Продукція > IPD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 24 28 32 36 40 42  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPD180N10N3GBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD180N10N3GBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD180N10N3GBTMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 43A DPAK-2 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD180N10N3GBTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 43A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD18DP10LMATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.04mA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 178mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 13.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.70 грн
10+79.65 грн
100+53.70 грн
500+39.97 грн
1000+37.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD18DP10LMATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD18DP10LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13.9 A, 0.1403 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1403ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1403ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+70.96 грн
500+55.87 грн
1000+41.97 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD18DP10LMATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.67 грн
10+84.15 грн
100+48.05 грн
500+39.21 грн
1000+35.83 грн
2500+31.62 грн
5000+31.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD18DP10LMATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.04mA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 178mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 13.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD18DP10LMATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD18DP10LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13.9 A, 0.1403 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1403ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.84 грн
50+83.76 грн
100+70.96 грн
500+55.87 грн
1000+41.97 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD1928497938-EF01TE ConnectivityDescription: DT PLUG 2WAY EF01-SEAL MARKING 8
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+178.63 грн
403+158.55 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD1928497939-EF01TE ConnectivityDescription: DT PLUG 2WAY EF01-SEAL MARKING 3
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+1309.40 грн
45+1161.44 грн
300+1115.82 грн
800+1004.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD1928497941-EF01TE ConnectivityDescription: DT PLUG 3WAY EF01-SEAL MARKING 2
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+206.58 грн
324+182.48 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD19DP10NMATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 4469 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.59 грн
10+80.98 грн
100+51.15 грн
500+40.59 грн
1000+36.10 грн
2500+31.62 грн
10000+30.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD19DP10NMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD19DP10NMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+62.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD19DP10NMATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), 13.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 186mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.04mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V
на замовлення 2548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.37 грн
10+78.23 грн
100+52.55 грн
500+38.97 грн
1000+35.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD19DP10NMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+62.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD19DP10NMATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD19DP10NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13.7 A, 0.1479 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1479ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1479ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+69.83 грн
500+54.97 грн
1000+39.69 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD19DP10NMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+104.42 грн
146+97.10 грн
174+81.74 грн
200+74.49 грн
500+68.77 грн
1000+58.52 грн
2000+55.08 грн
2500+54.88 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD19DP10NMATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), 13.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 186mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.04mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD19DP10NMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD19DP10NMATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD19DP10NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13.7 A, 0.1479 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1479ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.84 грн
10+95.04 грн
100+69.83 грн
500+54.97 грн
1000+39.69 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD200N15N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 150V 50A DPAK-2 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD200N15N3 GInfineon
на замовлення 2322 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD200N15N3GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+209.36 грн
71+201.39 грн
100+194.56 грн
250+181.91 грн
500+163.86 грн
1000+153.45 грн
2500+150.07 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD200N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+271.66 грн
10+226.69 грн
25+213.27 грн
100+171.19 грн
250+148.87 грн
500+124.53 грн
1000+98.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD200N15N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD200N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 33705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+202.96 грн
50+124.03 грн
100+95.84 грн
500+74.11 грн
1000+63.72 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD200N15N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 6859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.67 грн
10+100.03 грн
100+73.87 грн
500+67.10 грн
1000+66.48 грн
2500+57.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD200N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+271.66 грн
63+226.69 грн
67+213.27 грн
100+171.19 грн
250+148.87 грн
500+124.53 грн
1000+98.16 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD200N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+285.55 грн
56+255.43 грн
100+233.75 грн
200+223.07 грн
500+183.96 грн
1000+162.14 грн
2000+147.69 грн
2500+145.61 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD200N15N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V
на замовлення 29056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.85 грн
10+156.83 грн
