Продукція > 2sc

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 13 26 39 52 65 78 91 104 117 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
2SCR513RTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 1A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 4730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.40 грн
10+31.56 грн
100+20.32 грн
500+14.51 грн
1000+13.04 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 1A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
494+28.59 грн
Мінімальне замовлення: 494 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 1A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 36289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
350+40.32 грн
546+25.87 грн
725+19.48 грн
1000+16.61 грн
3000+13.36 грн
6000+11.81 грн
9000+10.51 грн
15000+10.43 грн
21000+10.02 грн
Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 1A 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 2121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
352+40.10 грн
367+38.49 грн
500+37.10 грн
1000+34.61 грн
Мінімальне замовлення: 352 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513RTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 1A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513RTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT Trans GP BJT NPN 50V 1A
на замовлення 4433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 1A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 1438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
343+44.44 грн
Мінімальне замовлення: 343 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 1A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 6600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
722+19.56 грн
Мінімальне замовлення: 722 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514PROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
679+20.79 грн
705+20.04 грн
1000+19.39 грн
Мінімальне замовлення: 679 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514P5T100ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.7A; 500mW; SC62,SOT89
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Frequency: 320MHz
Case: SC62; SOT89
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.7A
Power dissipation: 0.5W
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 120...390
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 7509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
279+50.70 грн
290+48.67 грн
500+46.91 грн
1000+43.75 грн
2500+39.32 грн
5000+36.73 грн
Мінімальне замовлення: 279 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514P5T100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 0.7A MPT3
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 300mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.19 грн
12+26.21 грн
100+15.73 грн
500+13.67 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
756+18.67 грн
Мінімальне замовлення: 756 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
924+15.29 грн
1009+14.00 грн
Мінімальне замовлення: 924 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514P5T100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 0.7A MPT3
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 300mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514P5T100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 80V Vceo 700mA Ic MPT3
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
410+34.47 грн
Мінімальне замовлення: 410 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514PFRAT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 0.7A MPT3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 300mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514PFRAT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN SOT-89 0.7A 120 to 390hFE 80V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514PFRAT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 0.7A MPT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 300mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514PFRAT100ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.7A; 500mW; SC62,SOT89
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Frequency: 320MHz
Case: SC62; SOT89
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.7A
Power dissipation: 0.5W
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 120...390
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514PHZGT100ROHMDescription: ROHM - 2SCR514PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 700mA
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514PHZGT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN, SOT-89, 80V 0.7A, Medium Power Transistor
на замовлення 2853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514PHZGT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 0.7A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514PHZGT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.7A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 329 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514PHZGT100ROHMDescription: ROHM - 2SCR514PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514PHZGT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.7A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
285+49.52 грн
Мінімальне замовлення: 285 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514PHZGT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.7A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514PHZGT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 0.7A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.48 грн
10+39.76 грн
100+25.80 грн
500+18.59 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514PHZGT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.7A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514PT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 0.7A MPT3
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 300mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.67 грн
10+33.14 грн
100+23.01 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514PT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+17.64 грн
806+17.53 грн
953+14.82 грн
1009+13.50 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514PT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
588+24.01 грн
Мінімальне замовлення: 588 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514PT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 0.7A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: MPT3
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514PT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 368 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514PT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 80V 700mA Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514RHZGTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.7A 1000mW 3-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
345+41.02 грн
359+39.37 грн
500+37.95 грн
1000+35.40 грн
2500+31.81 грн
Мінімальне замовлення: 345 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514RHZGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 0.7A TSMT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT3
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 300mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 2291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.16 грн
10+54.07 грн
100+35.53 грн
500+25.89 грн
1000+23.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514RHZGTLROHMDescription: ROHM - 2SCR514RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 700 mA, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-346T
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514RHZGTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT SOT346T 80V .7A MID-PWR TRANS
на замовлення 4901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514RHZGTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.7A 1000mW 3-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
678+20.82 грн
682+20.70 грн
839+16.82 грн
1000+15.20 грн
2000+13.97 грн
Мінімальне замовлення: 678 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514RHZGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 0.7A TSMT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT3
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 300mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514RHZGTLROHMDescription: ROHM - 2SCR514RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 700 mA, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-346T
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514RHZGTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.7A 1000mW Automotive 3-Pin TSMT
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
553+25.52 грн
Мінімальне замовлення: 553 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.7A 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 338 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514RTLROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.7A; 500mW; SC96
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Frequency: 320MHz
Case: SC96
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.7A
Power dissipation: 0.5W
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 120...390
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514RTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 0.7A TSMT3
Supplier Device Package: TSMT3
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 300mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514RTLROHMDescription: ROHM - 2SCR514RTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 700 mA, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-346T
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.7A 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
647+21.83 грн
671+21.04 грн
1000+20.35 грн
2500+19.04 грн
Мінімальне замовлення: 647 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514RTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 0.7A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.00 грн
10+36.22 грн
100+23.41 грн
500+16.79 грн
1000+15.11 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.7A 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 10123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
953+14.82 грн
960+14.70 грн
1133+12.47 грн
1200+11.34 грн
2000+10.44 грн
3000+9.62 грн
6000+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 953 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514RTLROHMDescription: ROHM - 2SCR514RTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 700 mA, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-346T
