Продукція > IPB

Description: MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 83A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 75 V

на замовлення 4534 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	274.93 грн
10+	174.03 грн
100+	122.48 грн
500+	103.81 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB108N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB10N03

TO-263

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB10N03L

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB10N03L E3045A

TO-263

на замовлення 885 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB10N03LB

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB10N03LB

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1639 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB10N03LB

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB10N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1639 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB10N03LBG

MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB110N06L G

Description: MOSFET N-CH 60V 78A TO-263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 94µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 78A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB110N06LG

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB110N20N3LF

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 61A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 61A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB110N20N3LFATMA1

MOSFETs IFX FET >150 - 400V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB110N20N3LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 736 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	922.56 грн
22+	646.14 грн
50+	609.52 грн
100+	487.52 грн
200+	450.35 грн
500+	386.78 грн

Мінімальне замовлення: 16 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB110N20N3LFATMA1

Description: MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB110N20N3LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	338.59 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB110N20N3LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	338.59 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB110N20N3LFATMA1

Description: INFINEON - IPB110N20N3LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0098 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 2635 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	426.06 грн
50+	393.84 грн
200+	335.79 грн
500+	282.35 грн

Мінімальне замовлення: 10 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB110N20N3LFATMA1

Description: MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB110N20N3LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB110N20N3LFATMA1

на замовлення 2635 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	596.80 грн
10+	426.06 грн
50+	393.84 грн
200+	335.79 грн
500+	282.35 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB110P06LM

MOSFET P-CH 60V 100A TO263-3 Транзистори

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB110P06LM

Infineon TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB110P06LMATMA1

Description: INFINEON - IPB110P06LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 0.011 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm

на замовлення 1783 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	327.80 грн
10+	216.65 грн
50+	185.24 грн
200+	142.10 грн
500+	112.53 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB110P06LMATMA1

MOSFETs P-Channel

на замовлення 2539 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	309.27 грн
10+	203.24 грн
25+	173.28 грн
100+	125.64 грн
500+	115.29 грн
1000+	100.79 грн
2000+	98.03 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB110P06LMATMA1

Trans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB110P06LMATMA1

Description: MOSFET P-CH 60V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 5.55mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 281 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8500 pF @ 30 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	115.79 грн
2000+	104.57 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB110P06LMATMA1

Trans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 762 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	480.77 грн
42+	344.92 грн
55+	262.24 грн
100+	246.04 грн
200+	213.05 грн
500+	198.45 грн

Мінімальне замовлення: 30 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB110P06LMATMA1

Trans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB110P06LMATMA1

Description: INFINEON - IPB110P06LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 0.009 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3535 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	180.41 грн
200+	154.81 грн
500+	130.47 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB110P06LMATMA1

Trans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	194.81 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB110P06LMATMA1

Description: MOSFET P-CH 60V 100A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 5.55mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 281 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8500 pF @ 30 V

на замовлення 2358 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	323.86 грн
10+	205.66 грн
100+	145.45 грн
500+	114.20 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB114N03L G

INF

TO-263

на замовлення 26000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB114N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB114N03L G

MOSFET N-Ch 30V 30A D2PAK-2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB117N20NFD

MOSFETs N-Ch 200V 84A D2PAK-2

на замовлення 631 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	523.51 грн
10+	401.71 грн
25+	314.80 грн
100+	278.90 грн
250+	269.23 грн
1000+	227.81 грн
5000+	227.12 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB117N20NFD

Infineon technologies

на замовлення 559 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB117N20NFDATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 171000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	423.43 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB117N20NFDATMA1

Description: MOSFET N-CH 200V 84A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 84A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

на замовлення 1575 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	479.96 грн
10+	337.36 грн
100+	254.87 грн
500+	202.22 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB117N20NFDATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1635 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	631.97 грн
29+	504.39 грн
50+	472.50 грн
200+	454.49 грн
500+	381.80 грн

Мінімальне замовлення: 23 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB117N20NFDATMA1

MOSFET N-CH 200V 84A D2PAK Транзистори

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB117N20NFDATMA1

Description: INFINEON - IPB117N20NFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 84 A, 0.0103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS FD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2768 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	515.45 грн
5+	450.22 грн
10+	384.17 грн
50+	318.59 грн
100+	258.88 грн
250+	256.12 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB117N20NFDATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB117N20NFDATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	329.52 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB117N20NFDATMA1

Description: MOSFET N-CH 200V 84A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 84A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 100 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	214.12 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB117N20NFDATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	328.28 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB117N20NFDATMA1

на замовлення 2873 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	411.56 грн
50+	323.77 грн
200+	296.90 грн
500+	271.30 грн

Мінімальне замовлення: 10 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB117N20NFDATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB117N20NFDATMA1

MOSFETs N-Ch 200V 84A D2PAK-2

на замовлення 2431 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	535.59 грн
10+	389.01 грн
25+	327.22 грн
100+	256.81 грн
250+	254.74 грн
500+	236.79 грн

В кошику од. на суму грн.

