Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFH4253DTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 31W, 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A, 145A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4253DTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH4253DTRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 25 V, 145 A, 0.0011 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 145A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: FastIRFET HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0011ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4253DTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 64A/145A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+94.72 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4253DTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH4253DTRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 25 V, 145 A, 0.0011 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 145A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: FastIRFET HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0011ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4253DTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 64A/145A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+95.17 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4253DTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 31W, 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A, 145A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+238.93 грн
10+149.86 грн
100+103.98 грн
500+79.17 грн
1000+75.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4253DTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 64A/145A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4253DTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 25V Dual N-Ch 1.45mOhm 31nC 45A
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4255DTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 64A/105A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+134.12 грн
111+128.13 грн
250+122.99 грн
500+114.32 грн
1000+102.40 грн
2500+95.39 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4255DTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A, 105A
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 31W, 38W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4255DTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 25V Single N-Ch HEXFET PWR 50A
на замовлення 3803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4255DTRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 25V 64A/105A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+171.70 грн
500+163.46 грн
1000+154.06 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4255DTRPBF/BKNInfineon TechnologiesDescription: IRFH4255DTRPBF/BKN
на замовлення 1229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4257DTRPBFInfineon / IRMOSFET 25V FastIRFET 4x5 POWER BLOCK PKG
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4257DTRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 25V 68A/111A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 1834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
261+135.24 грн
500+122.30 грн
1000+112.25 грн
Мінімальне замовлення: 261 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4257DTRPBFInternational RectifierDescription: MOSFET 2N-CH 25V 25A PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 25W, 28W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1321pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: Dual PQFN (5x4)
на замовлення 1834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+97.56 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5004PbFInfineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5004TR2
Код товару: 99482
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: PQFN5*6
Напруга сток-витік Uds, В: 40 В
Струм стоку Idd, А: 100 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 2,6 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4490/73
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+46.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5004TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 28A 8VQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4490 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5004TR2PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 40V 100A 2.6mOhm 73nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5004TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+82.87 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5004TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 28A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4490 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5004TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+88.73 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5004TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 28A/100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4490 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5004TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 2.6mOhms 73nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5006Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5006TR2
Код товару: 99483
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: PQFN5*6
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 100 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 4,1 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4175/69
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+46.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5006TR2PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 60V 100A 4.1mOhm 67nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5006TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4175 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5006TR2PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5006TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+94.43 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5006TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 21A/100A 8PQFN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4175 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5006TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+144.88 грн
108+131.71 грн
132+107.25 грн
200+97.07 грн
1000+79.72 грн
2000+71.37 грн
4000+69.51 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5006TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH5006TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0035 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5006TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+132.97 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5006TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 21A/100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4175 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5006TRPBFInternational RectifierMOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 4.1mOhms 67nC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5006TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 4.1mOhms 67nC
на замовлення 5337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5006TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH5006TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0035 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5006TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
101+140.18 грн
125+112.90 грн
133+106.31 грн
500+90.72 грн
1000+78.54 грн
2000+73.46 грн
Мінімальне замовлення: 101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5007TR2
Код товару: 99484
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: PQFN5*6
Напруга сток-витік Uds, В: 75 В
Струм стоку Idd, А: 100 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 5,9 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4290/65
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+43.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5007TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 17A 5X6 PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5007TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5007TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 17A/100A 8PQFN
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5007TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 5.9mOhms 65nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5007TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH5007TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 0.0051 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 156W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5007TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5007TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
259+136.42 грн
500+122.30 грн
1000+113.23 грн
Мінімальне замовлення: 259 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5007TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 17A/100A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5007TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH5007TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 0.0051 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0051ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5010Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5010PbFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5010TR2
Код товару: 99485
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: PQFN5*6
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 100 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 9,0 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4340/65
Монтаж: SMD
у наявності: 37 шт
  • 27 шт - склад
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+145.00 грн
10+137.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5010TR2PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 100V 100A 9.0mOhm 65nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5010TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 13A 5X6 PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5010TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5010TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; 250W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 13A
Power dissipation: 250W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5010TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH5010TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.0075 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5010TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+175.93 грн
121+116.66 грн
130+109.13 грн
200+88.72 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5010TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 65nC
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5010TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH5010TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.0075 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5010TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
301+117.26 грн
500+105.54 грн
1000+97.33 грн
Мінімальне замовлення: 301 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TR2
Код товару: 99486
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: PQFN5*6
Напруга сток-витік Uds, В: 150 В
Струм стоку Idd, А: 56 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 31 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2300/33
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+43.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 150V 56A 31mOhm 33nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 10A 8VQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 34A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+97.81 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBFInternational RectifierMOSFET 150V SINGLE N-CH 31mOhms 33nC, PQFN-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 10A/56A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH5015TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 10 A, 0.031 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 3.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
на замовлення 4519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+86.13 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+66.41 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+47.83 грн
25+47.03 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 10A; 250W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 10A
Power dissipation: 250W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
402+87.79 грн
Мінімальне замовлення: 402 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 10A/56A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 50 V
на замовлення 3735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.80 грн
10+110.39 грн
50+83.70 грн
100+70.46 грн
500+56.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 150V SINGLE N-CH 31mOhms 33nC
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH5015TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 10 A, 0.031 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 3.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
на замовлення 4519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+154.71 грн
100+147.79 грн
250+141.86 грн
500+131.86 грн
1000+118.11 грн
2500+110.03 грн
Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5020TR
Код товару: 99487
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: PQFN5*6
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 43 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 55 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2290/36
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+46.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5020TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5020TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5020TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 5.1A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
214+66.23 грн
Мінімальне замовлення: 214 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5020TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH5020TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.047 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 3.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5020TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.1A; 3.6W; PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PQFN5X6
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 3.6W
Drain current: 5.1A
Drain-source voltage: 200V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5020TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 5.1A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+71.78 грн
12+66.23 грн
25+65.57 грн
100+59.15 грн
250+53.26 грн
500+50.64 грн
1000+47.01 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5020TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET 55mOhms 11nC
на замовлення 2506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5020TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 5.1A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+85.52 грн
Мінімальне замовлення: 166 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5020TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH5020TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.047 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 3.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5020TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 100 V
на замовлення 3671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.06 грн
10+107.80 грн
100+73.45 грн
500+55.13 грн
1000+50.70 грн
2000+48.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5020TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 5.1A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+87.41 грн
8000+86.53 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5020TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 5.1A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5025Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5025TR2
Код товару: 99488
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: PQFN5*6
Напруга сток-витік Uds, В: 250 В
Струм стоку Idd, А: 25 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 100 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2150/37
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+46.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5025TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 3.8A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5025TR2PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 250V 31A 104mOhm 36nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5025TR2PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 250V 3.8A PQFN56 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5025TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 250V 1 N-CH HEXFET 5MM X 6MM PQFN
на замовлення 3987 шт:
термін постачання 189-198 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5025TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 3.8A 8-Pin PQFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]