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW45NM50FD/ST
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW45NM60STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+679.80 грн
10+554.13 грн
100+511.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW45NM60STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+677.68 грн
26+552.39 грн
100+509.68 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW45NM60STN-MOSFET 45A 650V 417W STW45NM60 TSTW45NM60
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+435.92 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW45NM60STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650 Volt 45 Amp
на замовлення 1194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW45NM60STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 540 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW45NM60
Код товару: 42906
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW45NM60STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 45A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+981.66 грн
30+574.84 грн
60+530.76 грн
120+463.32 грн
510+420.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW45NM60STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
540+573.99 грн
Мінімальне замовлення: 540 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW45NM60STMMOSFET N-Ch 650V 45A TO-247-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW45NM60STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 28A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 28A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+902.05 грн
4+397.20 грн
10+373.93 грн
30+370.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW45NM60STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW45NM60DSTMicroelectronicsMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW46NF30STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 300V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW46NF30STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 300V 42A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+285.80 грн
30+152.17 грн
120+124.98 грн
510+98.57 грн
1020+91.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW46NF30STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 27A; Idm: 168A; 300W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW46NF30STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 300V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW46NF30STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 300 V 0.063 Ohm 42 A STripFET(TM)
на замовлення 854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW47NM60NDSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600V 0.075 Ohm 35A FDmesh II
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW47NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 35A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+630.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW47NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 35A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW47NM60NDSTMMOSFET N-CH 600V 35A TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW4810C
на замовлення 374 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW4810CHDR/LF
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW4810CHDT/LF
на замовлення 3295 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW4810CRAE/LFST-Ericsson IncDescription: IC PWR MNGMNT MULTIMEDIA 84VFBGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3456 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW4810CRAT/LFST-Ericsson IncDescription: IC PWR MNGMNT MULTIMEDIA 84VFBGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW4811MBHD
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW4811MBHD/LFST-Ericsson IncDescription: IC PMU USB OTG 2.0 84TFBGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2574 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW4811MBHDT/LFST-Ericsson IncDescription: IC PMU USB OTG 2.0 84TFBGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW4811MBRA/LFST-Ericsson IncDescription: IC PMU USB OTG 2.0 84VFBGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3456 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW4811MBRAT/HFST-Ericsson IncDescription: IC PMU USB OTG 2.0 84VFBGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW4811NBHD/LFST-Ericsson IncDescription: IC PMU USB OTG 2.0 84TFBGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2574 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW4811NBHDT/LFST-Ericsson IncDescription: IC PMU USB OTG 2.0 84TFBGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW4811NBRA/LFST-Ericsson IncDescription: IC PMU USB OTG 2.0 84VFBGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3456 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW48N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+218.67 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW48N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.065 Ohm typ., 40 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW48N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 40A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 100 V
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+469.09 грн
30+256.62 грн
60+233.37 грн
120+200.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW48N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+218.67 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW48N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 26A; 300W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 26A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+350.80 грн
3+285.85 грн
5+265.91 грн
10+240.98 грн
30+208.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW48N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+163.96 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW48N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+202.91 грн
71+201.61 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW48N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW48N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 42A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 100 V
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+403.85 грн
30+219.42 грн
60+199.19 грн
120+170.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW48N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+529.71 грн
10+310.99 грн
100+260.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW48N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+163.96 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW48N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW48N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 42 A, 0.06 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW48N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+529.71 грн
46+310.99 грн
100+260.88 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.