Продукція > 2SC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 13 26 39 52 65 78 91 104 117 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 134  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
2SCR346PT100PROHMDescription: ROHM - 2SCR346PT100P - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 100 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.36 грн
18+45.75 грн
100+30.20 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR346PT100PROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 400V Vceo 100mA Ic MPT3
на замовлення 1004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.45 грн
10+45.09 грн
100+25.61 грн
500+19.74 грн
1000+17.81 грн
2000+15.39 грн
5000+13.94 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR346PT100PRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 0.1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR346PT100QROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 400V Vceo 100mA Ic MPT3
на замовлення 1558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.45 грн
10+45.09 грн
100+25.61 грн
500+19.74 грн
1000+17.81 грн
2000+15.39 грн
5000+13.94 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR346PT100QRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 400V 0.1A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 10mA, 10V
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 6884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.67 грн
10+42.25 грн
100+27.60 грн
500+19.96 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR346PT100QROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 0.1A; 500mW; SC62,SOT89
Case: SC62; SOT89
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Current gain: 120...270
Collector-emitter voltage: 400V
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR346PT100QRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 400V 0.1A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 10mA, 10V
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+19.96 грн
2000+17.51 грн
3000+16.63 грн
5000+14.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR372P5T100QRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 0.7A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR372P5T100QROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 0.7A; 500mW; SC62,SOT89
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Frequency: 390MHz
Case: SC62; SOT89
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.7A
Power dissipation: 0.5W
Collector-emitter voltage: 120V
Current gain: 120...270
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR372P5T100QRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
211+67.35 грн
431+32.90 грн
473+30.00 грн
475+28.81 грн
583+21.74 грн
1000+19.52 грн
Мінімальне замовлення: 211 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR372P5T100QROHMDescription: ROHM - 2SCR372P5T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 700 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 220MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR372P5T100QRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 0.7A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.57 грн
10+40.24 грн
100+26.27 грн
500+19.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR372P5T100QRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
403+35.18 грн
420+33.77 грн
500+32.56 грн
1000+30.36 грн
2500+27.29 грн
Мінімальне замовлення: 403 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR372P5T100QRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
217+65.55 грн
444+31.93 грн
485+29.28 грн
487+28.11 грн
598+21.20 грн
Мінімальне замовлення: 217 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR372P5T100QROHMDescription: ROHM - 2SCR372P5T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 700 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 220MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.21 грн
21+39.63 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR372P5T100QROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 120V Vceo 700mA Ic MPT3
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.63 грн
10+43.27 грн
100+24.65 грн
500+18.98 грн
1000+17.12 грн
2000+14.84 грн
5000+13.39 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR372P5T100RRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR372P5T100RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 0.7A MPT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 220MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR372P5T100RRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+21.20 грн
37+20.54 грн
50+19.49 грн
100+17.75 грн
250+16.77 грн
500+16.48 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR372P5T100RROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 120V Vceo 700mA Ic MPT3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR372P5T100RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 0.7A MPT3
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 220MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR372PFRAT100QRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 0.7A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR372PFRAT100QROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 120V 0.7A 1E+21W SOT-89
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR372PFRAT100QRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 0.7A MPT3
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 220MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR372PFRAT100RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 0.7A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR372PFRAT100RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 0.7A MPT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 220MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR372PFRAT100RROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 120V 0.7A 1E+21W SOT-89
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR372PHZGT100QRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 0.7A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
736+19.28 грн
741+19.16 грн
769+18.44 грн
Мінімальне замовлення: 736 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR372PHZGT100QROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN, SOT-89, 120V 0.7A, Medium Power Transistor
на замовлення 1957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.87 грн
10+60.42 грн
100+34.59 грн
500+27.20 грн
1000+23.20 грн
2000+17.95 грн
5000+16.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR372PHZGT100QRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 0.7A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR372PHZGT100QRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 0.7A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
288+49.38 грн
300+47.40 грн
500+45.69 грн
Мінімальне замовлення: 288 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR372PHZGT100QRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 0.7A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR372PHZGT100QRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 0.7A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
172+82.69 грн
244+58.26 грн
Мінімальне замовлення: 172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR372PT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
441+32.15 грн
