Продукція > IRL

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 24 28 32 36 40 44 48  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRL640PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 66nC
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+162.57 грн
5+116.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+122.36 грн
124+114.85 грн
128+110.93 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRL640PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 17 A, 0.18 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+202.40 грн
10+121.11 грн
100+98.35 грн
500+80.01 грн
1000+69.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+99.21 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640PBF (TO-220AB, Vishay)
Код товару: 31167
1 Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, V: 200 V
Струм стоку Idd, A: 17 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 1800/66
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 10 шт
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+60.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.63 грн
50+101.84 грн
100+91.94 грн
500+70.00 грн
1000+64.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 200V 17A N-CH MOSFET
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640SVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRL6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 200V 17 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640SPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 66nC
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 113 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+200.50 грн
10+93.09 грн
50+82.19 грн
100+77.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640SPBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 17 А, Ptot, Вт = 3,1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1800 @ 25, Qg, нКл = 66 @ 5 В, Rds = 180 мОм @ 10 A, 5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Очікується: 60 Од. вим:
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRL640SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 17 A, 0.18 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640SPBF
Код товару: 127205
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+168.97 грн
95+149.17 грн
101+141.25 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+260.23 грн
50+127.39 грн
100+115.47 грн
500+88.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640STRLVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRL640STRLPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 200V 17 Amp
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+260.23 грн
10+164.47 грн
100+115.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+96.02 грн
10+94.47 грн
25+92.91 грн
100+88.09 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640STRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 66nC
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+451.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+96.02 грн
150+94.47 грн
153+92.91 грн
155+88.09 грн
Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+93.34 грн
1600+84.34 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+260.23 грн
10+164.47 грн
100+115.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640STRRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17A; Idm: 68A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640STRRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640STRRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 200V 17 Amp
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7472L1TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 40V 68A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+241.62 грн
Мінімальне замовлення: 147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7472L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 68A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 6225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+236.39 грн
61+232.90 грн
62+229.31 грн
100+217.76 грн
250+198.43 грн
500+187.50 грн
1000+184.43 грн
3000+181.44 грн
6000+178.37 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7472L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 68A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 13771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+241.62 грн
500+228.65 грн
1000+216.87 грн
10000+196.62 грн
Мінімальне замовлення: 147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7472L1TRPbFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V, 375A, .59 mOhm 220 nC Qg, Logic Lvl
на замовлення 2897 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7472L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 68A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 6225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+236.39 грн
10+232.90 грн
25+229.31 грн
100+217.76 грн
250+198.43 грн
500+187.50 грн
1000+184.43 грн
3000+181.44 грн
6000+178.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7472L1TRPbFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 195A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20082 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
на замовлення 8376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.55 грн
10+178.28 грн
100+168.40 грн
500+152.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7472L1TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL7472L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 450 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 11Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+291.81 грн
250+208.90 грн
1000+177.37 грн
2000+160.25 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7472L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 68A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+150.30 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7472L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 68A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 404000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+280.82 грн
200000+257.85 грн
300000+241.17 грн
400000+220.51 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7472L1TRPbFInfineon
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7472L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 68A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+149.67 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7472L1TRPbFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20082 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+138.21 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7472L1TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL7472L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 450 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 11Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+419.43 грн
50+291.81 грн
250+208.90 грн
1000+177.37 грн
2000+160.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7472L1TRPbFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 68A; DirectFET-L8
Kind of package: reel; tape
Case: DirectFET-L8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 68A
на замовлення 637 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+313.40 грн
5+247.40 грн
10+223.92 грн
20+201.28 грн
50+176.96 грн
100+163.54 грн
250+151.80 грн
500+149.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7472L1TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 68A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 3314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+235.72 грн
61+231.95 грн
100+219.70 грн
200+190.94 грн
500+165.85 грн
1000+157.89 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7472L1TRPBFXTMA2Infineon TechnologiesIRL7472L1TRPBFXTMA2
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+240.44 грн
500+228.65 грн
Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7472L1TRPBFXTMA2Infineon TechnologiesIRL7472L1TRPBFXTMA2
на замовлення 39930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+240.44 грн
500+228.65 грн
1000+215.69 грн
10000+195.48 грн
Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7486MTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V Single N-Channel HEXFET
на замовлення 3571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7486MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 209A 10-Pin Direct-FET ME T/R
на замовлення 9563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