100+108.43 грн
500+82.33 грн
1000+76.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD200N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+100.05 грн
5000+99.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD200N15N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD200N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 21052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+86.18 грн
500+68.80 грн
1000+63.10 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD200N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+100.05 грн
5000+99.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD200N15N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+76.73 грн
5000+69.44 грн
7500+67.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD200N15N3GBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD200N15N3GBTMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 150V 50A DPAK-2 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD2012-760Inventus PowerDesktop AC Adapters The factory is currently not accepting orders for this product.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD2012-760Inventus PowerDescription: AC/DC DESKTOP ADAPTER 12V 19W
Part Status: Active
No Load Power Consumption: 100mW (Max)
Region Utilized: North America
Input Connector: IEC 320-C6
Current - Output (Max): 1.6A
Efficiency: Level VI
Form: Desktop (Class I)
Approval Agency: CB, CE, cTUVus
Input Type: Cord (Sold Separately)
Applications: ITE (Commercial)
Operating Temperature: 0°C ~ 60°C
Cord Length: 48" (1.22m)
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Output Connector: Barrel Plug, 2.5mm I.D. x 5.5mm O.D. x 9.5mm
Polarization: Positive Center
Voltage - Output: 12V
Size / Dimension: 3.53" L x 1.92" W x 0.99" H (89.6mm x 48.8mm x 25.2mm)
Packaging: Box
Power (Watts): 19 W
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1110.59 грн
5+983.45 грн
20+914.94 грн
40+828.18 грн
60+810.87 грн
100+789.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD2012-760SInventus PowerDescription: AC/DC DESKTOP ADAPTER 12V 19W
Packaging: Box
Size / Dimension: 3.53" L x 1.92" W x 0.99" H (89.6mm x 48.8mm x 25.2mm)
Voltage - Output: 12V
Polarization: Positive Center
Output Connector: Barrel Plug, 2.1mm I.D. x 5.5mm O.D. x 9.5mm
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Cord Length: 48" (1.22m)
Operating Temperature: 0°C ~ 60°C
Applications: ITE (Commercial)
Input Type: Cord (Sold Separately)
Approval Agency: CE, cTUVus
Form: Desktop (Class I)
Efficiency: Level VI
Current - Output (Max): 1.6A
Input Connector: IEC 320-C6
Region Utilized: North America
No Load Power Consumption: 100mW (Max)
Part Status: Active
Power (Watts): 19 W
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1307.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD2024-760Inventus PowerPlug-In Adapter Single-OUT 24V 0.8A 20W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD2024-760Inventus PowerDescription: AC/DC DESKTOP ADAPTER 24V 19W
Power (Watts): 19 W
Part Status: Active
No Load Power Consumption: 100mW (Max)
Region Utilized: North America
Input Connector: IEC 320-C6
Current - Output (Max): 800mA
Efficiency: Level VI
Form: Desktop (Class I)
Approval Agency: CB, CE, cTUVus
Input Type: Cord (Sold Separately)
Applications: ITE (Commercial)
Operating Temperature: 0°C ~ 60°C
Cord Length: 48" (1.22m)
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Output Connector: Barrel Plug, 2.5mm I.D. x 5.5mm O.D. x 9.5mm
Polarization: Positive Center
Voltage - Output: 24V
Size / Dimension: 3.53" L x 1.92" W x 0.99" H (89.6mm x 48.8mm x 25.2mm)
Packaging: Box
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1194.46 грн
5+1057.49 грн
20+983.86 грн
40+890.54 грн
60+871.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD2024-760SInventus PowerDescription: AC/DC DESKTOP ADAPTER 24V 19W
Power (Watts): 19 W
Part Status: Active
No Load Power Consumption: 100mW (Max)
Region Utilized: North America
Input Connector: IEC 320-C6
Current - Output (Max): 800mA
Efficiency: Level VI
Form: Desktop (Class I)
Approval Agency: CE, cTUVus
Input Type: Cord (Sold Separately)
Applications: ITE (Commercial)
Operating Temperature: 0°C ~ 60°C
Cord Length: 48" (1.22m)
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Output Connector: Barrel Plug, 2.1mm I.D. x 5.5mm O.D. x 9.5mm
Polarization: Positive Center
Voltage - Output: 24V
Size / Dimension: 3.53" L x 1.92" W x 0.99" H (89.6mm x 48.8mm x 25.2mm)
Packaging: Box
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1247.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD20N03LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD20N03Linfineon07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD20N03LInfineon TechnologiesMOSFET N-KANAL POWER MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD20N03L GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 695 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD20N03LGINF07+;
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD20N03LP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD20N06infineon04+
на замовлення 35270 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD2131-25OSRAM Opto SemiconductorsAlphanumericDisplay Matrix Panel 1DIGIT 35LED Yellow Automotive 24-Pin CDIP
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9783.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD2131-27OSRAM Opto SemiconductorsAlphanumericDisplay Matrix Panel 1DIGIT 35LED Yellow Automotive 24-Pin CDIP
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9450.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD220N06L3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 30A DPAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 22350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD220N06L3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 3833 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+83.76 грн
10+51.92 грн
100+29.75 грн
500+23.13 грн
1000+20.99 грн
2500+18.02 грн
5000+17.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD220N06L3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-311
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.10 грн
5000+23.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD220N06L3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-311
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 30 V
на замовлення 6294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.19 грн
10+60.88 грн
100+40.07 грн
500+29.22 грн
1000+26.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD220N06L3GBTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD220N06L3GBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD220N06L3GBTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD220N06L3GBTMA1InfineonMOSFET N-CH 60V 30A TO252-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD22N08S2L-50Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 75V 22A DPAK-2 OptiMOS
