Продукція > 2SC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 13 26 39 52 65 78 91 104 117 127 128 129 130 131 132 133 134  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
2SCR554P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554P5T100ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 500mW; SC62,SOT89
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Frequency: 300MHz
Case: SC62; SOT89
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 120...390
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554P5T100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 1.5A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 3435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.48 грн
10+30.44 грн
100+19.62 грн
500+14.05 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
766+18.51 грн
795+17.85 грн
1000+17.27 грн
Мінімальне замовлення: 766 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554PFRAT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 1.5A MPT3
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554PFRAT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 1.5A MPT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.51 грн
13+24.53 грн
100+17.05 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554PFRAT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN SOT-89 1.5A 120 to 390hFE 80V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554PHZGT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554PHZGT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 1.5A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554PHZGT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN, SOT-89, 80V 1.5A, Medium Power Transistor
на замовлення 1752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.82 грн
10+46.05 грн
100+26.23 грн
500+20.64 грн
1000+18.71 грн
2000+15.88 грн
5000+14.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554PHZGT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
337+42.13 грн
351+40.44 грн
500+38.98 грн
1000+36.36 грн
Мінімальне замовлення: 337 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554PHZGT100ROHMDescription: ROHM - 2SCR554PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1.5A
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.23 грн
500+24.98 грн
1000+20.92 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554PHZGT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
274+51.88 грн
284+49.93 грн
287+49.44 грн
394+34.74 грн
439+28.83 грн
692+17.56 грн
Мінімальне замовлення: 274 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554PHZGT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 1.5A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554PHZGT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 3850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
589+24.10 грн
592+23.98 грн
728+19.50 грн
1000+17.54 грн
2000+16.14 грн
Мінімальне замовлення: 589 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554PHZGT100ROHMDescription: ROHM - 2SCR554PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.76 грн
16+52.11 грн
100+34.23 грн
500+24.98 грн
1000+20.92 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554PHZGT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554PT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 1.5A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: MPT3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554PT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554PT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 1.5A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: MPT3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554PT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 80V 1.5A Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554RHZGTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 1000mW 3-Pin TSMT Automotive AEC-Q101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554RHZGTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN, SOT-346T, 80V 1.5A, Driver Transistor
на замовлення 2274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+24.97 грн
19+17.07 грн
100+11.39 грн
500+10.01 грн
1000+9.60 грн
3000+9.11 грн
6000+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554RHZGTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 1000mW 3-Pin TSMT Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 2164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
532+26.66 грн
552+25.70 грн
1000+24.86 грн
Мінімальне замовлення: 532 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554RTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Digital Transtr Driver
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.92 грн
10+40.17 грн
100+24.30 грн
500+18.98 грн
1000+15.39 грн
3000+13.05 грн
9000+12.15 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
741+19.14 грн
746+19.02 грн
883+16.06 грн
1000+14.58 грн
2000+13.40 грн
3000+12.26 грн
Мінімальне замовлення: 741 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 1276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
965+14.69 грн
1080+13.14 грн
1121+12.65 грн
Мінімальне замовлення: 965 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554RTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 1.5A TSMT3
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 500mA
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
822+17.25 грн
828+17.13 грн
924+15.36 грн
1000+14.24 грн
2000+13.08 грн
3000+12.15 грн
Мінімальне замовлення: 822 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554RTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 1.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.12 грн
10+41.36 грн
100+26.89 грн
500+19.39 грн
1000+17.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR562F3ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR562F3TRRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 6A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
294+48.31 грн
356+39.83 грн
500+32.74 грн
Мінімальне замовлення: 294 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR562F3TRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 6A HUML2020L3
Supplier Device Package: HUML2020L3
Frequency - Transition: 270MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 150mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR562F3TRROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 30V 6A 1W DFN2020-3S
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.92 грн
10+50.89 грн
100+30.72 грн
500+25.61 грн
1000+21.81 грн
3000+19.40 грн
6000+18.29 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR562F3TRROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 6A; 1W; DFN2020-3
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Frequency: 270MHz
Case: DFN2020-3
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 6A
Power dissipation: 1W
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 200...500
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR562F3TRRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 6A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR562F3TRROHMDescription: ROHM - 2SCR562F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 6 A, 1 W, HUML2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: HUML2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 270MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.64 грн
