Продукція > 2SC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 13 26 39 52 65 78 91 104 117 127 128 129 130 131 132 133 134  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
2SCR553RTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 2A Ic 50V Vceo TSMT3
на замовлення 2707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR553RTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR553RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
851+16.59 грн
930+15.18 грн
1091+12.94 грн
1143+11.91 грн
2000+10.29 грн
Мінімальне замовлення: 851 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR553RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
794+17.78 грн
Мінімальне замовлення: 794 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR553RTLROHMDescription: ROHM - 2SCR553RTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-346T
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554P5T100ROHMDescription: ROHM - 2SCR554P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554P5T100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 80V Vceo 1.5A Ic MPT3
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
766+18.43 грн
795+17.77 грн
1000+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 766 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554P5T100ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 500mW; SC62,SOT89
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Frequency: 300MHz
Case: SC62; SOT89
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 120...390
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554P5T100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 1.5A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 3435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.83 грн
10+30.65 грн
100+19.76 грн
500+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 19735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+42.83 грн
516+27.40 грн
684+20.65 грн
1000+17.73 грн
2000+14.64 грн
3000+13.59 грн
5000+12.53 грн
7000+12.19 грн
10000+11.64 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
614+23.00 грн
637+22.17 грн
Мінімальне замовлення: 614 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554P5T100ROHMDescription: ROHM - 2SCR554P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554P5T100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 1.5A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+14.08 грн
2000+12.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554PFRAT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 1.5A MPT3
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554PFRAT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN SOT-89 1.5A 120 to 390hFE 80V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554PFRAT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 1.5A MPT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.72 грн
13+24.70 грн
100+17.17 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554PHZGT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 1.5A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554PHZGT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554PHZGT100ROHMDescription: ROHM - 2SCR554PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554PHZGT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN, SOT-89, 80V 1.5A, Medium Power Transistor
на замовлення 1752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554PHZGT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554PHZGT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
337+41.94 грн
351+40.26 грн
500+38.81 грн
1000+36.20 грн
Мінімальне замовлення: 337 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554PHZGT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 1.5A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554PHZGT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
274+51.65 грн
284+49.71 грн
287+49.22 грн
394+34.58 грн
439+28.70 грн
692+17.48 грн
Мінімальне замовлення: 274 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554PHZGT100ROHMDescription: ROHM - 2SCR554PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1.5A
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554PHZGT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 3850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
589+23.99 грн
592+23.88 грн
728+19.41 грн
1000+17.46 грн
2000+16.07 грн
Мінімальне замовлення: 589 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554PT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 1.5A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: MPT3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554PT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 80V 1.5A Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554PT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 1.5A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: MPT3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554PT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554RHZGTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 1000mW 3-Pin TSMT Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554RHZGTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN, SOT-346T, 80V 1.5A, Driver Transistor
на замовлення 2274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554RHZGTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 1000mW 3-Pin TSMT Automotive AEC-Q101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554RTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Digital Transtr Driver
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554RTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 1.5A TSMT3
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 500mA
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 2164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
532+26.54 грн
552+25.59 грн
1000+24.75 грн
Мінімальне замовлення: 532 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
741+19.05 грн
746+18.94 грн
883+15.99 грн
1000+14.52 грн
2000+13.34 грн
3000+12.20 грн
Мінімальне замовлення: 741 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554RTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 1.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.60 грн
10+41.65 грн
100+27.08 грн
500+19.52 грн
1000+17.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 1276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
965+14.63 грн
1080+13.08 грн
1121+12.60 грн
Мінімальне замовлення: 965 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
822+17.17 грн
828+17.06 грн
924+15.29 грн
1000+14.18 грн
2000+13.02 грн
3000+12.10 грн
Мінімальне замовлення: 822 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR562F3ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR562F3TRRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 6A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+72.28 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR562F3TRROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 30V 6A 1W DFN2020-3S
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR562F3TRRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 6A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
294+48.09 грн
356+39.65 грн
500+32.60 грн
Мінімальне замовлення: 294 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR562F3TRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 6A HUML2020L3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 270MHz
Supplier Device Package: HUML2020L3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.37 грн
10+53.24 грн
100+35.06 грн
500+25.56 грн
1000+23.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR562F3TRROHMDescription: ROHM - 2SCR562F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 6 A, 1 W, HUML2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: HUML2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 270MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR562F3TRRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 6A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR562F3TRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 6A HUML2020L3
Supplier Device Package: HUML2020L3
Frequency - Transition: 270MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 150mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.35 грн
6000+19.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR562F3TRROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 6A; 1W; DFN2020-3
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Frequency: 270MHz
Case: DFN2020-3
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 6A
Power dissipation: 1W
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 200...500
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR562F3TRRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 6A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR562F3TRROHMDescription: ROHM - 2SCR562F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 6 A, 1 W, HUML2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: HUML2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 270MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR563F3TRRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 6A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
на замовлення 3052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+103.22 грн
202+69.95 грн
278+50.93 грн
500+39.62 грн