на замовлення 4804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.97 грн
10+80.98 грн
100+51.50 грн
500+42.87 грн
1000+39.90 грн
2500+34.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD22N08S2L50ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 27A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 31µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.83 грн
5000+38.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD22N08S2L50ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+204.59 грн
100+141.83 грн
159+89.40 грн
500+75.51 грн
1000+57.64 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD22N08S2L50ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD22N08S2L50ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 27 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.78 грн
50+90.20 грн
100+63.30 грн
500+49.21 грн
1000+41.77 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD22N08S2L50ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+69.77 грн
5000+61.82 грн
7500+59.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD22N08S2L50ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+69.98 грн
5000+62.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD22N08S2L50ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+70.65 грн
5000+62.61 грн
7500+60.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD22N08S2L50ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 27A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 31µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V
на замовлення 9994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.78 грн
10+90.19 грн
100+61.11 грн
500+45.64 грн
1000+41.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD22N08S2L50ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
395+89.76 грн
500+80.78 грн
1000+74.49 грн
Мінімальне замовлення: 395 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD22N08S2L50ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD22N08S2L50ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 27 A, 0.0385 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0385ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.76 грн
500+47.04 грн
1000+35.41 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD22N08S2L50ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+203.18 грн
10+140.85 грн
100+88.78 грн
500+74.99 грн
1000+57.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD22N08S2L50ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+69.98 грн
5000+62.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD230N06LGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 49µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD230N06LGinfineon07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD230N06NGinfineon07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD230N06NGBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD2434481074TE ConnectivityDescription: TE Connectivity IPD2434481074
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+2428.53 грн
27+2244.36 грн
51+2154.61 грн
201+1942.01 грн
402+1864.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD250N06N3 GCT-ND
Код товару: 81287
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD250N06N3GBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 28A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25CN10N GInfineon
на замовлення 204500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25CN10NGinfineon07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25CN10NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 177500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+102.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25CN10NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+59.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25CN10NGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 50 V
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.50 грн
10+71.05 грн
100+47.63 грн
500+35.28 грн
1000+32.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25CN10NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+138.44 грн
10+95.86 грн
100+67.37 грн
500+51.02 грн
1000+44.66 грн
2500+31.65 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25CN10NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
568+62.47 грн
1000+57.63 грн
Мінімальне замовлення: 568 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25CN10NGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 14033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.81 грн
10+75.82 грн
100+43.91 грн
500+34.66 грн
1000+31.62 грн
2500+29.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25CN10NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+139.40 грн
147+96.52 грн
209+67.83 грн
500+51.38 грн
1000+44.97 грн
2500+31.87 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25CN10NGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD25CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+132.89 грн
10+85.37 грн
100+56.62 грн
500+41.51 грн
1000+35.00 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25CN10NGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25CN10NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.01 грн
5000+39.61 грн
7500+39.22 грн
12500+37.43 грн
17500+34.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25CN10NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
568+62.47 грн
1000+57.63 грн
Мінімальне замовлення: 568 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25CN10NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.11 грн
5000+39.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25CN10NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.11 грн
5000+39.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25CN10NGBUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25CN10NGBUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25CNE8N GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 85V 35A TO252-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25CNE8NGinfineon07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25DP06LMATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD25DP06LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.5 A, 0.187 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.187ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+73.37 грн
16+51.55 грн
100+38.66 грн
500+28.12 грн
1000+23.68 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25DP06LMATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Packaging: Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 24 28 32 36 40 42  [ Наступна Сторінка >> ]