Продукція > SiS

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SISHA14DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 19.7A 8-Pin PowerPAK 1212-8SH EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA14DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 19.7A 8-Pin PowerPAK 1212-8SH EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA14DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 19.7A/20A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.57W (Ta), 26.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA14DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAK1212 N-CH 30V 19.7A
на замовлення 6703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA14DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 19.7A 8-Pin PowerPAK 1212-8SH EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA14DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 19.7A 8-Pin PowerPAK 1212-8SH EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA14DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 19.7A/20A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.57W (Ta), 26.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 15 V
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.08 грн
10+50.34 грн
50+37.30 грн
100+31.04 грн
500+24.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA18ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 26.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 15 V
на замовлення 12005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.22 грн
10+51.85 грн
50+38.46 грн
100+32.02 грн
500+24.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA18ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 26.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.72 грн
9000+18.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA18ADN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
на замовлення 11705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISM-3
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISM650SIS
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISM650BOAA-DH-1SIS0444/0
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISM661FXSISBGA
на замовлення 2215 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISM661FX(A1)
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISM661FXA1
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISM661MXSIS06+
на замовлення 108 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISM661MXB1
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiSM671A1
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISM672A1BDSIS08+
на замовлення 581 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISM741
на замовлення 382 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISM760GXLV
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISM760LV
на замовлення 2042 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISM76A3
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISNAP915DKSilicon LabsN/A N/A/-40 TO 85 OC/915 MHZ, SNAP ENABLED PROGRAMABLE XCVR DEVELOPMENT KIT DEVELOPKIT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISNAP915DKSilicon LabsDescription: RF EVAL 915MHZ SYNAPSE DEV KIT
Packaging: Box
For Use With/Related Products: Si1000
Frequency: 915MHz
Type: Transceiver, Microcontroller
Supplied Contents: Board(s), Cable(s), Power Supply, Accessories
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISNAP915EKSilicon LabsN/A N/A/-40 TO 85 OC/915 MHZ, SNAP ENABLED PROGRAMABLE XCVR EVALUATION KIT EVALKIT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISNAP915EKSilicon LabsDescription: RF EVAL 915MHZ MODULE ANTENNA
Packaging: Box
For Use With/Related Products: Si1000
Frequency: 915MHz
Type: Transceiver, Microcontroller
Contents: Board(s), Accessories
Utilized IC / Part: Si1000
Supplied Contents: Board(s), Accessories
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISNAP915EKSilicon LabsRF Development Tools
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISP1761BENXP
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3166-L-BRLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP 1G/10G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3166-L-BR-L1Y5LantronixCalibration, Warranties, & Service Plans FIVE-YEAR SUBSCRIPTION FOR TECHNICAL SUPPORT FOR LANTRONIX DEVICES. THE LEVEL 1 SERVICE PROVIDES 24/7/365 TECHNICAL SUPPORT.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3166-L-EULantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP 1G/10G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3166-L-JPLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP 1G/10G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3166-L-LALantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP 1G/10G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3166-L-NALantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP 1G/10G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3166-L-OZLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP 1G/10G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3166-L-OZLantronix, Inc.Description: IC
Packaging: Bulk
Connector Type: RJ45, SFP
Mounting Type: Rack Mount
Voltage - Input: 100 ~ 250VAC, 52 ~ 57VDC
Type: Switch - Managed
Configuration: Fixed + SFP
Operating Temperature: -40°C ~ 75°C
Number of Ports: 22
Ingress Protection: IP30
Fiber Type: SFP, SFP+
Copper Ports: 16
Copper Type: 10/100/1000
Fiber Ports: 6
SFP/XFP Type: SFP, SFP+
PoE Ports: 16
SFP/XFP Ports: 6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3166-L-SALantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP 1G/10G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3166-L-UKLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP 1G/10G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3166-L3-BRLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3166-L3-EULantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3166-L3-JPLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3166-L3-LALantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3166-L3-NALantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3166-L3-NA-L1Y5LantronixCalibration, Warranties, & Service Plans FIVE-YEAR SUBSCRIPTION FOR TECHNICAL SUPPORT FOR LANTRONIX DEVICES. THE LEVEL 1 SERVICE PROVIDES 24/7/365 TECHNICAL SUPPORT.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3166-L3-OZLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3166-L3-SALantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3166-L3-UKLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (16) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3248-L-BRLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP (4) 1G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3248-L-EULantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP (4) 1G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3248-L-JPLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP (4) 1G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3248-L-LALantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP (4) 1G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3248-L-NALantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP (4) 1G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3248-L-NALantronixSISPM1040-3248-L-NA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3248-L-OZLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP (4) 1G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3248-L-SALantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP (4) 1G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3248-L-UKLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SFP (4) 1G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3248-L3-BRLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3248-L3-EULantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3248-L3-JPLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3248-L3-LALantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3248-L3-NALantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3248-L3-OZLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3248-L3-SALantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3248-L3-SA-L1Y1LantronixCalibration, Warranties, & Service Plans ONE-YEAR SUBSCRIPTION FOR TECHNICAL SUPPORT FOR LANTRONIX DEVICES. THE LEVEL 1 SERVICE PROVIDES 24/7/365 TECHNICAL SUPPORT.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-3248-L3-UKLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Layer 3 Managed Hardened PoE+ Switch (24) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000 SF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-362-LRTLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE+ Switch 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 10/100/1000Base-T w/100/
