Продукція > ZXT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 22  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
ZXTN5551GTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+9.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551GTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1715+8.25 грн
Мінімальне замовлення: 1715 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXTN5551GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+74.21 грн
23+35.93 грн
100+25.28 грн
500+20.68 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551GTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+8.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551GTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 157000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+11.79 грн
Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551GTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551GTADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.30 грн
10+31.78 грн
100+20.43 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551GTADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 160V 600mA NPN
на замовлення 2216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551GTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+14.61 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXTN5551GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.28 грн
500+20.68 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551GTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 97000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+11.79 грн
Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551GTADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-223-3
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551ZTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 128000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+9.43 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551ZTADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1.2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551ZTADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT NPN 160V 0.6A
на замовлення 1188 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551ZTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+39.44 грн
26+29.73 грн
100+16.10 грн
250+14.76 грн
500+13.70 грн
1000+8.29 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551ZTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
476+29.73 грн
847+16.70 грн
856+16.53 грн
885+15.41 грн
1462+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 476 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551ZTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 91000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+9.43 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551ZTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551ZTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+9.43 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN617MATADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 15V 5A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 521 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN617MATADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 15V 5A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
521+15.74 грн
Мінімальне замовлення: 521 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN617MATADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 15V 4.5A DFN2020B-3
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020B-3
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 3A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 25nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 4.5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.62 грн
10+30.72 грн
100+21.36 грн
500+15.65 грн
1000+12.72 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN617MATADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXTN617MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 4.5 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.45W
Bauform - Transistor: DFN2020
Dauerkollektorstrom: 4.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+55.76 грн
24+34.79 грн
100+23.08 грн
500+13.89 грн
1000+12.40 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN617MATADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 15V 5A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN617MATADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 15V 5A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN617MATADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 15V 4.5A DFN2020B-3
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020B-3
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 3A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 25nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 4.5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN617MATADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN617MATADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 15V 5A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN617MATADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 15V 5A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN617MATADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXTN617MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 4.5 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.45W
Bauform - Transistor: DFN2020
Dauerkollektorstrom: 4.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.08 грн
500+13.89 грн
1000+12.40 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN617MATADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 15V 5A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN618MATADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN618MATADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 20V 4.5A DFN2020B-3
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020B-3
Frequency - Transition: 140MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 25nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 125mA, 4.5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 269984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.41 грн
10+31.55 грн
100+21.96 грн
500+16.09 грн
1000+13.08 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN618MATADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 20V 4.5A DFN2020B-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020B-3
Frequency - Transition: 140MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 25nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 125mA, 4.5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
на замовлення 267000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.94 грн
6000+11.83 грн
9000+10.98 грн
30000+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN619MATADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 50V 4A DFN2020B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 25nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 165MHz
Supplier Device Package: DFN2020B-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3 W
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.34 грн
6000+14.49 грн
9000+13.85 грн
15000+12.33 грн
21000+11.93 грн
30000+11.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN619MATADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXTN619MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 1.5 W, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 165MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.23 грн
500+13.44 грн
1500+11.64 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN619MATADIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 4.3A; 2.45W; U-DFN2020-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 4.3A
Power dissipation: 2.45W
Case: U-DFN2020-3
Current gain: 40...400
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 165MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN619MATADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 50V 4.3A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN619MATADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXTN619MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 1.5 W, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 165MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+63.16 грн
50+39.34 грн
100+17.23 грн
500+13.44 грн
1500+11.64 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN619MATADiodes Inc./ZetexTRANS NPN 50V 4A 3-DFN Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN619MATADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 50V 4A DFN2020B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 25nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 165MHz
Supplier Device Package: DFN2020B-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3 W
на замовлення 80455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.41 грн
10+40.31 грн
100+26.23 грн
500+18.93 грн
1000+17.10 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN619MATA
Код товару: 220206
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN619MATADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN
на замовлення 669 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN619MATADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 50V 4.3A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN620MATADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 80V 3.8A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.43 грн
6000+16.26 грн
9000+15.82 грн
15000+14.74 грн
21000+13.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN620MATADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 80V 3.8A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN620MATADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 80V 3.5A DFN2020B-3
Power - Max: 3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A
Supplier Device Package: DFN2020B-3
Frequency - Transition: 160MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 25nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 325mV @ 300mA, 3.5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.97 грн
6000+11.46 грн
9000+10.94 грн
15000+9.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN620MATADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXTN620MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3.5 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.45W
Bauform - Transistor: DFN2020
Dauerkollektorstrom: 3.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+63.08 грн
50+39.26 грн
100+25.44 грн
500+18.04 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN620MATADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 80V 3.8A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.78 грн
6000+14.77 грн
9000+13.75 грн
24000+12.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN620MATADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 80V 3.8A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.40 грн
6000+16.24 грн
9000+15.79 грн
15000+14.71 грн
21000+13.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN620MATADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN
