Продукція > IPP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPP16CN10LGXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 54A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 54A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 61µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4190 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP16CN10LGXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 54A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 54A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 61µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4190 pF @ 50 V | на замовлення 13937 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP16CN10N G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 53A TO220-3 OptiMOS 2 | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP16CN10NG | Rochester Electronics, LLC | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5 | на замовлення 1369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 521 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP16CN10NGHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 53A TO220-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP16CN10NGHKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP16CN10NGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 53A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 624 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP16CN10NGXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 53A TO220-3 | на замовлення 494 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP16CN10NGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 53A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP16CN10NGXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 53A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 53A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 61µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 50 V | на замовлення 124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP16CNE8N G | INF | TO-220 | на замовлення 23000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP16CNE8N G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 85V 53A TO-220 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP175N20NM6AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V | на замовлення 322 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP175N20NM6AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 9.7A | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP175N20NM6AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 9.7A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP175N20NM6AKSA1 | Infineon Technologies | Description: IPP175N20NM6AKSA1 | на замовлення 268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP17N25S3-100 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 250V 17A TO220-3 | на замовлення 455 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP17N25S3100AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 250V 17A TO220-3 | на замовлення 425 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP17N25S3100AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 17A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 54µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP17N25S3100AKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 250V; 13.3A; Idm: 68A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 13.3A Pulsed drain current: 68A Power dissipation: 107W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ T | на замовлення 482 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP17N25S3100AKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP17N25S3100AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 17 A, 0.085 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP180N10N3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 43A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP180N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP180N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 43A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP180N10N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 43A Power dissipation: 71W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP180N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP180N10N3GXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP180N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0155 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP180N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP180N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP180N10N3GXKSA1 Код товару: 150492
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IPP180N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 43A TO220-3 OptiMOS 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP180N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 918 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP180N10N3GXKSA1 | Infineon | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP180N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP1FAD2 | Apem | Pushbutton Switches IP67 Sealed Pushbutton Switch | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP1FAD2UL | Apem | Pushbutton Switches IP67 Sealed Pushbutton Switch | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP1SAD1100 | Apem | Pushbutton Switches PUSHBUTTON SWITCH FD DBLE ICON | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP1SAD1100 | APEM Inc. | Description: PUSHBUTTON SWITCH FD DBLE ICON Packaging: Bulk Current Rating (Amps): 2A (AC), 4A (DC) Mounting Type: Panel Mount, Front Circuit: SPST Type: Standard Switch Function: Off-On Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Termination Style: Solder Lug Actuator Type: Round, Button, Flush Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof Panel Cutout Dimensions: Circular - 13.60mm Dia Color - Actuator/Cap: Blue Voltage Rating - AC: 125 V Voltage Rating - DC: 12 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP1SAD2100 | Apem | Pushbutton Switches - Board Mount PUSHBUTTON SWITCH FD DBLE ICON | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP1SAD3100 | Apem | Pushbutton Switches IP67 Sealed Pushbutton Switch | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP1SADB170 | Apem | Pushbutton Switches PUSHBUTTON SWITCH FD DBLE ICON | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP200N15N3 G | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP200N15N3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 150V 50A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 637 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP200N15N3G | Infineon technologies | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IPP200N15N3GHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP200N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 77 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP200N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP200N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 77 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP200N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 150V 50A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 4449 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP200N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1713 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP200N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP200N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP200N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 3710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP200N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP200N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 3710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP200N15N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 150W; PG-TO220-3 Power dissipation: 150W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Drain current: 50A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 150V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: PG-TO220-3 On-state resistance: 20mΩ Mounting: THT | на замовлення 464 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP200N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP200N15N3GXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP200N15N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.02 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 150W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm | на замовлення 1255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP200N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V | на замовлення 2678 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP200N15N3GXKSA1 | Infineon | MOSFET N-CH 150V 50A TO-220 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP200N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP200N25N3 G | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 250V; 64A; Idm: 256A; 300W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Drain-source voltage: 250V Drain current: 64A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 256A Semiconductor structure: single transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP200N25N3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 250V 64A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 2335 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP200N25N3G | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 3970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP200N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP200N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 4527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP200N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP200N25N3GXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP200N25N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 64 A, 0.02 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm | на замовлення 502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP200N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 64A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V | на замовлення 1804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP200N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP200N25N3GXKSA1 | Infineon | IPP200N25N3GXKSA1 IPP200N25N3 G MOSFET N-CH. 250V, 64A, 300W, TO-220 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP200N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 250V 64A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 1147 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP200N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 4527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP200N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP200N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 81500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP200N25N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 64A; 300W; PG-TO220-3 Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Drain current: 64A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 250V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: PG-TO220-3 On-state resistance: 20mΩ Mounting: THT | на замовлення 43 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP21N03L G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Supplier Device Package: PG-TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP220N25NFD | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 250V 61A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP220N25NFD | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 61A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP220N25NFDAKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP220N25NFDAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 61 A, 0.022 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS FD productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP220N25NFDAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 18880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP220N25NFDAKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 61A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 61A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7076 pF @ 125 V | на замовлення 903 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP220N25NFDAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP220N25NFDAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP220N25NFDAKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 61A; 300W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ FD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 61A Power dissipation: 300W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP220N25NFDAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP220N25NFDAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 250V 61A TO220-3 | на замовлення 379 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP220N25NFDAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP22N03S4L-15 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 22A TO220-3 OptiMOS-T2 | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP22N03S4L15AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 22A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP230N06L3 G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP230N06L3G | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 30 V | на замовлення 9620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP230N06L3G | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP230N06L3G - IPP230N06 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 9620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 667 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP230N06L3GXKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP230N06L3GXKSA1 - IPP230N06 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP230N06L3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 36W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 30 V | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP25N06S325XK | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 25A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.1mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1862 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP25N06S3L-22 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 25A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.6mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP260N06N3G | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.7mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 11µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP260N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 27A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 11µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP26CN10N G | INF | TO-220 | на замовлення 39500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