Мінімальне замовлення: 441 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR372PT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR372PT100QROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT Trans GP BJT NPN 120V 0.7A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR372PT100QRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 0.7A MPT3
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 220MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR372PT100RRohm Semiconductor2SCR372PT100R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
491+28.89 грн
510+27.84 грн
1000+26.93 грн
Мінімальне замовлення: 491 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR372PT100RROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT Trans GP BJT NPN 120V 0.7A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR372PT100RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 0.7A MPT3
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 220MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR372PT100RRohm Semiconductor2SCR372PT100R
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
491+28.89 грн
510+27.84 грн
Мінімальне замовлення: 491 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR375P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR375P5T100QRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 1.5A MPT3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR375P5T100QROHMDescription: ROHM - 2SCR375P5T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+80.54 грн
16+50.42 грн
100+32.94 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR375P5T100QRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 9730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+48.15 грн
307+46.21 грн
500+44.55 грн
1000+41.55 грн
2500+37.34 грн
5000+34.88 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR375P5T100QROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 120V Vceo 1.5A Ic MPT3
на замовлення 11955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.77 грн
10+47.55 грн
100+31.69 грн
500+25.06 грн
1000+19.95 грн
2000+18.09 грн
5000+17.05 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR375P5T100QRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 1.5A MPT3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR375P5T100QROHMDescription: ROHM - 2SCR375P5T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.94 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR375P5T100QRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 1.5A 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+23.84 грн
33+23.11 грн
35+21.96 грн
50+20.97 грн
100+18.52 грн
250+17.54 грн
500+17.48 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR375P5T100RROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 120V Vceo 1.5A Ic MPT3
на замовлення 1963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.73 грн
10+44.62 грн
100+25.40 грн
500+19.67 грн
1000+17.67 грн
2000+15.33 грн
5000+13.88 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR375P5T100RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 1.5A MPT3
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.26 грн
10+42.18 грн
100+31.52 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR375P5T100RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 1.5A MPT3
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.26 грн
10+43.15 грн
100+33.08 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR375P5T100RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 1.5A MPT3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR375PHZGT100QRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 1.5A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
613+23.13 грн
617+23.01 грн
665+21.33 грн
1000+19.98 грн
Мінімальне замовлення: 613 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR375PHZGT100QRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 1.5A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 80mA, 800mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR375PHZGT100QROHMDescription: ROHM - 2SCR375PHZGT100Q - Transistor, Bipolar, NPN, 120 V, 1.5 A, SOT-89, AEC-Q101, 120 hFE
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2W
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 1.5A
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.91 грн
500+30.36 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR375PHZGT100QRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 1.5A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
280+50.77 грн
291+48.73 грн
500+46.98 грн
Мінімальне замовлення: 280 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR375PHZGT100QRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 1.5A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 80mA, 800mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.55 грн
10+49.43 грн
100+32.56 грн
500+23.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR375PHZGT100QROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN, SOT-89, 120V 1.5A, Middle Power Transistor
на замовлення 1078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.20 грн
10+55.81 грн
100+32.03 грн
500+24.85 грн
1000+24.16 грн
2000+19.67 грн
5000+17.88 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR375PT100QRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
429+33.05 грн
Мінімальне замовлення: 429 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR375PT100QRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR375PT100RRohm Semiconductor2SCR375PT100R
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
518+27.40 грн
537+26.41 грн
Мінімальне замовлення: 518 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502E3HZGTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
573+24.74 грн
595+23.84 грн
1000+23.07 грн
2500+21.59 грн
Мінімальне замовлення: 573 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502E3HZGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 0.5A EMT3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT3
Frequency - Transition: 360MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502E3HZGTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN, SOT-416, 30V 500mA, General Purpose Amplification Transistor
на замовлення 4395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.89 грн
17+19.29 грн
100+10.63 грн
500+7.94 грн
1000+7.11 грн
3000+6.35 грн
6000+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502E3HZGTLROHMDescription: ROHM - 2SCR502E3HZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.28 грн
500+12.71 грн
1000+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502E3HZGTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1557+9.11 грн
1563+9.07 грн
1921+7.38 грн
2055+6.65 грн
Мінімальне замовлення: 1557 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502E3HZGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 0.5A EMT3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT3
Frequency - Transition: 360MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.29 грн
17+17.95 грн
100+11.39 грн
500+8.00 грн
1000+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502E3HZGTLROHMDescription: ROHM - 2SCR502E3HZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 360
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+31.09 грн
31+26.18 грн
100+18.28 грн
500+12.71 грн
1000+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502E3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 0.5A EMT3
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT3