IPB11N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 30A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1358 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB11N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 30A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1358 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB11N03LAG

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB11N06LG

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB120N03S4L03ATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

195+	103.30 грн

Мінімальне замовлення: 195 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB120N03S4L03ATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB120N03S4L03ATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S3-02

MOSFET N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S3-02

Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S3-02

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S302ATMA1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S4-01

MOSFETs N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2

на замовлення 708 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	266.59 грн
10+	172.27 грн
100+	104.24 грн
500+	85.60 грн
1000+	79.39 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S4-02

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S4-02

MOSFETs N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2

на замовлення 862 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	224.71 грн
10+	143.69 грн
100+	95.96 грн
500+	82.84 грн
1000+	69.72 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S401ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1811 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	241.53 грн
10+	151.82 грн
100+	106.02 грн
500+	86.97 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S401ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S401ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	80.78 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S401ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S401ATMA1

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S401ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 16000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	156.78 грн
8000+	143.27 грн
12000+	133.31 грн
16000+	121.23 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S402ATMA1

Description: INFINEON - IPB120N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1880 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1880µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 3820 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	109.53 грн
500+	82.27 грн
1000+	69.72 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S402ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 2290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

52+	275.30 грн
75+	191.04 грн
103+	138.38 грн
500+	115.08 грн
1000+	100.27 грн
2000+	95.29 грн

Мінімальне замовлення: 52 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S402ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

81+	176.72 грн
99+	143.64 грн
112+	127.58 грн
500+	118.46 грн
1000+	102.09 грн
2000+	94.07 грн

Мінімальне замовлення: 81 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S402ATMA1

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S402ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10740 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1601 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	219.01 грн
10+	136.86 грн
100+	95.02 грн
500+	75.98 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S402ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	104.03 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S402ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 4241 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

216+	164.19 грн
500+	147.66 грн
1000+	135.84 грн

Мінімальне замовлення: 216 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S402ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 362 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	115.14 грн
10+	114.37 грн
25+	113.61 грн
100+	108.81 грн
250+	100.07 грн

Мінімальне замовлення: 7 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S402ATMA1

Description: INFINEON - IPB120N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1880 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 158W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1880µohm

на замовлення 3820 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	224.71 грн
10+	145.78 грн
100+	109.53 грн
500+	82.27 грн
1000+	69.72 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S402ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	110.97 грн
2000+	109.87 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S402ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 362 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

124+	114.37 грн
125+	113.61 грн
126+	112.84 грн
250+	108.07 грн

Мінімальне замовлення: 124 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S402ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10740 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	71.93 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S402ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	110.97 грн
2000+	109.87 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S402ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

216+	164.19 грн

Мінімальне замовлення: 216 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S402ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 2290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	273.41 грн
10+	189.73 грн
100+	137.43 грн
500+	114.29 грн
1000+	99.58 грн
2000+	94.64 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S402ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	102.72 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S402ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	95.56 грн
2000+	92.66 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S402ATMA1

MOSFETs N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2

на замовлення 949 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	87.79 грн
10+	81.77 грн
100+	66.48 грн
500+	64.68 грн
1000+	63.30 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S404ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

246+	144.11 грн
500+	129.94 грн
1000+	119.31 грн

Мінімальне замовлення: 246 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S404ATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S404ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S4L02ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14560 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 445 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	183.29 грн
10+	130.20 грн
100+	101.74 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S4L02ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S4L02ATMA1

MOSFETs N-CHANNEL 30/40V

на замовлення 319 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	244.84 грн
10+	157.19 грн
100+	95.96 грн
500+	82.84 грн
1000+	69.72 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S4L02ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1413 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

216+	164.19 грн
500+	147.66 грн
1000+	135.84 грн

Мінімальне замовлення: 216 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S4L02ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14560 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S4L02ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S4L02ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 11000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	116.07 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB120N06N G

Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 30 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPB120N06N G