500+14.88 грн
1000+12.29 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR562F3TRRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 6A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR562F3TRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 6A HUML2020L3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 270MHz
Supplier Device Package: HUML2020L3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR562F3TRRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 6A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+72.60 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR562F3TRROHMDescription: ROHM - 2SCR562F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 6 A, 1 W, HUML2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: HUML2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 270MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+57.51 грн
22+37.29 грн
100+25.21 грн
500+18.47 грн
1000+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR563F3TRRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 6A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
306+46.45 грн
318+44.59 грн
500+42.98 грн
1000+40.09 грн
2500+36.02 грн
Мінімальне замовлення: 306 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR563F3TRROHMDescription: ROHM - 2SCR563F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 6 A, 2.1 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 180hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.1W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 6A
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.07 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR563F3TRRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 6A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR563F3TRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 6A HUML2020L3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L3
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR563F3TRRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 6A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1443+9.83 грн
Мінімальне замовлення: 1443 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR563F3TRROHMDescription: ROHM - 2SCR563F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 6 A, 2.1 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+110.34 грн
12+69.34 грн
100+46.07 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR563F3TRRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 6A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
на замовлення 3052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+103.69 грн
202+70.26 грн
278+51.15 грн
500+39.79 грн
1000+33.46 грн
3000+29.38 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR563F3TRROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT Small and Excellent Thermal Conductivity, NPN 6A 50V Middle Power Transistor
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.23 грн
10+58.91 грн
100+36.93 грн
500+30.24 грн
1000+27.61 грн
3000+24.44 грн
6000+22.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR563F3TRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 6A HUML2020L3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L3
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.19 грн
10+60.80 грн
100+40.33 грн
500+29.61 грн
1000+26.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR564F3TRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 4A HUML2020L3
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L3
Frequency - Transition: 280MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
на замовлення 5939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.53 грн
10+57.89 грн
100+38.40 грн
500+28.20 грн
1000+25.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR564F3TRRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 4A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1443+9.83 грн
Мінімальне замовлення: 1443 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR564F3TRROHMDescription: ROHM - 2SCR564F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 2.1 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.1W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 4A
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.36 грн
500+25.88 грн
1000+21.54 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR564F3TRROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 4A 80V MID-PWR TRANS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR564F3TRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 4A HUML2020L3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L3
Frequency - Transition: 280MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR564F3TRRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 4A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
227+62.49 грн
250+59.99 грн
500+57.82 грн
1000+53.94 грн
Мінімальне замовлення: 227 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR564F3TRRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 4A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR564F3TRROHMDescription: ROHM - 2SCR564F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 2.1 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.76 грн
17+49.85 грн
100+35.36 грн
500+25.88 грн
1000+21.54 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR567F3TRROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT TRANSISTOR
на замовлення 5080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+88.59 грн
10+71.45 грн
100+48.32 грн
500+41.01 грн
1000+35.00 грн
3000+29.75 грн
9000+29.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR567F3TRROHMDescription: ROHM - 2SCR567F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 2.5 A, 1 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Dauerkollektorstrom: 2.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 220MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.84 грн
500+35.30 грн
1000+30.38 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR567F3TRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 2.5A HUML2020L3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L3
Frequency - Transition: 220MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 80mA, 800mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.62 грн
10+64.17 грн
100+42.70 грн
500+31.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR567F3TRRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 2.5A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+61.42 грн
250+58.96 грн
500+56.82 грн
1000+53.01 грн
Мінімальне замовлення: 231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR567F3TRROHMDescription: ROHM - 2SCR567F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 2.5 A, 1 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Dauerkollektorstrom: 2.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 220MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.84 грн
13+64.59 грн
100+47.92 грн
500+32.53 грн
1000+28.03 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR567F3TRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 2.5A HUML2020L3
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L3
