Продукція > STF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STF5N95K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 3.5A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.58 грн
50+103.03 грн
100+84.76 грн
500+67.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF5N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF5NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 28345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+189.08 грн
50+187.19 грн
100+185.32 грн
500+176.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF5NK100ZSTN-MOSFET 3.5A 1000V 30W 3.7Ω STF5NK100Z TSTF5NK100z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+103.62 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF5NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
425+209.41 грн
Мінімальне замовлення: 425 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF5NK100ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1000V 3.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 1.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1154 pF @ 25 V
на замовлення 6311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+375.11 грн
50+188.70 грн
100+172.03 грн
500+134.03 грн
1000+125.22 грн
2000+118.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF5NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 425 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF5NK100ZSTMTO-220 (изол) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF5NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 28343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+186.58 грн
100+184.72 грн
500+176.34 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF5NK100ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF5NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.75 A, 2.7 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+347.93 грн
10+182.02 грн
100+165.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF5NK100ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 1000 Volt 3.5A Zener SuperMESH
на замовлення 1176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+313.30 грн
10+159.57 грн
100+127.71 грн
500+122.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF5NK52ZDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 520V 4.4A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 520 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF5NK65ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF5NK90ZSTMicroelectronicsMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF5NK90Z
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF60100CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTT 100V ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF6045AVST
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF6080CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARR SCHOT 80V 30A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF60H150CSMC DIODE SOLUTIONSCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 150V; 60A; ITO220AB; Ufmax: 0.85V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 60A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: ITO220AB
Max. forward voltage: 0.85V
Max. forward impulse current: 260A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF60N55F3STMicroelectronicsMOSFET N-Ch, 55V-6.5Mohms 80A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF60N55F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 42A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF6A60
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF6A80
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N52K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 525V 5A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.70 грн
10+103.58 грн
100+82.43 грн
500+65.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N60DM2STMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 0.95 Ohm typ 5 A MDmesh DM2 Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 232 pF @ 100 V
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.02 грн
50+64.48 грн
100+57.69 грн
500+42.97 грн
1000+39.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF6N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 1.06 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+111.95 грн
11+79.09 грн
100+69.10 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+134.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
на замовлення 1719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.78 грн
10+69.62 грн
100+53.92 грн
500+42.80 грн
1000+39.21 грн
2000+36.17 грн
5000+35.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+56.56 грн
2000+55.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N60M2
Код товару: 155644
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220FP
Напруга сток-витік Uds, V: 650 V
Струм стоку Idd, A: 4,5 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 232/8
у наявності: 19 шт
  • 8 шт - склад
  • 11 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+43.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+86.26 грн
50+85.41 грн
100+81.00 грн
500+61.71 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+56.38 грн
2000+55.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
165+86.26 грн
166+85.41 грн
176+81.00 грн
500+61.71 грн
Мінімальне замовлення: 165 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N62K3
Код товару: 67233
Додати до обраних Обраний товар

8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N62K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 620V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+82.98 грн
175+81.22 грн
184+77.40 грн
500+70.80 грн
Мінімальне замовлення: 171 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N62K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 620V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.22 грн
100+77.40 грн
500+70.80 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 5.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28Ohm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 875 pF @ 50 V
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.86 грн
50+80.83 грн
100+72.67 грн
500+54.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N62K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 620V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N62K3STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A
на замовлення 1691 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+64.43 грн
10+63.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N65K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+72.84 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N65K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
201+70.62 грн
Мінімальне замовлення: 201 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N65K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 5.4A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N65K3STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 1.1 Ohm 5.4A SuperMESH3
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+235.98 грн
10+128.61 грн
100+80.77 грн
500+73.87 грн
1000+65.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N65K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N65K3
Код товару: 198720
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N65K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+77.95 грн
11+70.95 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N65K3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF6N65K3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.4 A, 1.1 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+227.93 грн
12+71.92 грн
100+69.10 грн
500+61.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N65K3STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.4A; Idm: 21.6A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.4A
Pulsed drain current: 21.6A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N65K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+72.84 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
на замовлення 1595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.12 грн
10+79.23 грн
100+51.71 грн
500+49.01 грн
1000+41.56 грн
5000+39.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N65M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF6N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 1658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.80 грн
10+96.65 грн
100+59.76 грн
500+44.65 грн
1000+39.28 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N65M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 4A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 226 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N68K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 680V TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N68K3STMicroelectronicsMOSFETs POWER MOSFET
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+215.85 грн
10+138.14 грн
100+82.15 грн
500+67.10 грн
1000+61.16 грн
2000+59.37 грн
5000+58.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 100 V
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.82 грн
50+94.89 грн
100+85.56 грн
500+64.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packag
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N90K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF6N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6 A, 0.91 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.91ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.91ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+197.32 грн
10+153.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N90K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+447.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N90K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 6A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.26 грн
50+93.96 грн
100+84.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N90K5STMicroelectronicsMOSFETs 910 mOhms typ. 6 A MDmesh K5 Power
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+206.99 грн
10+100.82 грн
100+78.70 грн
500+64.13 грн
1000+58.54 грн
2000+56.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N95K5
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+74.54 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N95K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 9A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 100 V
на замовлення 616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.63 грн
50+84.57 грн
100+76.11 грн
500+57.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N95K5
Код товару: 49735
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, V: 950 V
Струм стоку Idd, A: 9 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 1,25 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 450/13
Монтаж: THT
у наявності: 106 шт
  • 97 шт - склад
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+72.00 грн
10+64.40 грн
100+58.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N95K5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+182.83 грн
10+91.30 грн
100+67.10 грн
500+55.78 грн
1000+54.26 грн
2000+51.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+64.15 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N95K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF6N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 1 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+68.14 грн
100+65.16 грн
500+57.74 грн
1000+50.74 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+64.15 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N95K5STMTrans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
191+74.58 грн
Мінімальне замовлення: 191 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF6NK50ZSTMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF6NK50Z
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF6NK70ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 700V 5A TO220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF6NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 4.6A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF6NM60N
на замовлення 38769 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF6NM80STMicroelectronicsMOSFET N-channel 800 V, 1.08 Ohm, 5 A MDmesh(TM) Power MO, POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF701ProTek DevicesTVS and Filter Combination Network
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF701
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF701-LF-T7ProTek DevicesTVS and Filter Combination Network
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF701-LF-T7ProTek DevicesTVS and Filter Combination Network
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+58.16 грн
6000+53.14 грн
12000+49.44 грн
18000+44.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF701-LF-T7ProTek DevicesTVS and Filter Combination Network
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF701.TCSMH07+;
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF701.TC/LSEMTECH2000
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF701.TCTSemtech CorporationDescription: IC TVS ARRAY 2-UNI 100mW SC70-5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF701.TCT
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF701.TCTSemtech CorporationDescription: IC TVS ARRAY 2-UNI 100MW SC70-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF701.TCTSemtech CorporationDescription: IC TVS ARRAY 2-UNI 100mW SC70-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF715onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF715STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 80V 1.5A SOT89-3
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-89-3
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF715STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF715
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF715STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 80V 1.5A SOT89-3
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-89-3
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Transistor Type: NPN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF724STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN MEDIUM Pwr TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF724STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 30V 3A SOT-89
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF724onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18  [ Наступна Сторінка >> ]