Продукція > IPA
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPA60R280P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 24W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V | на замовлення 92 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R280P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R280P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R280P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R280P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R280P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R280P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 2600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R280P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA60R280P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 24W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.214ohm | на замовлення 320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R299CP | Infineon Technologies | Description: 600V COOLMOS POWER TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R299CP | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS CP | на замовлення 452 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R299CP | Infineon | MOSFET N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS CP, TO-220FP-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R299CPXK | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS CP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R299CPXK | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 313999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 19000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R299CPXKSA1 | Infineon | Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 11А; 33Вт; PG-TO220 FP Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R299CPXKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPA60R299CPXKSA1 - IPA60R299 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1413 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 223 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS CP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R330P6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 32W; TO220FP Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 32W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ P6 Drain current: 12A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.33Ω | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R330P6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 7A TO220FP-3 | на замовлення 476 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R330P6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 370µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R360CFD7 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R360CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R360CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 5A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 23W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 679 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R360CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | на замовлення 521 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R360CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R360P7 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R360P7S | Infineon | на замовлення 191800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPA60R360P7SE8228XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R360P7SE8228XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 22W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R360P7SE8228XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA60R360P7SE8228XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.36 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 22W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R360P7SE8228XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R360P7SE8228XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 37450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R360P7SE8228XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 9A; 22W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Drain-source voltage: 600V Drain current: 9A Power dissipation: 22W Case: TO220FP Gate-source voltage: 20V Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 13nC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R360P7SE8228XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R360P7SXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R360P7SXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 586 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R360P7SXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 22W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6A Power dissipation: 22W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 26A Version: ESD Kind of package: tube | на замовлення 43 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R360P7SXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | на замовлення 464 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R360P7SXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 22W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R360P7SXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA60R360P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 22W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm | на замовлення 1931 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R360P7SXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R360P7SXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 586 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R360P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R360P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | на замовлення 645 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R360P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R360P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R360P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 9A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 22W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V | на замовлення 256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R360P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R360P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA60R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 22W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R360P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R360P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R360P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R360P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R360P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R360P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R380C6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS C6 | на замовлення 279 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R380C6 | Infineon Technologies | Description: 600V COOLMOS POWER TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-111 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R380C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 8050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R380C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS C6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R380C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R380C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V | на замовлення 430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R380C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R380C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R380C6XKSA1 | Infineon | IPA60R380C6XKSA1 IPA60R380C6 Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R380C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R380C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 8048 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R380C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R380C6XKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPA60R380C6XKSA1 - IPA60R380 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 28 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R380E6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS E6 | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R380E6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R380E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R380E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R380E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R380E6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.6A; 31W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ E6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10.6A Power dissipation: 31W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R380E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R380P6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 6.5A TO220FP-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R380P6 | Infineon Technologies | Description: 600V COOLMOS POWER TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-111 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 100 V | на замовлення 313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R380P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R380P6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 6.5A TO220FP-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R380P6XKSA1 | Infineon | Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 889mOhm; 10,6A; 83W; -55°C ~ 150°C; IPA60R380P6XKSA1 IPA60R380P6 TIPA60r380p6 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R380P6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 100 V | на замовлення 273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R380P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R380P6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.6A; 31W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10.6A Power dissipation: 31W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 487 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R380P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R380P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R380P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R380P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 546 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R385CP | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 9A TO220FP-3 CoolMOS CP | на замовлення 149 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R385CP | Infineon Technologies | Description: IPA60R385 - 600V COOLMOS N-CHANN Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R385CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 39 шт В кошику од. на суму грн. |