196+72.32 грн
199+71.19 грн
202+70.15 грн
209+65.37 грн
1000+58.17 грн
2000+55.36 грн
4800+50.84 грн
Мінімальне замовлення: 196 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7486MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 209A 10-Pin Direct-FET ME T/R
на замовлення 4797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
460+30.77 грн
467+30.30 грн
475+29.81 грн
483+28.30 грн
500+25.78 грн
1000+24.33 грн
3000+23.93 грн
Мінімальне замовлення: 460 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7486MTRPBFInternational RectifierDescription: IRL7486M - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 123A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6904 pF @ 25 V
на замовлення 39875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+76.55 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7486MTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL7486MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 209 A, 1250 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 209A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 104W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET ME
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm
на замовлення 17922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+180.45 грн
10+116.24 грн
100+80.07 грн
500+55.33 грн
1000+45.50 грн
5000+42.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7486MTRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 40V 209A 10-Pin Direct-FET ME T/R
на замовлення 10896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+107.25 грн
500+96.53 грн
1000+89.02 грн
10000+76.54 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7486MTRPBFInfineon
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7486MTRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 40V 209A 10-Pin Direct-FET ME T/R
на замовлення 4916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+107.25 грн
500+96.53 грн
1000+89.02 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7486MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 209A 10-Pin Direct-FET ME T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7486MTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 209A; DirectFET
Case: DirectFET
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 209A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7486MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 209A 10-Pin Direct-FET ME T/R
на замовлення 165027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+107.25 грн
500+96.53 грн
1000+89.02 грн
10000+76.54 грн
100000+59.38 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7486MTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL7486MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 209 A, 1250 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 209A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 104W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET ME
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm
на замовлення 17922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+80.07 грн
500+55.33 грн
1000+45.50 грн
5000+42.50 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7486MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 209A 10-Pin Direct-FET ME T/R
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+107.25 грн
500+96.53 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7486MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 209A 10-Pin Direct-FET ME T/R
на замовлення 4797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+65.00 грн
25+29.21 грн
100+26.62 грн
250+25.15 грн
500+24.75 грн
1000+24.33 грн
3000+23.93 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7486MTRPbF
Код товару: 166090
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833International RectifierN-MOSFET HEXFET 30V 150A 140W 0.0038Ω IRL7833 TIRL7833
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+95.62 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833International RectifierN-MOSFET HEXFET 30V 150A 140W 0.0038Ω IRL7833 TIRL7833
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+95.62 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833LHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833LPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 150A 3.8mOhm 32nC Log Lvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 150A TO262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4170 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 38A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+116.92 грн
141+100.65 грн
144+98.66 грн
500+95.01 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 150A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4170 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL7833PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 0.0038 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+183.70 грн
10+136.56 грн
100+114.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
286+123.76 грн
500+111.38 грн
1000+102.72 грн
10000+88.31 грн
Мінімальне замовлення: 286 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833PBF
Код товару: 73777
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+83.00 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 150A 32nV 3.8mOhm Qg log lvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+84.41 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 150A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4170 pF @ 15 V
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
229+87.27 грн
Мінімальне замовлення: 229 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4170 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4170 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833SPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 30V 150A 32nC 3.8mOhm Qg log lvl
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833SPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL7833SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 0.0038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 150
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 140
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3
Verlustleistung: 140
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+82.40 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL7833STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 0.0031 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+126.80 грн
500+72.61 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 150A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4170 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL7833STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 0.0031 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+191.83 грн
10+139.81 грн
100+126.80 грн
500+72.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+82.47 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4170 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 150A 32nC 3.8mOhm Qg log lvl
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4170 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL80HS120Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 6A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+109.05 грн
10+98.17 грн
25+96.74 грн
100+73.95 грн
250+62.95 грн
500+53.39 грн
1000+40.35 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL80HS120Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 11.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 16807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.63 грн
10+58.12 грн
100+38.60 грн
500+28.35 грн
1000+25.82 грн
2000+24.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL80HS120Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 6A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+77.66 грн
208+68.28 грн
236+59.99 грн
247+55.42 грн
500+48.41 грн
1000+44.10 грн
2000+41.94 грн
Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL80HS120INFINEONDescription: INFINEON - IRL80HS120 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 12.5 A, 0.025 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 11.5W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.99 грн
500+30.64 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL80HS120Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 6A 6-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 24 28 32 36 40 44 48  [ Наступна Сторінка >> ]