Продукція > FDM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDMC86520DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86520DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+162.65 грн
500+154.40 грн
1000+144.97 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86520Lonsemi / FairchildMOSFET 60V N-Chnl Pwr Trench MOSFET
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86520LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 13.5A/22A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4550 pF @ 30 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+77.37 грн
6000+70.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86520LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86520L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 22 A, 6500 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
на замовлення 2894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86520LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 13.5A/22A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4550 pF @ 30 V
на замовлення 21030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+260.23 грн
10+163.41 грн
50+125.79 грн
100+106.68 грн
500+86.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86520LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86520L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 22 A, 6500 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
на замовлення 2894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86520LONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; Idm: 60A; 40W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22A
Power dissipation: 40W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86570LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86570L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 3100 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86570LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86570LonsemiMOSFETs 60V N Chan Shielded Gate Power Trench
на замовлення 3620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86570LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A/56A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6705 pF @ 30 V
на замовлення 4308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+235.93 грн
10+165.90 грн
100+129.05 грн
500+104.14 грн
1000+89.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86570LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86570L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 3100 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86570LON Semiconductor / FairchildMOSFET 60V N Chan Shielded Gate Power Trench
на замовлення 9578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86570LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A/56A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6705 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+95.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86570LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86570Lonsemi / FairchildMOSFETs 60V N Chan Shielded Gate Power Trench
на замовлення 10398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86570LET60onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A/87A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+88.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86570LET60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 8-Pin Power QFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86570LET60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 8-Pin Power QFN EP T/R
на замовлення 10246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+150.86 грн
500+143.79 грн
1000+136.72 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86570LET60onsemi / FairchildMOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
на замовлення 5997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86570LET60onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A/87A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 30 V
на замовлення 3156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.23 грн
10+152.01 грн
100+110.07 грн
500+88.10 грн
1000+81.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86570LET60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 8-Pin Power QFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8676Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/18A POWER33
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 14.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 15 V
на замовлення 4037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
398+58.79 грн
Мінімальне замовлення: 398 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8676ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 16A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 2063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
339+104.31 грн
500+93.88 грн
1000+86.59 грн
Мінімальне замовлення: 339 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8676ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8676 - FDMC8676, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8676
Код товару: 100756
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8676ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 16A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 1974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
339+104.31 грн
500+93.88 грн
1000+86.59 грн
Мінімальне замовлення: 339 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8676ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 16A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
339+104.31 грн
500+93.88 грн
1000+86.59 грн
10000+74.43 грн
Мінімальне замовлення: 339 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8678SonsemiDescription: 15A, 30V, 0.0052OHM, N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 15 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
398+58.79 грн
Мінімальне замовлення: 398 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8678SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8678S - FDMC8678S, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 479 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8678S
Код товару: 100757
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8854ON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V N-Ch Power Trench MOSFET
на замовлення 3504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8854onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3405 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8854ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8854 - MOSFET, N, SMD, MLP
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8854Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3405 pF @ 10 V
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
319+64.42 грн
Мінімальне замовлення: 319 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8878ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.12 грн
10+100.43 грн
25+99.11 грн
50+57.34 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8878ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16.5 A, 0.014 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 93544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8878onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/16.5A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.74 грн
10+85.29 грн
100+57.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8878On SemiconductorMOSFET N-CH 30V 9.6A POWER33 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8878ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+79.34 грн
500+71.41 грн
1000+65.85 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8878ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8878ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8878ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16.5A; 31W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16.5A
Power dissipation: 31W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8878onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/16.5A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8878ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+79.34 грн
500+71.41 грн
1000+65.85 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8878ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8878onsemi / FairchildMOSFET 30V N-CH PowerTrench MOSFET
на замовлення 25534 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8878ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+33.99 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8878ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 317611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+79.34 грн
500+71.41 грн
1000+65.85 грн
10000+56.61 грн