1000+33.31 грн
3000+29.25 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR563F3TRROHMDescription: ROHM - 2SCR563F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 6 A, 2.1 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR563F3TRRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 6A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
306+46.24 грн
318+44.39 грн
500+42.79 грн
1000+39.91 грн
2500+35.86 грн
Мінімальне замовлення: 306 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR563F3TRRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 6A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR563F3TRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 6A HUML2020L3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L3
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.02 грн
10+63.11 грн
100+41.88 грн
500+30.75 грн
1000+28.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR563F3TRROHMDescription: ROHM - 2SCR563F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 6 A, 2.1 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 180hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.1W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 6A
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR563F3TRRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 6A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1443+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 1443 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR563F3TRROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT Small and Excellent Thermal Conductivity, NPN 6A 50V Middle Power Transistor
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR563F3TRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 6A HUML2020L3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L3
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR564F3TRRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 4A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR564F3TRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 4A HUML2020L3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L3
Frequency - Transition: 280MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR564F3TRROHMDescription: ROHM - 2SCR564F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 2.1 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR564F3TRROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 4A 80V MID-PWR TRANS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR564F3TRRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 4A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1443+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 1443 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR564F3TRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 4A HUML2020L3
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L3
Frequency - Transition: 280MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
на замовлення 5939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.19 грн
10+58.29 грн
100+38.67 грн
500+28.39 грн
1000+25.85 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR564F3TRROHMDescription: ROHM - 2SCR564F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 2.1 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.1W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 4A
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR564F3TRRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 4A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
227+62.22 грн
250+59.72 грн
500+57.57 грн
1000+53.70 грн
Мінімальне замовлення: 227 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR567F3TRRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 2.5A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR567F3TRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 2.5A HUML2020L3
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L3
Frequency - Transition: 220MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 80mA, 800mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR567F3TRROHMDescription: ROHM - 2SCR567F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 2.5 A, 1 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Dauerkollektorstrom: 2.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 220MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR567F3TRRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 2.5A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+61.14 грн
250+58.70 грн
500+56.57 грн
1000+52.77 грн
Мінімальне замовлення: 231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR567F3TRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 2.5A HUML2020L3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L3
Frequency - Transition: 220MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 80mA, 800mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.49 грн
10+66.57 грн
100+44.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR567F3TRROHMDescription: ROHM - 2SCR567F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 2.5 A, 1 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Dauerkollektorstrom: 2.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 220MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR567F3TRROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT TRANSISTOR
на замовлення 5080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR572D3FRATLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 5A TO-252
Power - Max: 10 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.46 грн
10+90.00 грн
100+61.08 грн
500+45.70 грн
1000+43.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR572D3FRATLROHMDescription: ROHM - 2SCR572D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR572D3FRATLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 5A 10000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+47.86 грн
299+47.28 грн
310+45.63 грн
500+41.85 грн
1000+36.96 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR572D3FRATLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 5A TO-252
Supplier Device Package: TO-252
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 10 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2445 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR572D3FRATLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 30V 5A 10W TO-252(DPAK)
на замовлення 3144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR572D3FRATL
Код товару: 172762
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR572D3FRATLROHMDescription: ROHM - 2SCR572D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR572D3FRATLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 5A 10000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+89.57 грн
165+85.58 грн
250+82.14 грн
500+76.35 грн
1000+68.38 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR572D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR572D3TL1ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 30V 5A 10W Pwr trnstr Low VCE
на замовлення 6033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR572D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
352+40.13 грн
Мінімальне замовлення: 352 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR572D3TL1Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 5A TO-252
Power - Max: 10 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.59 грн
10+53.32 грн
100+35.20 грн
500+25.75 грн
1000+23.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR572D3TL1ROHMDescription: ROHM - 2SCR572D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR572D3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 5A; 10W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Frequency: 300MHz
Case: DPAK; TO252
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 5A
Power dissipation: 10W
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 200...500
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR572D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
398+35.51 грн
422+33.46 грн
424+33.34 грн
500+27.99 грн
1000+24.74 грн
2000+23.65 грн
2500+23.55 грн
Мінімальне замовлення: 398 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR572D3TL1Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 5A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 10 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.09 грн
5000+20.56 грн
7500+19.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR572D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
384+36.81 грн
411+34.34 грн
413+34.22 грн
500+27.79 грн
1000+24.36 грн
Мінімальне замовлення: 384 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR572D3TL1ROHMDescription: ROHM - 2SCR572D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR572DGTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+31.65 грн
465+30.38 грн
500+29.28 грн
1000+27.32 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR572DGTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 5100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
388+36.45 грн
Мінімальне замовлення: 388 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR573D3FRAT
Код товару: 176445
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR573D3FRATLROHMDescription: ROHM - 2SCR573D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 13 26 39 52 65 78 91 104 117 127 128 129 130 131 132 133 134  [ Наступна Сторінка >> ]