Продукція > CSD
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CSD18513Q5AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 40V 124A 8VSON Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 19A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18513Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18513Q5AT | Texas Instruments | MOSFETs 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18513Q5A | на замовлення 797 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18513Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18513Q5AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 40V 124A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 20 V | на замовлення 872 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18514Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 50A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 2492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18514Q5A | Texas Instruments | MOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18514Q5AT | на замовлення 179 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18514Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 40V 89A 8VSON Транзистори | на замовлення 95 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18514Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 40V 89A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2680 pF @ 20 V | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18514Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 50A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18514Q5A Код товару: 192559
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| CSD18514Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 50A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18514Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 40V 89A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2680 pF @ 20 V | на замовлення 14262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18514Q5AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 40V 89A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2683 pF @ 20 V | на замовлення 1041 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18514Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 50A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18514Q5AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 40V 89A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2683 pF @ 20 V | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18514Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 50A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18514Q5AT | Texas Instruments | MOSFETs 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18514Q5A | на замовлення 19126 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18514Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 50A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18514Q5AT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 74W; VSONP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 50A Power dissipation: 74W Case: VSONP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.1mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 29nC Dimensions: 5x6mm | на замовлення 754 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18531Q5A Код товару: 180414
Додати до обраних
Обраний товар
| товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD18531Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18531Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 19A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 30 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18531Q5A | Texas Instruments | MOSFETs 60V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18531Q5AT | на замовлення 2692 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18531Q5A | Texas Instruments | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,8mOhm; 134A; 156W; -55°C ~ 175°C; CSD18531Q5AT CSD18531Q5A TCSD18531q5a кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18531Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18531Q5A | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; VSONP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 156W Case: VSONP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 36nC Dimensions: 5x6mm | на замовлення 802 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18531Q5A | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18531Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0035 ohm, SON, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 100 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 3.1 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8 Verlustleistung: 3.1 Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18531Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18531Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 19A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 30 V | на замовлення 9693 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18531Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 60V 100A 8SON Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18531Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18531Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18531Q5AT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; VSONP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 156W Case: VSONP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 36nC Dimensions: 5x6mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18531Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18531Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18531Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18531Q5AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 156W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 22A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 1217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18531Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18531Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18531Q5AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 156W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 22A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18531Q5AT | Texas Instruments | MOSFETs 60V N-channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18531Q5A | на замовлення 4885 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18531Q5AT | Texas Instruments | MOSFET N-CH 60V 100A 8SON Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18531Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18532KCS | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18532KCS - MOSFET, N CHANNEL, 60V, 0.0033OHM, 100A, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18532KCS | Texas Instruments | 60-V N-Channel Nex-FET Power MOSFET -55+150C Zamiennik za STP16NB25 CSD18532KCS TCSD18532KCS кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18532KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18532KCS | Texas Instruments | MOSFETs 60-V N-Chanel NxFT P wr MOSFETs | на замовлення 307 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18532KCS | Texas Instruments | MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18532KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18532KCS | TEXAS INSTRUMENTS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 250W; TO220-3 Mounting: THT Case: TO220-3 Polarisation: unipolar Gate charge: 44nC Heatsink thickness: 1.14...1.4mm On-state resistance: 3.3mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 250W Kind of channel: enhancement Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18532KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18532KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18532KCS | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4680 pF @ 30 V | на замовлення 2291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18532NQ5B | Texas Instruments | MOSFETs 60V NCh NexFET Power MOSFET A 595-CSD185 A 595-CSD18532NQ5BT | на замовлення 1898 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18532NQ5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18532NQ5B | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 22A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 30 V | на замовлення 4260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18532NQ5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18532NQ5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18532NQ5B | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 22A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 30 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18532NQ5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18532NQ5BT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; VSON-CLIP8; 5x6mm Mounting: SMD Case: VSON-CLIP8 Polarisation: unipolar Gate charge: 49nC On-state resistance: 2.7mΩ Dimensions: 5x6mm Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 156W Kind of channel: enhancement Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18532NQ5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18532NQ5BT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 30 V | на замовлення 4119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18532NQ5BT | Texas Instruments | MOSFETs 60-V N-Channel NexFE T Power Mosfet A 59 A 595-CSD18532NQ5B | на замовлення 835 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18532NQ5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18532NQ5BT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 30 V | на замовлення 3750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18532NQ5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18532Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 1100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18532Q5B | Texas Instruments | MOSFETs 60-V N-Ch NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD185 A 595-CSD18532Q5BT | на замовлення 45366 шт: термін постачання 105-114 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18532Q5B | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18532Q5B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0032 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.2W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 52 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 52 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18532Q5B | Texas Instruments | N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5070 @ 30, Qg, нКл = 58 @ 10, Rds = 3,2 мОм, Ugs(th) = 2,2 В, Р, Вт = 156, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PowerTDFN-8 Очікується: 1300 Од. вим: шт кількість в упаковці: 2500 шт | на замовлення 3081 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18532Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18532Q5B | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 30 V | на замовлення 9455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18532Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18532Q5B | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18532Q5B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3200 µohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.2W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18532Q5B | Texas Instruments | MOSFET N-CH 60V 23A 8VSON Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18532Q5B | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 30 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18532Q5BG4 | Texas Instruments | MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET sin | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18532Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18532Q5BT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 30 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18532Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18532Q5BT | Texas Instruments | MOSFETs 60V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD18532Q5B | на замовлення 284 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18532Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18532Q5BT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 30 V | на замовлення 1162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18532Q5BT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; VSON-CLIP8; 5x6mm Mounting: SMD Case: VSON-CLIP8 Polarisation: unipolar Gate charge: 44nC On-state resistance: 2.5mΩ Dimensions: 5x6mm Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 156W Kind of channel: enhancement Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18532Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18532Q5BT | Texas Instruments | MOSFET N-CH 60V 23A 8VSON Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18533KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18533KCS | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 72A/100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3025 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18533KCS | Texas Instruments | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 9mOhm; 118A; 192W; -55°C ~ 175°C; CSD18533KCS TCSD18533kcs кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 18 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18533KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18533KCS Код товару: 121207
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| CSD18533KCS | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18533KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.005 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 100 Qualifikation: - MSL: - Verlustleistung Pd: 160 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9 Verlustleistung: 160 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18533KCS | Texas Instruments | MOSFETs 60V N-Chnl NxFT Pwr MSFT .. | на замовлення 4620 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18533Q5A | Texas Instruments | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8,5mOhm; 103A; 116W; -55°C ~ 150°C; CSD18533Q5AT CSD18533Q5A TCSD18533q5a кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 32 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD18533Q5A Код товару: 100887
Додати до обраних
Обраний товар
| 8542399000 8542 39 90 00 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| CSD18533Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 17A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18533Q5A | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18533Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0047 ohm, VSON, Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD18533Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 17A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 116W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 30 V | на замовлення 18192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

