Продукція > IPB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 24 28 32 36 40 44 47  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPB090N06N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB090N06N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+163.77 грн
142+99.66 грн
196+72.19 грн
500+56.92 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB090N06N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
368+96.23 грн
500+86.61 грн
Мінімальне замовлення: 368 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB090N06N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB090N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 9000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB090N06N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 315000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+74.29 грн
156000+67.88 грн
234000+63.16 грн
312000+57.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB090N06N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+64.69 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB090N06N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+65.86 грн
3000+61.33 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB090N06N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB090N06N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
368+96.23 грн
500+86.61 грн
Мінімальне замовлення: 368 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB090N06N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+63.62 грн
3000+59.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB090N06N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+66.78 грн
3000+62.17 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB090N06N3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 71W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB090N06N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+63.62 грн
3000+59.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB090N06N3GATMA1 : IPB090N06N3GInfineonIPB090N06N3GATMA1 : IPB090N06N3G IPB090N06N3GATMA1 MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3 D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB091N06N GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHAN D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB091N06NGinfineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB093N04L GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 17233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
821+43.12 грн
1000+39.77 грн
10000+35.45 грн
Мінімальне замовлення: 821 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB093N04L GINFTO-263
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB093N04LGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 77µA
Supplier Device Package: PG-TO-263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
590+34.95 грн
Мінімальне замовлення: 590 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB093N04LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 16µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB095N20NM6Infineon Technologies IFX FET >150 - 400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB095N20NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB095N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 116 A, 8700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8700µohm
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB095N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB095N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IPB095N20NM6ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 62A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 186µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-U01
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB095N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
на замовлення 5737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB095N20NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB095N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 116 A, 8700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8700µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB095N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB095N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IPB095N20NM6ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 62A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 186µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-U01
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB096N03L GINFTO-263
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB096N03LGRochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 402 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB096N03LGINF08+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB096N03LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 35A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB097N08N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 70A D2PAK-2 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB097N08N3 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 70A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB097N08N3GInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB097N08N3GATMA1Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 15767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 439 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB09N03INFINEONTO-263
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB09N03LAInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1642 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB09N03LAINFINEON09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB09N03LAInfineon TechnologiesMOSFET N-KANAL POWER MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB09N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1642 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB09N03LAGinfineonto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB09N03LAGInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 50A D2PAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB09N03LAGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB09N03LATInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1642 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB09N03LATInfineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB09N09LAinfineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB1Eaton Electrical FD BARRIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB1EATON CUTLER HAMMERDescription: EATON CUTLER HAMMER - IPB1 - INTERPHASE BARRIER, F FRAME
tariffCode: 0
Art des Zubehörs: Interphase Barrier
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
isCanonical: Y
RoHS Compliant: No
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Zur Verwendung mit: Eaton Molded Case Circuit Breakers
Produktpalette: C Series
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S2-04infineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S2-04Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S2-04Infineon TechnologiesDescription: IPB100N04 - 20V-40V N-CHANNEL AU
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+169.51 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S204ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S204ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S204ATMA4Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S204ATMA4Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S204ATMA4Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+230.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S204ATMA4Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+135.70 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S204ATMA4Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S2L-03infineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S2L-03ATMA2Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
на замовлення 17740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
144+163.82 грн
Мінімальне замовлення: 144 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S2L03ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S2L03ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 51328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
144+144.03 грн
Мінімальне замовлення: 144 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S2L03ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S2L03ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S3-03Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S3-03Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S303ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S303ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S303ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 40V; 100A; 214W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Case: PG-TO263-3
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 214W
Technology: OptiMOS™ T
Drain current: 100A
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S303ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
129+159.69 грн
Мінімальне замовлення: 129 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S4-02DInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A D2PAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S4-H2Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S402DXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A D2PAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S4H2ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+88.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S4H2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7180 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.93 грн
10+128.92 грн
50+98.54 грн
100+83.29 грн
500+67.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S4H2ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 115W; D2PAK-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Case: D2PAK-3
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 115W
Drain current: 100A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S4H2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB100N04S4H2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S4H2ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+93.37 грн
3000+86.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S4H2ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+134.36 грн
500+121.40 грн
1000+111.53 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S4H2ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+268.86 грн
10+173.70 грн
50+138.81 грн
100+120.85 грн
500+90.64 грн
1000+76.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S4H2ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+246.00 грн
85+167.69 грн
104+136.77 грн
114+120.02 грн
500+91.32 грн
1000+77.63 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S4H2ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.24 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S4H2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7180 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+68.62 грн
3000+59.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S4H2ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 1882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S4H2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB100N04S4H2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S4H2ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+92.08 грн
3000+85.70 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S4H2ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+134.36 грн
500+121.40 грн
1000+111.53 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S4H2ATMA1Infineon
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S4H2ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+189.30 грн
50+144.73 грн
100+130.35 грн
500+101.39 грн
1000+86.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S4H2ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+134.36 грн
500+121.40 грн
1000+111.53 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S4H2ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+104.24 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S4H2ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+88.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S4H2ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+173.70 грн
102+138.81 грн
113+125.32 грн
500+97.89 грн
1000+79.67 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S03-03infineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S2-05Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 55V 100A D2PAK-2 OptiMOS
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S205ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S205ATMA4Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+325.23 грн
10+274.61 грн
25+257.55 грн
100+234.59 грн
500+209.75 грн
1000+198.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S205ATMA4Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S205ATMA4Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 24 28 32 36 40 44 47  [ Наступна Сторінка >> ]