Продукція > IPP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPP200N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP200N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP200N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 77 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP200N25N3 G | Infineon | на замовлення 35000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IPP200N25N3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 250V 64A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 742 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP200N25N3G | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 3970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP200N25N3G | Infineon technologies | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IPP200N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP200N25N3GXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP200N25N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 64 A, 0.02 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 491 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP200N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP200N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP200N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 3363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP200N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 64A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V | на замовлення 1399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP200N25N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 64A; 300W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 64A Power dissipation: 300W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 44 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP200N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 87500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP200N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 457 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP200N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 3365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP200N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 250V 64A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 909 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP200N25N3GXKSA1 IPP200N25N3 G | Infineon | MOSFET N-CH. 250V, 64A, 300W, TO-220 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP21N03L G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH TO-220 Supplier Device Package: PG-TO220-3 FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP220N25NFD | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 250V 61A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP220N25NFD | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 61A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP220N25NFDAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 18880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP220N25NFDAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 250V 61A TO220-3 | на замовлення 379 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP220N25NFDAKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 61A; 300W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ FD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 61A Power dissipation: 300W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP220N25NFDAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP220N25NFDAKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 61A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 61A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7076 pF @ 125 V | на замовлення 903 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP220N25NFDAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP220N25NFDAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP220N25NFDAKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP220N25NFDAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 61 A, 0.022 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS FD productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP220N25NFDAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP22N03S4L-15 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 22A TO220-3 OptiMOS-T2 | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP22N03S4L15AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 22A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP230N06L3 G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP230N06L3G | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 30 V | на замовлення 9620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP230N06L3G | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP230N06L3G - IPP230N06 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 9620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP230N06L3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 36W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 30 V | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP230N06L3GXKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP230N06L3GXKSA1 - IPP230N06 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP25N06S325XK | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 25A TO220-3 Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.1mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1862 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP25N06S3L-22 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 25A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.6mOhm @ 17A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP260N06N3G | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.7mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 11µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP260N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 27A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 11µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP26CN10N G | INF | TO-220 | на замовлення 39500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP26CN10NG | infineon | 08+ | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP26CN10NGHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO-220 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP26CNE8N G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 85V 35A TO-220 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP319N20NM6AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP319N20NM6AKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 100V Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP320N20N3 G | Infineon | на замовлення 103500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IPP320N20N3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 200V 34A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 474 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP320N20N3G | Infineon technologies | на замовлення 485 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IPP320N20N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 10964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP320N20N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 10964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP320N20N3GXKSA1 | Infineon | Single N-Channel 200 V 32 mOhm 22 nC OptiMOS Power Mosfet - TO-220-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP320N20N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP320N20N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 200V 34A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 5580 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP320N20N3GXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP320N20N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 509 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP320N20N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 34A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V | на замовлення 11513 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP320N20N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP320N20N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 7821 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP320N20N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 34A; 136W; PG-TO220-3 Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TO220-3 Kind of package: tube Polarisation: unipolar On-state resistance: 32mΩ Power dissipation: 136W Drain current: 34A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 200V | на замовлення 5 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP320N20N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP330P10NMAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET >80 - 100V | на замовлення 774 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP330P10NMAKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP330P10NMAKSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 62 A, 0.0271 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0271ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 471 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP330P10NMAKSA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V PG-TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 53A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.55mA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V | на замовлення 221 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP330P10NMAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP330P10NMAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP330P10NMAKSA1 | Infineon Technologies | P Channel Power Mosfet | на замовлення 440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP330P10NMAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP330P10NMAKSA1 | Infineon Technologies | P Channel Power Mosfet | на замовлення 257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP330P10NMAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP330P10NMAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP330P10NMAKSA1 Код товару: 192733
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IPP330P10NMAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP330P10NMAKSA1 | Infineon Technologies | P Channel Power Mosfet | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP330P10NMAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP330P10NMAKSA1 | Infineon Technologies | P Channel Power Mosfet | на замовлення 5500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP330P10NMAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 3950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP330P10NMAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP330P10NMAKSA1 | Infineon Technologies | P Channel Power Mosfet | на замовлення 618 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP339N20NM6AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET >150 - 400V | на замовлення 2329 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP339N20NM6AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.8mOhm @ 26A, 15V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 52µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V | на замовлення 562 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPP35CN10N G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 27A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP35CN10N G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 27A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 29µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP35CN10NGXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 27A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP3FAD6 | Apem | Pushbutton Switches PUSHBUTTON SWITCH FD DBLE ICON | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP3FAD6104 | Apem | Pushbutton Switches PUSHBUTTON SWITCH | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP3PAD2 | Apem | Pushbutton Switches 1-4A 12-72VDC, BLK ACT, Rnd flat IP67 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP3PAD6 | Apem | Pushbutton Switches 1-4A 12-72VDC, RED ACT, Rnd flat IP67 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP3PAD7/1 | Apem | Pushbutton Switches IP67 Sealed Pushbutton Switch | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP3SAD1 | Apem | Pushbutton Switches PUSHBUTTON SWITCH FD DBLE ICON | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP3SAD1100 | Apem | Pushbutton Switches PUSHBUTTON SWITCH FD DBLE ICON | на замовлення 37 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP3SAD1100 | APEM Inc. | Description: PUSHBUTTON SWITCH FD DBLE ICON Packaging: Bulk Current Rating (Amps): 500mA (AC), 5A (DC) Mounting Type: Panel Mount, Front Circuit: SPST-NO Type: Standard Switch Function: Off-Mom Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Termination Style: Solder Lug Actuator Type: Round, Button, Flush Ingress Protection: IP67/IP69K - Dust Tight, Water Resistant, Waterproof Panel Cutout Dimensions: Circular - 13.60mm Dia Color - Actuator/Cap: Blue Voltage Rating - AC: 125 V Voltage Rating - DC: 28 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP3SAD2 | Apem | Pushbutton Switches PUSHBUTTON SWITCH FD DBLE ICON | на замовлення 69 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP3SAD2104 | Apem | Pushbutton Switches PUSHBUTTON SWITCH FD DBLE ICON | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP3SAD2L0G | Apem | Pushbutton Switches IP67 Sealed Pushbutton Switch | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP3SAD2R0TX117216 | Apem | Pushbutton Switches PUSHBUTTON SWITCH FD DBLE ICON | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP3SAD3L0G | Apem | Pushbutton Switches IP67 Sealed Pushbutton Switch | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP3SAD5 | Apem | Жёлтый Клемники | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPP3SAD6 | Apem | Красный Клемники | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