на замовлення 669 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN620MATADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 80V 3.8A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN620MATADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXTN620MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3.5 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.45W
Bauform - Transistor: DFN2020
Dauerkollektorstrom: 3.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.44 грн
500+18.04 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN620MATADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 80V 3.8A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.78 грн
6000+14.77 грн
15000+13.75 грн
30000+12.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN620MATADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 80V 3.5A DFN2020B-3
Package / Case: 3-UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A
Supplier Device Package: DFN2020B-3
Frequency - Transition: 160MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 25nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 325mV @ 300mA, 3.5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 20872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.08 грн
10+32.61 грн
100+21.11 грн
500+15.14 грн
1000+13.64 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN620MATADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 80V 3.8A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN649FDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN649FTADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 25V 3A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 725 mW
на замовлення 6435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.87 грн
20+15.47 грн
100+9.73 грн
500+6.80 грн
1000+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN649FTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 25V 3A 725mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3158+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 3158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN649FTADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 25V 3A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 725 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.62 грн
6000+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN649FTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 25V 3A 725mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN649FTADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Zetex Med. Power NPN
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTNS618MCTADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 20V NPN Low AAT 40V 1A Schottky Dual
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTNS618MCTADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 20V 4.5A DFN3020B-8
Power - Max: 3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Frequency - Transition: 140MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 25nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 125mA, 4.5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN + Diode (Isolated)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP01500BGQTADiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 500V 0.15A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP01500BGQTADiodes IncorporatedDescription: PWRHIVOLTAGETRANSISTORSOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 3 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP01500BGQTADiodes IncorporatedDescription: PWRHIVOLTAGETRANSISTORSOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 3 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP01500BGQTADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 500V PNP HiPerf Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP01500BGQTA-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT PwrHiVoltTranstr
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP01500BGQTCDiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 500V 0.15A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 3 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP01500BGQTCDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 500V PNP HiPerf Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP01500BGQTCDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 500V 0.15A 3000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+19.36 грн
8000+18.49 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP01500BGQTCDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 500V 0.15A 3000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1408000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+16.21 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP01500BGQTCDiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 500V 0.15A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 3 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.14 грн
10+36.31 грн
100+23.59 грн
500+16.98 грн
1000+15.32 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP01500BGQTCDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 500V 0.15A 3000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+18.00 грн
8000+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP01500BGTCDiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 500V 0.15A SOT-223-3
Power - Max: 3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+11.93 грн
8000+10.57 грн
12000+10.10 грн
20000+8.98 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP01500BGTCDiodesBJT 500V PNP HiPerf Transistor Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP01500BGTCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXTP01500BGTC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 500 V, 150 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 500V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+59.58 грн
23+36.66 грн
100+23.49 грн
500+15.47 грн
1000+12.82 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP01500BGTCDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 500V PNP HiPerf Transistor
на замовлення 7623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP01500BGTCDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 500V 0.15A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+13.26 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP01500BGTCDiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 500V 0.15A SOT-223-3
Power - Max: 3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 24617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.52 грн
10+31.32 грн
100+20.24 грн
500+14.49 грн
1000+13.04 грн
2000+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP01500BGTCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXTP01500BGTC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 500 V, 150 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 500V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.49 грн
500+15.47 грн
1000+12.82 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP03200BGTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXTP03200BGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 5.8 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 5.8W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 105MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.35 грн
500+34.12 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP03200BGTADiodes ZetexTrans GP BJT PNP 200V 2A 5800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+32.69 грн
7000+29.87 грн
14000+27.80 грн
21000+25.28 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP03200BGTADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 200V PNP Low Vce 2A Ic Vceo -200V
на замовлення 1391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP03200BGTADiodes ZetexTrans GP BJT PNP 200V 2A 5800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+38.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP03200BGTADiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 200V 2A SOT223-3
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 105MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 400mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+34.62 грн
2000+31.39 грн
5000+29.89 грн
10000+26.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP03200BGTADiodes ZetexTrans GP BJT PNP 200V 2A 5800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+34.76 грн
2000+34.41 грн
5000+34.20 грн
10000+32.89 грн
25000+29.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP03200BGTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXTP03200BGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 5.8 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 5.8W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 105MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+100.79 грн
13+65.19 грн
100+42.35 грн
500+34.12 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP03200BGTADiodes ZetexTrans GP BJT PNP 200V 2A 5800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+38.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP03200BGTADiodes ZetexTrans GP BJT PNP 200V 2A 5800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+35.05 грн
7000+32.03 грн
14000+29.81 грн
21000+27.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP03200BGTADiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 200V 2A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 105MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 26545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.17 грн
10+62.12 грн
100+48.28 грн
500+38.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP03200BZ
Код товару: 72060
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP03200BZTADiodes ZetexTrans GP BJT PNP 200V 2A 38700mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+33.27 грн
2000+29.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP03200BZTADiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 200V 2A SOT89-3
Power - Max: 1.1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: SOT-89-3
Frequency - Transition: 105MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.57 грн
10+47.02 грн
100+36.58 грн
500+29.10 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP03200BZTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXTP03200BZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 38.7 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38.7W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 105MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.85 грн
14+59.91 грн
100+42.59 грн
500+29.66 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP03200BZTADiodes ZetexTrans GP BJT PNP 200V 2A 38700mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP03200BZTADiodes ZetexTrans GP BJT PNP 200V 2A 38700mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 61000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+29.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP03200BZTADiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 200V 2A SOT89-3
Power - Max: 1.1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: SOT-89-3
Frequency - Transition: 105MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+26.23 грн
2000+23.78 грн
5000+22.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 22  [ Наступна Сторінка >> ]