100000+43.91 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8878_F126onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/16.5A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8882ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8882 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0124 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8882onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.5A/16A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.12 грн
6000+23.37 грн
9000+22.45 грн
15000+21.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8882onsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Channel Power Trench 174 MOSFET
на замовлення 9360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8882ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 10.5A 8-Pin Power 33 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8882ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8882 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0124 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8882ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 10.5A 8-Pin Power 33 EP T/R
на замовлення 2101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+53.46 грн
16+48.84 грн
25+48.35 грн
100+41.58 грн
250+37.65 грн
500+33.64 грн
1000+28.68 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8882onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.5A/16A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 15 V
на замовлення 30235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.92 грн
10+41.66 грн
100+33.29 грн
500+29.57 грн
1000+26.95 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8882ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 10.5A 8-Pin Power 33 EP T/R
на замовлення 2101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
290+48.84 грн
293+48.35 грн
329+43.12 грн
336+40.66 грн
500+35.04 грн
1000+28.68 грн
Мінімальне замовлення: 290 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8884ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
871+40.64 грн
1000+37.48 грн
Мінімальне замовлення: 871 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8884onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/15A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 685 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8884ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 309693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
871+40.64 грн
1000+37.48 грн
10000+33.42 грн
100000+26.99 грн
Мінімальне замовлення: 871 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8884ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 14382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
871+40.64 грн
1000+37.48 грн
10000+33.42 грн
Мінімальне замовлення: 871 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8884ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 23886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
871+40.64 грн
1000+37.48 грн
10000+33.42 грн
Мінімальне замовлення: 871 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8884Fairchild SemiconductorDescription: 9A, 30V, 0.019OHM, N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 685 pF @ 15 V
на замовлення 330019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
626+32.38 грн
Мінімальне замовлення: 626 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8884ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 22691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
871+40.64 грн
1000+37.48 грн
10000+33.42 грн
Мінімальне замовлення: 871 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8884ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 54870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
871+40.64 грн
1000+37.48 грн
10000+33.42 грн
Мінімальне замовлення: 871 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8884onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/15A 8MLP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 685 pF @ 15 V
на замовлення 22691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
626+32.38 грн
Мінімальне замовлення: 626 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8884ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 5326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
871+40.64 грн
1000+37.48 грн
Мінімальне замовлення: 871 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8884On SemiconductorMOSFET N-CH 30V 9A POWER33 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8884ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8884 - MOSFET, N CH, 30V, 15A, MLP 3.3X3.3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 24916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8884ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
871+40.64 грн
1000+37.48 грн
10000+33.42 грн
Мінімальне замовлення: 871 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8884onsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Channel Power Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8884-F126onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/15A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 685 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8884-F126ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8884-F126 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8884-F126onsemi / FairchildMOSFET 30V N-CHAN 9A 19mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8884-FSFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/15A 8MLP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 685 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8884_F126ON SemiconductorTRANS MOSFET N-CH 30V 9A 8-PIN POWER 33 T/R
на замовлення 2769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
871+40.64 грн
1000+37.48 грн
Мінімальне замовлення: 871 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC89521L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8.2 A, 8.2 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 16W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+150.62 грн
108+131.04 грн
109+129.97 грн
127+107.52 грн
250+93.62 грн
500+83.37 грн
1000+73.06 грн
3000+72.50 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521LONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 8.2A; Idm: 40A; 16W; Power33
Case: Power33
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
On-state resistance: 27mΩ
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 16W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521LonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8.2A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 16W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 5311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.85 грн
10+131.26 грн
100+90.39 грн
500+68.41 грн
1000+63.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521LON Semiconductor / FairchildMOSFET 60V Dual N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 5780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+84.19 грн
6000+81.34 грн
9000+79.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521Lonsemi / FairchildMOSFETs 60V Dual N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 6883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521LOn SemiconductorMOSFET 2N-CH 60V 8.2A POWER33 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.62 грн
10+131.04 грн
25+129.97 грн
100+107.52 грн
250+93.62 грн
500+83.37 грн
1000+73.06 грн
3000+72.50 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+75.83 грн
6000+73.26 грн
9000+71.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521LonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8.2A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 16W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+62.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC89521L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8.2 A, 8.2 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 16W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+80.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521LonsemiMOSFETs 60V Dual N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+112.04 грн
10+97.88 грн
100+84.83 грн
500+72.77 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+104.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC9430L-F085onsemi / FairchildMOSFETs 40V Dual NChnl LL PowerTrench MOSFET
на замовлення 5559 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC9430L-F085onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8WDFN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.25 грн
10+100.31 грн
50+76.05 грн
100+64.02 грн
500+51.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC9430L-F085onsemiMOSFETs 40V Dual NChnl LL PowerTrench MOSFET
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC9430L-F085ONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 12A; 11.4W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 12A
Power dissipation: 11.4W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC9430L-F085onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8WDFN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.