Продукція > IRL

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRL640LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 17A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+225.90 грн
10+134.64 грн
50+92.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRL640PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 17 A, 0.18 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 200V 17A N-CH MOSFET
на замовлення 1993 шт:
термін постачання 514-523 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+135.98 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+225.90 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640PBF (TO-220AB, Vishay)
Код товару: 31167
1 Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 17 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,18 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1800/66
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 10 шт
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Львів
на замовлення: 6 шт
  • 6 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+60.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 200V 17A N-CH MOSFET
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640SVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRL6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 200V 17 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640SPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640SPBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 17 А, Ptot, Вт = 3,1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1800 @ 25, Qg, нКл = 66 @ 5 В, Rds = 180 мОм @ 10 A, 5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Очікується: 60 Од. вим:
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640SPBF
Код товару: 127205
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRL640SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 17 A, 0.18 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640STRLVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRL640STRLPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 200V 17 Amp
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640STRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+447.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640STRRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640STRRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17A; Idm: 68A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640STRRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 200V 17 Amp
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7472L1TRPbFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20082 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+154.13 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7472L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 68A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 13771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+242.16 грн
500+229.16 грн
1000+217.35 грн
10000+197.06 грн
Мінімальне замовлення: 147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7472L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 68A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 6225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+236.91 грн
10+233.42 грн
25+229.82 грн
100+218.24 грн
250+198.87 грн
500+187.92 грн
1000+184.84 грн
3000+181.84 грн
6000+178.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7472L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 68A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+150.63 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7472L1TRPbFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V, 375A, .59 mOhm 220 nC Qg, Logic Lvl
на замовлення 2897 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7472L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 68A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 404000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+281.45 грн
200000+258.42 грн
300000+241.71 грн
400000+221.01 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7472L1TRPbFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20082 pF @ 25 V
на замовлення 7687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+432.58 грн
10+278.28 грн
50+218.81 грн
100+187.39 грн
500+170.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7472L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 68A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+150.00 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7472L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 68A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 3314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+236.25 грн
61+232.47 грн
100+220.18 грн
200+191.36 грн
500+166.22 грн
1000+158.24 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7472L1TRPbFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 68A; DirectFET-L8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 68A
Case: DirectFET-L8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 167 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+325.74 грн
5+265.08 грн
10+210.23 грн
20+167.02 грн
50+147.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7472L1TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 40V 68A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+242.16 грн
Мінімальне замовлення: 147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7472L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 68A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 6225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+236.91 грн
61+233.42 грн
62+229.82 грн
100+218.24 грн
250+198.87 грн
500+187.92 грн
1000+184.84 грн
3000+181.84 грн
6000+178.77 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7472L1TRPBFXTMA2Infineon TechnologiesIRL7472L1TRPBFXTMA2
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+240.98 грн
500+229.16 грн
Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7472L1TRPBFXTMA2Infineon TechnologiesIRL7472L1TRPBFXTMA2
на замовлення 39930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+240.98 грн
500+229.16 грн
1000+216.17 грн
10000+195.92 грн
Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7486MTRPbF
Код товару: 166090
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7486MTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL7486MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 209 A, 1250 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 209A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 104W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET ME
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm
на замовлення 17922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7486MTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V Single N-Channel HEXFET
на замовлення 3519 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7486MTRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 40V 209A 10-Pin Direct-FET ME T/R
на замовлення 4916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
259+137.02 грн
500+122.85 грн
1000+113.73 грн
Мінімальне замовлення: 259 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7486MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 209A 10-Pin Direct-FET ME T/R
на замовлення 4797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+128.40 грн
149+95.71 грн
500+79.60 грн
1000+67.07 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7486MTRPBFInternational RectifierDescription: IRL7486M - 12V-300V N-CHANNEL PO
на замовлення 39875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+105.92 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7486MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 209A 10-Pin Direct-FET ME T/R
на замовлення 246127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
259+137.02 грн
500+122.85 грн
1000+113.73 грн
10000+97.78 грн
100000+75.85 грн
Мінімальне замовлення: 259 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7486MTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL7486MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 209 A, 1250 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 209A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 104W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET ME
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm
на замовлення 17922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7486MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 209A 10-Pin Direct-FET ME T/R
на замовлення 4797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.73 грн
10+128.40 грн
100+95.71 грн
500+76.75 грн
1000+62.10 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7486MTRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 40V 209A 10-Pin Direct-FET ME T/R
на замовлення 24063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
259+137.02 грн
500+122.85 грн
1000+113.73 грн
10000+97.78 грн
Мінімальне замовлення: 259 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7486MTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 209A; DirectFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 209A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: DirectFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7486MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 209A 10-Pin Direct-FET ME T/R
на замовлення 9563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+85.48 грн
Мінімальне замовлення: 166 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7486MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 209A 10-Pin Direct-FET ME T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7486MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 209A 10-Pin Direct-FET ME T/R
на замовлення 9563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+203.99 грн
10+144.34 грн
100+103.39 грн
500+81.37 грн
1000+65.06 грн
4800+61.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7486MTRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 40V 209A 10-Pin Direct-FET ME T/R
на замовлення 10896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
259+137.02 грн
500+122.85 грн
1000+113.73 грн
10000+97.78 грн
Мінімальне замовлення: 259 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833International RectifierN-MOSFET HEXFET 30V 150A 140W 0.0038Ω IRL7833 TIRL7833
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+95.83 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833International RectifierN-MOSFET HEXFET 30V 150A 140W 0.0038Ω IRL7833 TIRL7833
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+95.83 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833LHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833LPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 150A 3.8mOhm 32nC Log Lvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 150A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4170 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 25199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
286+124.03 грн
500+111.63 грн
1000+102.95 грн
10000+88.51 грн
Мінімальне замовлення: 286 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 150A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4170 pF @ 15 V
на замовлення 25199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
229+95.70 грн
Мінімальне замовлення: 229 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 150A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4170 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833PBF
Код товару: 73777
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL7833PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 0.0038 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 150A 32nV 3.8mOhm Qg log lvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4170 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833SPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL7833SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 0.0038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 150
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 140
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3
Verlustleistung: 140
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4170 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833SPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 30V 150A 32nC 3.8mOhm Qg log lvl
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 150A 32nC 3.8mOhm Qg log lvl
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 150A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+82.65 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL7833STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 0.0031 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4170 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+82.58 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL7833STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 0.0031 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4170 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4170 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL80HS120INFINEONDescription: INFINEON - IRL80HS120 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 12.5 A, 0.025 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 11.5W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL80HS120Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 6A 6-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL80HS120Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 11.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.39 грн
10+69.03 грн
100+46.03 грн
500+33.93 грн
1000+30.94 грн
2000+28.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL80HS120Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 6A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+98.38 грн
147+96.96 грн
185+76.86 грн
250+68.13 грн
500+55.74 грн
1000+40.44 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL80HS120Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL80HS120INFINEONDescription: INFINEON - IRL80HS120 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 12.5 A, 0.025 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 11.5W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL80HS120Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 6A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+109.29 грн
10+98.38 грн
25+96.96 грн
100+74.11 грн
250+63.09 грн
500+53.51 грн
1000+40.44 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL80HS120Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 11.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+29.13 грн
8000+26.16 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL80HS120INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 9A; 5.8W; PQFN2X2
Case: PQFN2X2
Mounting: SMD
Power dissipation: 5.8W
Gate charge: 4.7nC
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
On-state resistance: 32mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL80HS120Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 6A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+77.83 грн
208+68.44 грн
236+60.12 грн
247+55.54 грн
500+48.52 грн
1000+44.20 грн
2000+42.03 грн
Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.