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-384-LRT-CLantronix, Inc.Description: MANAGED HARDENED ETHERNET SWITCH
Packaging: Box
Connector Type: RJ45, SFP
Mounting Type: DIN Rail
Voltage - Input: 44V ~ 57V
Type: Switch - Managed
Configuration: Fixed + SFP
Operating Temperature: -40°C ~ 75°C
Number of Ports: 12
Ingress Protection: IP30
Fiber Type: SFP
Copper Ports: 8
Copper Type: 10/100/1000
Fiber Ports: 4
SFP/XFP Type: SFP
PoE Ports: 8
SFP/XFP Ports: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-384-LRT-CLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial LAN SWITCH Managed Hardened PoE+ Switch (8) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100/1000B
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-582-LRTLantronix, Inc.Description: MANAGED HARDENED ETHERNET SWITCH
Packaging: Box
Connector Type: RJ45, SFP
Mounting Type: DIN Rail
Voltage - Input: 52V ~ 57V
Type: Switch - Managed
Configuration: Fixed + SFP
Operating Temperature: -40°C ~ 75°C
Number of Ports: 10
Ingress Protection: IP30
Fiber Type: SFP
Copper Ports: 8
Copper Type: 10/100/1000
Fiber Ports: 2
SFP/XFP Type: SFP
PoE Ports: 8
SFP/XFP Ports: 2
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+112645.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1040-582-LRTLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE++ Switch (8) 10/100/1000Base-T PoE++ (2) 100/1000Base-X SFP
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISPM1242-582-LRTLantronixPower over Ethernet - PoE - Industrial Managed Hardened PoE++ Switch, 10G uplink (4) 10/100/1000Base-T PoE+ (4) 100M/1G/2.5G PoE++ Ports, (2) 1G/10GSFP+ Slots
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISR30ST
на замовлення 496 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS02DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 51A/80A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4450 pF @ 10 V
на замовлення 2029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.17 грн
10+84.46 грн
100+57.12 грн
500+42.63 грн
1000+40.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS02DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 25V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8S
на замовлення 6760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS02DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 51A/80A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4450 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS04DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 50.5A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+54.46 грн
15+53.62 грн
25+52.78 грн
100+50.08 грн
250+45.62 грн
500+43.08 грн
1000+42.36 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS04DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 50.5A/80A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.5A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 15 V
на замовлення 7317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.22 грн
10+107.10 грн
100+73.00 грн
500+54.81 грн
1000+50.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS04DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS04DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 1200 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 65.7W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS04DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 50.5A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS04DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 50.5A/80A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.5A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+49.59 грн
6000+44.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS04DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8S
на замовлення 3813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS04DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS04DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 1200 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 65.7W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS05DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 29.4A/108A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.4A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS05DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS05DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 108 A, 3500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 108A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 9614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS05DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs PPAK1212 P-CH 30V 29.4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS05DN-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -86.6A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -86.6A
Pulsed drain current: -300A
Power dissipation: 42W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: -20...16V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS05DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 29.4A/108A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.4A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS05DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS05DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 108 A, 3500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 108A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 9614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS05DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 29.4A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS06DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK 1212-8S
на замовлення 7332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS06DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 47.6/172.6A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.6A (Ta), 172.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.83 грн
6000+30.36 грн
9000+29.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS06DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 47.6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS06DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 47.6/172.6A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.6A (Ta), 172.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 15 V
на замовлення 13105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.19 грн
10+76.99 грн
100+51.50 грн
500+38.08 грн
1000+34.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS06DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 47.6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS08DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 53.9/195.5A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.9A (Ta), 195.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3670 pF @ 12.5 V
на замовлення 5965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.87 грн
10+72.38 грн
100+56.42 грн
500+43.74 грн
1000+34.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS08DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 53.9/195.5A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.9A (Ta), 195.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3670 pF @ 12.5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS08DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 25V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK 1212-8S
на замовлення 5360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS10ADN-T1-BE3VishayMOSFETs PPAK1212 N-CH 40V 31.7A
на замовлення 5820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.