Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 22 44 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRF2807ZSTRLPBFInfineon
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZSTRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2903ZLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 75A TO262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2903ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
205+173.64 грн
Мінімальне замовлення: 205 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2903ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 260A 2.4mOhm 160nC Qg
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+290.83 грн
10+187.91 грн
100+122.20 грн
500+109.63 грн
1000+92.17 грн
2000+89.38 грн
5000+87.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2903ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+120.24 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2903ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2903ZPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF2903ZPBF - IRF2903Z - TRENCH < 40V
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+140.12 грн
Мінімальне замовлення: 179 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2903ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+121.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2903ZSIRDO-41
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2903ZSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2903ZSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 235A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2903ZSTRLInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2903ZSTRLPInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 30V 260A 2.4mOhm 160nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2903ZSTRLPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2903ZSTRRPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907STRLIR04+
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 160A TO262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZLPBFInternational RectifierTO-262 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+354.82 грн
56+253.18 грн
100+186.97 грн
500+174.04 грн
1000+145.19 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZPBFInternational RectifierDescription: IRF2907 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
на замовлення 21176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+140.16 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+411.08 грн
53+271.22 грн
100+266.49 грн
200+181.34 грн
500+142.59 грн
1000+132.84 грн
2000+108.71 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF2907ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 4500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+308.75 грн
10+210.18 грн
100+132.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZPBFInternational RectifierTO220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2700+133.38 грн
Мінімальне замовлення: 2700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2705+232.08 грн
Мінімальне замовлення: 2705 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 160A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZPBF
Код товару: 125164
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2755+152.18 грн
Мінімальне замовлення: 2755 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+283.32 грн
10+196.68 грн
25+146.25 грн
50+131.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 170A 4.5mOhm 180nC
на замовлення 2656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+272.91 грн
10+187.91 грн
100+122.90 грн
250+122.20 грн
500+109.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZSIRTO-263
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZS-7P
Код товару: 99615
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 75 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 3,8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 7580/170
товару немає в наявності
1+80.00 грн
10+71.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZS-7PInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZS-7PPBFInfineon / IRMOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 3.8mOhms 170nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZS-7PPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 110A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7580 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZS-7PPBF
Код товару: 128961
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZSPBFInfineon TechnologiesIRF2907ZSPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube Si - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZSPBF
Код товару: 175653
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZSPBFInfineon / IRMOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 180nC
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+119.26 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+161.38 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 170A 4.5mOhm 180nC
на замовлення 2051 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+342.16 грн
10+224.04 грн
100+138.26 грн
500+131.28 грн
800+129.88 грн
2400+124.99 грн
4800+120.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+155.27 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
на замовлення 9066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+312.65 грн
10+209.77 грн
100+149.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+155.25 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2910S
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3 1 10%VishayRF inductors - Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3 10 10%VishayRF inductors - Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3 10 10%TRVishay / DaleRF inductors - Leaded 10uH 10% Axial Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3 10 10%TR R36VishayRF inductors - Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3 100 10%VishayRF inductors - Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3 150 10%VishayRF inductors - Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3 1K 10%VishayRF inductors - Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3 220 10%VishayRF inductors - Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3 3.3 10%VishayRF inductors - Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3 3.3 10%TRVishayRF inductors - Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3 33 10%VishayRF inductors - Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3 47 10%VishayRF inductors - Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3 47 10%TRVishayRF inductors - Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3 470 10%VishayRF inductors - Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3 5.6 10%TRVishayRF inductors - Leaded 5.6uH 10%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3 820 10%VishayRF inductors - Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3000International RectifierMOSFET N-CH 300V 1.6A 8-SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3000Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 300V 1.6A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 960mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3000(CD90-22350-1TR)QUALCOMM2004
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3000PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 300V 1.6A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 960mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3000TRPBFIRSOP8 06+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007L
на замовлення 1822 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
на замовлення 109927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+86.79 грн
Мінімальне замовлення: 231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+122.85 грн
500+110.56 грн
1000+101.97 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007PBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+122.85 грн
500+110.56 грн
1000+101.97 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 75V 1 N-CH HEXFET 12.6mOhms 89nC
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+197.96 грн
10+126.07 грн
100+75.41 грн
500+61.24 грн
1000+59.84 грн
3000+53.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+122.85 грн
500+110.56 грн
1000+101.97 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF3007PBF - IRF3007 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
326+73.56 грн
Мінімальне замовлення: 326 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+122.85 грн
500+110.56 грн
1000+101.97 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007SPBFInfineon / IRMOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 12.6mOhms 89nC
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007SPBFInternational RectifierD2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 62A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 62A; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 62A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 75V 62A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+77.81 грн
1600+69.65 грн
2400+66.97 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+83.62 грн
1600+82.78 грн
2400+81.96 грн
4000+78.24 грн
5600+71.72 грн
8000+68.16 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007STRLPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRF3007STRLPBF
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+157.11 грн
500+141.75 грн
1000+129.94 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFET 75V D2PAK
на замовлення 1513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+236.25 грн
10+150.97 грн
100+91.47 грн
500+67.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+83.62 грн
1600+82.78 грн
2400+81.96 грн
4000+78.24 грн
5600+71.72 грн
8000+68.16 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 75V 62A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
на замовлення 3084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.67 грн
10+140.70 грн
100+97.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+157.11 грн
500+141.75 грн
1000+129.94 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF300P226Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1140.96 грн
25+773.29 грн
50+733.47 грн
100+667.98 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF300P226Infineon TechnologiesMOSFETs IFX OPTIMOS
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+754.37 грн
10+668.91 грн
25+412.68 грн
100+349.84 грн
400+339.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF300P226Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 300V 100A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 191 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10030 pF @ 50 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+689.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF300P226INFINEONDescription: INFINEON - IRF300P226 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 100 A, 0.019 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+756.81 грн
5+719.34 грн
10+681.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF300P226INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 300V; 53A; 313W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: StrongIRFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 53A
Power dissipation: 313W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 191nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 22 44 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]