Продукція > FDM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 24 28 32 36 40  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDMC86340ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin Power QFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+71.67 грн
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340onsemiMOSFETs 80V N Chan Shielded Gate Power Trench
на замовлення 1026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+203.77 грн
10+129.40 грн
100+78.01 грн
500+62.96 грн
1000+58.06 грн
3000+55.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 4012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
273+129.94 грн
500+116.94 грн
1000+107.85 грн
Мінімальне замовлення: 273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86340 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 80 V, 48 A, 0.0065 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.56 грн
500+56.02 грн
1000+51.43 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 14A/48A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3885 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+60.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 48A; Idm: 200A; 54W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 48A
Power dissipation: 54W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+71.67 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
273+129.94 грн
Мінімальне замовлення: 273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340onsemi / FairchildMOSFET 80V N Chan Shielded Gate Power Trench
на замовлення 9243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.97 грн
10+111.14 грн
100+82.84 грн
250+79.39 грн
500+69.72 грн
1000+59.02 грн
3000+55.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340ET80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+190.18 грн
500+179.55 грн
Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340ET80onsemi / FairchildMOSFET FET 80V 6.5 MOHM PQFN33
на замовлення 5026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+240.81 грн
10+201.65 грн
25+172.59 грн
100+145.66 грн
500+133.24 грн
1000+114.60 грн
3000+109.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340ET80ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86340ET80 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+200.54 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340ET80onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 14A/68A POWER33
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 68A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2775 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340ET80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+290.47 грн
10+222.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340ET80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+152.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340ET80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+190.18 грн
500+179.55 грн
1000+170.10 грн
Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340ET80onsemiMOSFETs 80V N-Channel Shielded Gate Power Trench MOSFET
на замовлення 3237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+267.39 грн
10+188.15 грн
100+129.09 грн
500+111.84 грн
1000+109.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340ET80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340ET80onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 14A/68A POWER33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2775 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 68A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.19 грн
10+159.00 грн
100+130.88 грн
500+109.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340ET80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8651onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/20A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3365 pF @ 15 V
на замовлення 6340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.34 грн
10+91.54 грн
100+61.94 грн
500+46.24 грн
1000+42.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8651ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 41W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 41W
Case: PQFN8
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8651onsemiMOSFETs 30V N-Channel Power Trench
на замовлення 853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.83 грн
10+97.65 грн
100+57.16 грн
500+47.29 грн
1000+41.77 грн
3000+37.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8651onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/20A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3365 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.86 грн
6000+35.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8651ON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V N-Channel Power Trench
на замовлення 5300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8651ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 15A 8-Pin Power 33 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86520DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+163.01 грн
500+154.74 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86520DConsemi / FairchildMOSFETs 60V N-Chan DualCool PowerTrench MOSFET
на замовлення 10096 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+259.34 грн
10+174.66 грн
100+107.00 грн
500+95.27 грн
3000+80.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86520DConsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 17A/40A DLCOOL33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2790 pF @ 30 V
на замовлення 14875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+280.36 грн
10+177.32 грн
100+124.48 грн
500+95.64 грн
1000+88.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86520DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86520DCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86520DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0063 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 28826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+139.33 грн
500+99.47 грн
1000+89.74 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86520DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+163.01 грн
500+154.74 грн
1000+145.29 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86520DConsemiMOSFETs 60V N-Chan DualCool PowerTrench MOSFET
на замовлення 9596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+300.41 грн
10+194.50 грн
100+119.43 грн
500+100.10 грн
3000+93.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86520DConsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 17A/40A DLCOOL33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2790 pF @ 30 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+97.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86520DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+163.01 грн
500+154.74 грн
1000+145.29 грн
10000+132.13 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86520DCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86520DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0063 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 28826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+294.78 грн
10+191.68 грн
100+139.33 грн
500+99.47 грн
1000+89.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86520DCON Semiconductor
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86520DCON Semiconductor / FairchildMOSFET 60V N-Chan DualCool PowerTrench MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86520LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 13.5A/22A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4550 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+71.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86520LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86520L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 22 A, 0.0065 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+119.20 грн
500+78.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86520Lonsemi / FairchildMOSFET 60V N-Chnl Pwr Trench MOSFET
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+172.36 грн
10+150.05 грн
100+104.93 грн
250+102.17 грн
500+86.98 грн
1000+72.49 грн
3000+66.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86520LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 13.5A/22A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4550 pF @ 30 V
на замовлення 6635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.47 грн
10+122.95 грн
100+89.45 грн
500+72.01 грн
1000+67.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86520LONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; Idm: 60A; 40W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22A
Power dissipation: 40W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86520LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86520L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 22 A, 0.0065 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+197.32 грн
10+132.89 грн
100+96.65 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86570LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86570L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 3100 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+312.49 грн
10+203.77 грн
100+159.47 грн
500+123.40 грн
1000+106.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86570LON Semiconductor / FairchildMOSFET 60V N Chan Shielded Gate Power Trench
на замовлення 9578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86570LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86570Lonsemi / FairchildMOSFETs 60V N Chan Shielded Gate Power Trench
на замовлення 10398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+181.21 грн
10+146.87 грн
25+125.64 грн
100+98.72 грн
250+94.58 грн
500+84.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86570LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A/56A POWER33
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6705 pF @ 30 V
