Продукція > CSD
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CSD18511KCS | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 40V 194A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 188W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 194A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | на замовлення 648 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18511KTT | Texas Instruments | MOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A 595-CSD18511KTTT | на замовлення 149 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18511KTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 110A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18511KTT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 40V 194A DDPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 194A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 20 V | на замовлення 342 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18511KTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 110A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18511KTT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 40V 194A DDPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 194A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 20 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18511KTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 110A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18511KTTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 110A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18511KTTT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 40V 110A/194A DDPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Ta), 194A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 20 V | на замовлення 403 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18511KTTT | Texas Instruments | MOSFET 40-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single D2PAK, 2.6 mOhm 2-DDPAK/TO-263 -55 to 175 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18511KTTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 110A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18511KTTT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 40V 110A/194A DDPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Ta), 194A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 20 V | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18511KTTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 110A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18511Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18511Q5A | Texas Instruments | MOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18511Q5AT | на замовлення 8251 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18511Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18511Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 40V 159A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 159A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 24A, 4.5V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 10 V | на замовлення 937 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18511Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 40V 159A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 159A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 24A, 4.5V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18511Q5AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 40V 159A 8VSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 24A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 159A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 5250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18511Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18511Q5AT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 104W; VSONP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 104W Case: VSONP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.9mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 63nC Dimensions: 5x6mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18511Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18511Q5AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 40V 159A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 159A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 24A, 4.5V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 10 V | на замовлення 6033 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18511Q5AT | Texas Instruments | MOSFET N-CH 40V 159A 8VSON Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18511Q5AT | Texas Instruments | MOSFETs 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18511Q5A | на замовлення 5068 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18512Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18512Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 1567 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18512Q5B | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 40V 211A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 211A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7120 pF @ 20 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18512Q5B | Texas Instruments | MOSFET N-CH 40V 211A 8VSON Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18512Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18512Q5B | Texas Instruments | MOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18512Q5BT | на замовлення 3821 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18512Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18512Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 1567 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18512Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18512Q5B | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 40V 211A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 211A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7120 pF @ 20 V | на замовлення 7370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18512Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18512Q5BT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 40V 211A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 211A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7120 pF @ 20 V | на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18512Q5BT | Texas Instruments | MOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18512Q5B | на замовлення 328 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18512Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18512Q5BT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 40V 211A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 211A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7120 pF @ 20 V | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18512Q5BT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A; 139W Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 139W Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.3mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18513Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 1450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18513Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18513Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 40V 124A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 20 V | на замовлення 2507 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18513Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18513Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18513Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18513Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 40V 124A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 20 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18513Q5A | Texas Instruments | MOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18513Q5AT | на замовлення 739 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18513Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 1450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18513Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18513Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18513Q5AT | Texas Instruments | MOSFETs 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18513Q5A | на замовлення 797 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18513Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18513Q5AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 40V 124A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 20 V | на замовлення 872 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18513Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18513Q5AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 40V 124A 8VSON Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 19A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18513Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18514Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 40V 89A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2680 pF @ 20 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18514Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 50A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18514Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 50A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 2492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18514Q5A Код товару: 192559
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| CSD18514Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 40V 89A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2680 pF @ 20 V | на замовлення 15804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18514Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 50A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18514Q5A | Texas Instruments | MOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18514Q5AT | на замовлення 179 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18514Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 40V 89A 8VSON Транзистори | на замовлення 95 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18514Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 50A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18514Q5AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 40V 89A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2683 pF @ 20 V | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18514Q5AT | Texas Instruments | MOSFETs 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18514Q5A | на замовлення 19116 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18514Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 50A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18514Q5AT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 74W; VSONP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 50A Power dissipation: 74W Case: VSONP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Dimensions: 5x6mm | на замовлення 738 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18514Q5AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 40V 89A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2683 pF @ 20 V | на замовлення 1041 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18514Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 50A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18531Q5A | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18531Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0035 ohm, SON, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 100 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 3.1 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8 Verlustleistung: 3.1 Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18531Q5A | Texas Instruments | MOSFETs 60V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18531Q5AT | на замовлення 2692 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18531Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18531Q5A | Texas Instruments | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,8mOhm; 134A; 156W; -55°C ~ 175°C; CSD18531Q5AT CSD18531Q5A TCSD18531q5a кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18531Q5A | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; VSONP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 156W Case: VSONP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 36nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Dimensions: 5x6mm | на замовлення 686 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18531Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18531Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 19A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 30 V | на замовлення 20345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18531Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18531Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 60V 100A 8SON Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18531Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18531Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18531Q5A Код товару: 180414
Додати до обраних
Обраний товар
| товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD18531Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 19A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 30 V | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18531Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18531Q5AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 156W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 22A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 1217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18531Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18531Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18531Q5AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 156W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 22A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18531Q5AT | Texas Instruments | MOSFETs 60V N-channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18531Q5A | на замовлення 4885 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18531Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18531Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18531Q5AT | Texas Instruments | MOSFET N-CH 60V 100A 8SON Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18531Q5AT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; VSONP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 156W Case: VSONP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 36nC Dimensions: 5x6mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18531Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18532KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18532KCS | Texas Instruments | MOSFETs 60-V N-Chanel NxFT P wr MOSFETs | на замовлення 1238 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18532KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. |

