Продукція > 2SC
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SCR341QTR | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 100mA Ic 400V TSMT6 | на замовлення 3643 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR341QTR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 400V 0.1A TSMT6 Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 10mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2mA, 20mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR341QTR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 400V 0.1A TSMT6 Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 10mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2mA, 20mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR341QTRP | Rohm Semiconductor | NPN Middle Power Transistor | на замовлення 1805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR341QTRP | Rohm Semiconductor | NPN Middle Power Transistor | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR341QTRQ | ROHM | Description: ROHM - 2SCR341QTRQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 100 mA, 500 mW, TSMT, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120 DC-Stromverstärkung hFE: 120 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 500 Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR346PT100P | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 0.1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR346PT100P | ROHM | Description: ROHM - 2SCR346PT100P - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 100 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR346PT100P | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 0.1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR346PT100P | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 0.1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR346PT100P | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 0.1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 1364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 421 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR346PT100P | ROHM | Description: ROHM - 2SCR346PT100P - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 100 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR346PT100P | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 400V Vceo 100mA Ic MPT3 | на замовлення 1004 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR346PT100P | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 0.1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR346PT100P | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 0.1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 224 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR346PT100P | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 0.1A; 500mW; SC62,SOT89 Case: SC62; SOT89 Mounting: SMD Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.5W Current gain: 82...180 Collector-emitter voltage: 400V Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR346PT100P | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 0.1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR346PT100Q | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 400V Vceo 100mA Ic MPT3 | на замовлення 1558 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR346PT100Q | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 400V 0.1A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 10mA, 10V Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 500 mW | на замовлення 740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR346PT100Q | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 0.1A; 500mW; SC62,SOT89 Case: SC62; SOT89 Mounting: SMD Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.5W Current gain: 120...270 Collector-emitter voltage: 400V Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR346PT100Q | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 400V 0.1A MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 10mA, 10V Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR372P5T100Q | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR372P5T100Q | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 0.7A; 500mW; SC62,SOT89 Mounting: SMD Polarisation: bipolar Frequency: 390MHz Case: SC62; SOT89 Type of transistor: NPN Kind of package: reel; tape Collector current: 0.7A Power dissipation: 0.5W Collector-emitter voltage: 120V Current gain: 120...270 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR372P5T100Q | ROHM | Description: ROHM - 2SCR372P5T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 700 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 700mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 220MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR372P5T100Q | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 1795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR372P5T100Q | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 120V 0.7A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 220MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 500 mW | на замовлення 892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR372P5T100Q | ROHM | Description: ROHM - 2SCR372P5T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 700 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 700mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 220MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 63 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR372P5T100Q | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 120V Vceo 700mA Ic MPT3 | на замовлення 1967 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR372P5T100Q | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR372P5T100Q | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 120V 0.7A MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 220MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR372P5T100R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 120V 0.7A MPT3 Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Part Status: Active Supplier Device Package: MPT3 Frequency - Transition: 220MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR372P5T100R | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR372P5T100R | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 120V Vceo 700mA Ic MPT3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR372P5T100R | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR372P5T100R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 120V 0.7A MPT3 Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Part Status: Active Supplier Device Package: MPT3 Frequency - Transition: 220MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR372PFRAT100Q | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 120V 0.7A 1E+21W SOT-89 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR372PFRAT100Q | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 120V 0.7A MPT3 Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: MPT3 Frequency - Transition: 220MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR372PFRAT100Q | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 120V 0.7A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 220MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR372PFRAT100R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 120V 0.7A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 220MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR372PFRAT100R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 120V 0.7A MPT3 Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: MPT3 Frequency - Transition: 220MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR372PFRAT100R | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 120V 0.7A 1E+21W SOT-89 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR372PHZGT100Q | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 0.7A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR372PHZGT100Q | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN, SOT-89, 120V 0.7A, Medium Power Transistor | на замовлення 1957 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR372PHZGT100Q | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 120V 0.7A SOT-89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 220MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR372PHZGT100Q | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 0.7A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR372PHZGT100Q | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 120V 0.7A SOT-89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 220MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR372PHZGT100Q | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 0.7A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR372PT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR372PT100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR372PT100Q | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Trans GP BJT NPN 120V 0.7A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR372PT100Q | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 120V 0.7A MPT3 Power - Max: 2 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Supplier Device Package: MPT3 Frequency - Transition: 220MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR372PT100R | Rohm Semiconductor | 2SCR372PT100R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR372PT100R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 120V 0.7A MPT3 Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Supplier Device Package: MPT3 Frequency - Transition: 220MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 2 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR372PT100R | Rohm Semiconductor | 2SCR372PT100R | на замовлення 938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR372PT100R | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Trans GP BJT NPN 120V 0.7A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR375P5T100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR375P5T100Q | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 1.5A 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR375P5T100Q | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 120V 1.5A MPT3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR375P5T100Q | ROHM | Description: ROHM - 2SCR375P5T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR375P5T100Q | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 120V Vceo 1.5A Ic MPT3 | на замовлення 11955 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR375P5T100Q | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 9730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR375P5T100Q | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 120V 1.5A MPT3 | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR375P5T100Q | ROHM | Description: ROHM - 2SCR375P5T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR375P5T100R | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 120V Vceo 1.5A Ic MPT3 | на замовлення 1963 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR375P5T100R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 120V 1.5A MPT3 | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR375P5T100R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 120V 1.5A MPT3 | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR375P5T100R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 120V 1.5A MPT3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR375PHZGT100Q | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 120V 1.5A SOT-89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 80mA, 800mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 200mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR375PHZGT100Q | ROHM | Description: ROHM - 2SCR375PHZGT100Q - Transistor, Bipolartransistor, NPN, 120V, 1.5A, SOT-89, AEC-Q101, 120hFE tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 2W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR375PHZGT100Q | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 1.5A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR375PHZGT100Q | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 120V 1.5A SOT-89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 80mA, 800mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 200mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 500 mW | на замовлення 1263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR375PHZGT100Q | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN, SOT-89, 120V 1.5A, Middle Power Transistor | на замовлення 973 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR375PHZGT100Q | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 1.5A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 844 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR375PT100Q | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR375PT100Q | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT | на замовлення 348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR375PT100R | Rohm Semiconductor | 2SCR375PT100R | на замовлення 984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR502E3HZGTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR502E3HZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 0.5A EMT3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Active Supplier Device Package: EMT3 Frequency - Transition: 360MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR502E3HZGTL | ROHM | Description: ROHM - 2SCR502E3HZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR502E3HZGTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN, SOT-416, 30V 500mA, General Purpose Amplification Transistor | на замовлення 4395 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR502E3HZGTL | ROHM | Description: ROHM - 2SCR502E3HZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150 Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 360 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR502E3HZGTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR502E3HZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 0.5A EMT3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Active Supplier Device Package: EMT3 Frequency - Transition: 360MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2937 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR502E3TL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 150mW 3-Pin EMT | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 445 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR502E3TL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 0.5A EMT3 Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Active Supplier Device Package: EMT3 Frequency - Transition: 360MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR502E3TL | ROHM | Description: ROHM - 2SCR502E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 360MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR502E3TL | ROHM | Description: ROHM - 2SCR502E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 360MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR502E3TL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN, SOT-416, 30V 0.5A, General Purpose Transistor | на замовлення 5651 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR502E3TL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 0.5A EMT3 Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Active Supplier Device Package: EMT3 Frequency - Transition: 360MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR502EBHZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 0.5A EMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 360MHz Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 150 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR502EBHZGTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 30V 0.5A 0.15W SOT-416FL | на замовлення 2986 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR502EBHZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 0.5A EMT3F Qualification: AEC-Q101 Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Grade: Automotive Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Frequency - Transition: 360MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-89, SOT-490 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR502EBTL | ROHM | Description: ROHM - 2SCR502EBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416FL Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 360MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR502EBTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.5A 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 5120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR502EBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Digital Transtr Driver | на замовлення 5785 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR502EBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 0.5A EMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 360MHz Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 150 mW | на замовлення 2489 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR502EBTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.5A 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR502EBTL | ROHM | Description: ROHM - 2SCR502EBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416FL Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 360MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR502EBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 0.5A EMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 360MHz Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 150 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR502EBTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.5A 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 47395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