Frequency - Transition: 360MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.19 грн
26+11.52 грн
100+7.19 грн
500+4.98 грн
1000+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502E3TLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN, SOT-416, 30V 0.5A, General Purpose Transistor
на замовлення 5651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+20.78 грн
26+12.38 грн
100+6.70 грн
500+4.97 грн
1000+4.42 грн
3000+4.00 грн
6000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502E3TLROHMDescription: ROHM - 2SCR502E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.64 грн
103+7.88 грн
500+5.00 грн
1000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502E3TLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.5A 150mW 3-Pin EMT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 445 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502E3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 0.5A EMT3
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT3
Frequency - Transition: 360MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502E3TLROHMDescription: ROHM - 2SCR502E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+20.94 грн
64+12.64 грн
103+7.88 грн
500+5.00 грн
1000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502EBHZGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 0.5A EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.19 грн
26+11.52 грн
100+7.19 грн
500+4.98 грн
1000+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502EBHZGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 0.5A EMT3F
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Frequency - Transition: 360MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502EBHZGTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 30V 0.5A 0.15W SOT-416FL
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+20.78 грн
26+12.38 грн
100+6.70 грн
500+4.97 грн
1000+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502EBTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Digital Transtr Driver
на замовлення 5785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+16.59 грн
32+10.08 грн
100+5.52 грн
500+4.00 грн
1000+3.59 грн
3000+3.11 грн
6000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502EBTLROHMDescription: ROHM - 2SCR502EBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502EBTLRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 0.5A 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1505+9.42 грн
1555+9.12 грн
2500+8.85 грн
5000+8.30 грн
10000+7.50 грн
Мінімальне замовлення: 1505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502EBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 0.5A EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 2489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.53 грн
32+9.42 грн
100+5.87 грн
500+4.04 грн
1000+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502EBTLRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 0.5A 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 47395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4156+3.41 грн
4167+3.40 грн
4886+2.90 грн
5155+2.65 грн
6000+2.30 грн
12000+2.20 грн
24000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 4156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502EBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 0.5A EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502EBTLROHMDescription: ROHM - 2SCR502EBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502EBTLRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 0.5A 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 5120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1505+9.42 грн
1555+9.12 грн
2500+8.85 грн
5000+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 1505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502U3HZGT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 0.5A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502U3HZGT106ROHMDescription: ROHM - 2SCR502U3HZGT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+37.77 грн
35+23.03 грн
100+14.98 грн
500+10.25 грн
1000+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502U3HZGT106ROHMDescription: ROHM - 2SCR502U3HZGT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.98 грн
500+10.25 грн
1000+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502U3HZGT106Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.5A 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin UMT T/R
на замовлення 1773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
610+23.26 грн
633+22.42 грн
1000+21.69 грн
Мінімальне замовлення: 610 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502U3HZGT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 0.5A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.85 грн
16+18.85 грн
100+11.29 грн
500+9.82 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502U3HZGT106ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 30V 0.5A 0.2W SOT-323
на замовлення 3241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.91 грн
16+20.40 грн
100+11.53 грн
500+8.49 грн
1000+7.94 грн
3000+6.77 грн
6000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502U3T106Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.5A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 2918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2104+6.74 грн
2110+6.72 грн
2363+6.00 грн
2455+5.57 грн
Мінімальне замовлення: 2104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502U3T106Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 0.5A UMT3
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: UMT3
Frequency - Transition: 360MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502U3T106ROHMDescription: ROHM - 2SCR502U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+25.85 грн
52+15.79 грн
100+9.91 грн
500+6.87 грн
1000+5.65 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502U3T106Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.5A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 2502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1713+8.28 грн
1769+8.01 грн
2500+7.78 грн
Мінімальне замовлення: 1713 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502U3T106ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Gen Purpse Trans UMT3
на замовлення 5089 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.44 грн
18+18.26 грн
100+10.01 грн
500+7.46 грн
1000+6.63 грн
3000+5.87 грн
6000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502U3T106ROHMDescription: ROHM - 2SCR502U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.91 грн
500+6.87 грн
1000+5.65 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502U3T106Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.5A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 2735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
731+19.40 грн
758+18.70 грн
1000+18.10 грн
2500+16.93 грн
Мінімальне замовлення: 731 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502U3T106Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 0.5A UMT3
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: UMT3
Frequency - Transition: 360MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.51 грн
18+17.05 грн
100+10.76 грн
500+7.54 грн
1000+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 13 26 39 52 65 78 91 104 117 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 134  [ Наступна Сторінка >> ]