Frequency - Transition: 220MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 80mA, 800mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR567F3TRRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 2.5A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR572D3FRATL
Код товару: 172762
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR572D3FRATLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 5A 10000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+48.07 грн
299+47.49 грн
310+45.83 грн
500+42.04 грн
1000+37.12 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR572D3FRATLROHMDescription: ROHM - 2SCR572D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.98 грн
500+44.50 грн
1000+39.56 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR572D3FRATLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 5A TO-252
Power - Max: 10 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.45 грн
10+89.37 грн
100+60.66 грн
500+45.38 грн
1000+43.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR572D3FRATLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 5A 10000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+89.97 грн
165+85.96 грн
250+82.51 грн
500+76.69 грн
1000+68.69 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR572D3FRATLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 30V 5A 10W TO-252(DPAK)
на замовлення 3144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.61 грн
10+84.95 грн
100+53.98 грн
500+44.67 грн
1000+42.80 грн
2500+37.14 грн
5000+36.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR572D3FRATLROHMDescription: ROHM - 2SCR572D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.61 грн
10+97.45 грн
100+62.98 грн
500+44.50 грн
1000+39.56 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR572D3FRATLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 5A TO-252
Supplier Device Package: TO-252
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 10 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2445 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR572D3TL1Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 5A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 10 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.93 грн
5000+20.42 грн
7500+19.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR572D3TL1ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 30V 5A 10W Pwr trnstr Low VCE
на замовлення 6069 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.01 грн
10+47.63 грн
100+30.72 грн
500+25.20 грн
1000+22.92 грн
2500+19.26 грн
5000+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR572D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
398+35.66 грн
422+33.61 грн
424+33.49 грн
500+28.11 грн
1000+24.85 грн
2000+23.76 грн
2500+23.65 грн
Мінімальне замовлення: 398 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR572D3TL1ROHMDescription: ROHM - 2SCR572D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.29 грн
500+27.67 грн
1000+23.40 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR572D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
384+36.98 грн
411+34.49 грн
413+34.37 грн
500+27.91 грн
1000+24.47 грн
Мінімальне замовлення: 384 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR572D3TL1Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 5A TO-252
Power - Max: 10 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.98 грн
10+52.95 грн
100+34.96 грн
500+25.57 грн
1000+23.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR572D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR572D3TL1ROHMDescription: ROHM - 2SCR572D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.53 грн
16+52.91 грн
100+37.29 грн
500+27.67 грн
1000+23.40 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR572D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
352+40.31 грн
Мінімальне замовлення: 352 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR572D3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 5A; 10W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Frequency: 300MHz
Case: DPAK; TO252
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 5A
Power dissipation: 10W
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 200...500
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR572DGTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+31.79 грн
465+30.51 грн
500+29.41 грн
1000+27.44 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR572DGTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 5100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
388+36.61 грн
Мінімальне замовлення: 388 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR573D3FRAT
Код товару: 176445
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR573D3FRATLROHMDescription: ROHM - 2SCR573D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+164.30 грн
10+99.06 грн
100+66.77 грн
500+48.84 грн
1000+42.46 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR573D3FRATLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 3A TO-252
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 10 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR573D3FRATLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+89.27 грн
250+82.15 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR573D3FRATLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+148.11 грн
142+100.28 грн
185+76.76 грн
500+63.43 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR573D3FRATLROHMDescription: ROHM - 2SCR573D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+66.77 грн
500+48.84 грн
1000+42.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR573D3FRATLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 50V 3A 10W TO-252(DPAK)
на замовлення 1851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+165.91 грн
10+96.85 грн
100+61.16 грн
500+49.43 грн
1000+46.46 грн
2500+41.01 грн
5000+38.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR573D3FRATLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 3A TO-252
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 10 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.67 грн
10+92.96 грн
100+63.20 грн
500+47.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR573D3FRATLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+113.40 грн
200+99.22 грн
500+84.39 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR573D3TL1Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 3A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 2074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.63 грн
10+59.98 грн
100+39.70 грн
500+29.11 грн
1000+26.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR573D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
318+44.65 грн
Мінімальне замовлення: 318 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR573D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR573D3TL1ROHMDescription: ROHM - 2SCR573D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+115.17 грн
14+58.07 грн
100+39.30 грн
500+29.24 грн
1000+24.71 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR573D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 13 26 39 52 65 78 91 104 117 127 128 129 130 131 132 133 134  [ Наступна Сторінка >> ]