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514RTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Digital Transtr Driver
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR522EBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 20V 0.2A EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR522EBTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 0.2A 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5245+2.69 грн
5282+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 5245 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR522EBTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 0.2A 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 2821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2184+6.46 грн
2500+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 2184 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR522EBTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN, SOT-416FL, 20V 200mA, General Purpose Amplification Transistor
на замовлення 6919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR522EBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 20V 0.2A EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 2557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.51 грн
41+7.38 грн
100+4.53 грн
500+3.09 грн
1000+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR522MT2LROHMDescription: ROHM - 2SCR522MT2L - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 200 mA, 150 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR522MT2LROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN, SOT-723, 20V 200mA, General Purpose Amplification Transistor
на замовлення 5338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR522MT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 20V 0.2A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR522MT2LRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 10985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7390+1.91 грн
7463+1.89 грн
8065+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 7390 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR522MT2LRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 7384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1654+8.53 грн
1711+8.25 грн
2500+8.01 грн
5000+7.51 грн
Мінімальне замовлення: 1654 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR522MT2LROHMDescription: ROHM - 2SCR522MT2L - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 200 mA, 150 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 245 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR522MT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 20V 0.2A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 5174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.33 грн
25+12.05 грн
100+7.51 грн
500+5.18 грн
1000+4.58 грн
2000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR522MT2LRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1654+8.53 грн
1711+8.25 грн
2500+8.01 грн
5000+7.51 грн
Мінімальне замовлення: 1654 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR522MT2LROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 0.2A; 150mW; SOT723
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Frequency: 400MHz
Case: SOT723
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Collector-emitter voltage: 20V
Current gain: 120...560
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR522UBTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 13820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7463+1.89 грн
7500+1.88 грн
8288+1.70 грн
8572+1.59 грн
12000+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 7463 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR522UBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 20V 0.2A UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR522UBTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2137+6.60 грн
2500+6.41 грн
Мінімальне замовлення: 2137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR522UBTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT Trans GP BJT NPN 20V 0.2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR522UBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 20V 0.2A UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523EBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 0.1A EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 12704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.24 грн
22+14.01 грн
100+8.77 грн
500+6.08 грн
1000+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523EBTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 76440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2280+6.19 грн
2500+6.00 грн
5000+5.84 грн
10000+5.50 грн
25000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 2280 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523EBTLROHMDescription: ROHM - 2SCR523EBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 150 mW, SOT-416FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 350MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523EBTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN General Purpose Amplification Transistor
на замовлення 4717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523EBTLROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.1A; 150mW; SC75A,SOT416
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Frequency: 350MHz
Case: SC75A; SOT416
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 120...560
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523EBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 0.1A EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.98 грн
6000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523EBTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 2523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1464+9.64 грн
1676+8.42 грн
1890+7.47 грн
2000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 1464 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523EBTLROHMDescription: ROHM - 2SCR523EBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 150 mW, SOT-416FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 350MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523MT2LROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.1A; 150mW; SOT723
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Frequency: 350MHz
Case: SOT723
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 120...560
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523MT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 0.1A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 20017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.33 грн
25+12.05 грн
100+7.52 грн
500+5.19 грн
1000+4.59 грн
2000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523MT2LRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 15500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2569+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 2569 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523MT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 0.1A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.64 грн
16000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523MT2LRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 58398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
725+19.47 грн
753+18.76 грн
1000+18.15 грн
2500+16.98 грн
5000+15.30 грн
10000+14.33 грн
25000+14.02 грн
Мінімальне замовлення: 725 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523MT2LROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN SOT723 50V
на замовлення 15425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523UBTLROHMDescription: ROHM - 2SCR523UBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 350MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523UBTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 90365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6173+2.29 грн
7212+1.96 грн
7654+1.84 грн
12000+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 6173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523UBTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1684+8.38 грн
1741+8.11 грн
2500+7.87 грн
5000+7.38 грн
10000+6.67 грн
25000+6.27 грн
Мінімальне замовлення: 1684 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523UBTLROHMDescription: ROHM - 2SCR523UBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 350MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523UBTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT Trans NPN GP 50V 0.1A
на замовлення 9939 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523UBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 0.1A UMT3F
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: UMT3F
Frequency - Transition: 350MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-85
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 30785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.30 грн
39+7.76 грн
100+4.79 грн
500+3.27 грн
1000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523UBTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1684+8.38 грн
1741+8.11 грн
2500+7.87 грн
5000+7.38 грн
10000+6.67 грн
25000+6.27 грн
Мінімальне замовлення: 1684 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523UBTLROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.1A; 200mW; SOT323F
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Frequency: 350MHz
Case: SOT323F
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 120...560
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523UBTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 1138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 848 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523UBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 0.1A UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.61 грн
6000+2.24 грн
9000+2.10 грн
15000+1.82 грн
21000+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523UBTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1684+8.38 грн
1741+8.11 грн
2500+7.87 грн
5000+7.38 грн
10000+6.67 грн
Мінімальне замовлення: 1684 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523V1T2LROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT RECOMMENDED ALT 755-2SCR523MT2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523V1T2LRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 0.1A VML
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 13 26 39 52 65 78 91 104 117 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134  [ Наступна Сторінка >> ]