на замовлення 4308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+233.77 грн
10+164.38 грн
100+127.87 грн
500+103.19 грн
1000+88.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86570LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86570L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 3100 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+159.47 грн
500+123.40 грн
1000+106.31 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86570LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86570LonsemiMOSFETs 60V N Chan Shielded Gate Power Trench
на замовлення 3620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+291.55 грн
10+188.95 грн
100+115.29 грн
500+95.96 грн
3000+89.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86570LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A/56A POWER33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6705 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+95.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86570LET60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 8-Pin Power QFN EP T/R
на замовлення 10246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+151.20 грн
500+144.11 грн
1000+137.02 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86570LET60onsemi / FairchildMOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
на замовлення 5997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+242.42 грн
10+175.45 грн
100+107.00 грн
500+86.98 грн
1000+82.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86570LET60onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A/87A POWER33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 87A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+87.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86570LET60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 8-Pin Power QFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86570LET60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 8-Pin Power QFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86570LET60onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A/87A POWER33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 87A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+229.11 грн
10+150.62 грн
100+109.06 грн
500+87.30 грн
1000+81.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8676ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8676 - FDMC8676, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.59 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8676Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/18A POWER33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 14.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 4037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
398+58.25 грн
Мінімальне замовлення: 398 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8676ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 16A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
339+104.55 грн
500+94.08 грн
1000+86.78 грн
10000+74.59 грн
Мінімальне замовлення: 339 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8676
Код товару: 100756
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8676ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 16A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 2063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
339+104.55 грн
500+94.08 грн
1000+86.78 грн
Мінімальне замовлення: 339 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8676ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 16A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 1974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
339+104.55 грн
500+94.08 грн
1000+86.78 грн
Мінімальне замовлення: 339 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8678S
Код товару: 100757
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8678SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8678S - FDMC8678S, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
479+60.32 грн
Мінімальне замовлення: 479 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8678SonsemiDescription: 15A, 30V, 0.0052OHM, N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 15 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
398+58.25 грн
Мінімальне замовлення: 398 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8854onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3405 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8854FAI09+
на замовлення 568 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8854ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8854 - MOSFET, N, SMD, MLP
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8854onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3405 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8854ON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V N-Ch Power Trench MOSFET
на замовлення 3504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8854Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3405 pF @ 10 V
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
447+48.04 грн
Мінімальне замовлення: 447 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8878On SemiconductorMOSFET N-CH 30V 9.6A POWER33 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8878ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+79.51 грн
500+71.56 грн
1000+66.00 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8878ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16.5 A, 0.014 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 93544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+36.32 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8878ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8878onsemi / FairchildMOSFET 30V N-CH PowerTrench MOSFET
на замовлення 25534 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+107.92 грн
10+96.06 грн
100+64.89 грн
500+53.78 грн
1000+42.94 грн
3000+39.56 грн
6000+37.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8878onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/16.5A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8878ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+34.07 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8878ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16.5A; 31W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16.5A
Power dissipation: 31W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8878ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 317611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+79.51 грн
500+71.56 грн
1000+66.00 грн
10000+56.73 грн
100000+44.01 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8878ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.40 грн
10+100.65 грн
25+99.33 грн
50+57.47 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8878ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+79.51 грн
500+71.56 грн
1000+66.00 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8878ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8878onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/16.5A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 16.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.46 грн
10+84.51 грн
100+56.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8878ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8878_F126onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/16.5A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 16.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8882onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.5A/16A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 18W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.88 грн
6000+23.15 грн
9000+22.25 грн
15000+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8882ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 10.5A 8-Pin Power 33 EP T/R
на замовлення 2101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+53.58 грн
16+48.95 грн
25+48.46 грн
100+41.67 грн
250+37.73 грн
500+33.71 грн
1000+28.75 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8882ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8882 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0124 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.42 грн
500+29.77 грн
1000+25.54 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8882ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 10.5A 8-Pin Power 33 EP T/R
на замовлення 2101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
290+48.95 грн
293+48.46 грн
329+43.21 грн
336+40.75 грн
500+35.12 грн
1000+28.75 грн
Мінімальне замовлення: 290 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8882onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.5A/16A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 18W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 30235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.35 грн
10+41.28 грн
100+32.98 грн
500+29.30 грн
1000+26.70 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8882ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8882 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0124 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+87.79 грн
16+52.51 грн
100+38.42 грн
500+29.77 грн
1000+25.54 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8882onsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Channel Power Trench 174 MOSFET
на замовлення 9360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.12 грн
10+56.60 грн
100+34.93 грн
500+28.51 грн
1000+26.65 грн
3000+23.82 грн
6000+23.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8882ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 10.5A 8-Pin Power 33 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8884ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 23886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
871+40.73 грн
1000+37.56 грн
10000+33.49 грн
Мінімальне замовлення: 871 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 24 28 32 36 40  [ Наступна Сторінка >> ]