Продукція > IRL
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRL80HS120 | INFINEON | Description: INFINEON - IRL80HS120 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 12.5 A, 0.025 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 11.5W Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRL80HS120 | Infineon Technologies | MOSFETs N | на замовлення 9508 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL80HS120 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 80V 6A 6-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 2308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRL80HS120 | INFINEON | Description: INFINEON - IRL80HS120 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 12.5 A, 0.025 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 11.5W Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRL8113 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 105A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 21A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL8113HR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL8113L | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 105A TO262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-262 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 21A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL8113LPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 30V 105A 6mOhm 23nC Log Lvl | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL8113LPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 105A TO262 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-262 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 21A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL8113PBF | Infineon | на замовлення 3700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRL8113PBF Код товару: 72236
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Напруга сток-витік Uds, V: 30 V Струм стоку Idd, A: 74 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 6 mOhm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 2840/23 Примітка: Управління логічним рівнем Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||
| IRL8113PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 30V 105A 23nC 6mOhm Qg log lvl | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL8113PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 105A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL8113PBF-IR | International Rectifier | Description: HEXFET POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL8113S | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 21A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL8113S | IR | 07+ TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL8113S Код товару: 99528
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: D2PAK (TO-263) Напруга сток-витік Uds, V: 30 V Струм стоку Idd, A: 74 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 6 mOhm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 2840/23 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||
| IRL8113SPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL8113SPBF | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRL8113SPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 30V 105A 6mOhm 23nC Qg log lvl | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL8113STRL | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL8113STRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 21A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc) FET Type: N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL8113STRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL8113STRLPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 30V 105A 6mOhm 23nC Qg log lvl | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL8113STRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 21A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL8113STRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 21A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL8113STRR | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL8113STRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 21A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL8113STRRPBF | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL8114PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL8114PBF | Infineon Technologies | Description: IRL8114 - 12V-300V N-CHANNEL POW Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 15 V | на замовлення 8800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRL8114PBF | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH <= 40V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL81A, OSRAM | на замовлення 56100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLA285 | на замовлення 2400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLA324 | OSRAM | 04+ | на замовлення 4550 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLA800 | OSRAM | 04+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLB3034 | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375W; -55°C ~ 175°C; IRLB3034 TIRLB3034 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 65 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB3034 | UMW | Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V | на замовлення 716 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB3034 | Infineon Technologies | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRLB3034 | UMW | Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLB3034; SP001578716; IRLB3034 UMW TIRLB3034 UMW кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 55 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB3034 IRLB3034 | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375W; -55°C ~ 175°C; IRLB3034 TIRLB3034 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 2 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB3034PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLB3034PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB3034PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLB3034PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 40V 343A 1.7mOhm 108nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLB3034PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 15031 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB3034PBF Код товару: 36195
3
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Напруга сток-витік Uds, V: 40 V Струм стоку Idd, A: 195 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 1,4 mOhm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 10315/108 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: THT | у наявності: 27 шт
очікується: 200 шт
|
| ||||||||||||||||
| IRLB3034PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB3034PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB3034PBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB3034PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB3034PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLB3034PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLB3034PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH <= 40V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLB3034PBFXKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLB3036 | Infineon Technologies | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRLB3036 | Infineon | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 16V; 2,4mOhm; 195A; 380W; -55°C~175°C; Substitute: IRLB3036; IRLB3036G; IRLB3036 TIRLB3036 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 90 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB3036GPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11210 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLB3036GPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLB3036PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLB3036PBF | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A TO-220AB Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLB3036PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB3036PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLB3036PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLB3036PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB3036PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 3450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB3036PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLB3036PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 165 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 165A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 380W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB3036PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 844 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB3036PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB3036PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11210 pF @ 50 V | на замовлення 4720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB3036PBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 195 А, Ptot, Вт = 380, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 11210 @ 50, Qg, нКл = 140 @ 4,5 В, Rds = 2,4 мОм @ 165 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: кількість в упаковці: 50 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLB3036PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 270A Power dissipation: 380W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 91nC Technology: HEXFET® | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB3036PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB3036PBF Код товару: 58855
1
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220AB Напруга сток-витік Uds, V: 60 V Струм стоку Idd, A: 195 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 1,9 mOhm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 11210/91 Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||
| IRLB3036PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 3450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB3036PBFXKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IR FET UP TO 60V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLB3036PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB3036PBFXKMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IRLB3036PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 270A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 380W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 721 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB3036PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB3036PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11210 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLB3036PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLB3036PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB3036PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 552 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB3813 | International Rectifier | N-MOSFET 30V 260A 1.95mohm IRBL3813 TIRLB3813 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB3813 Код товару: 99529
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Напруга сток-витік Uds, V: 30 V Струм стоку Idd, A: 190 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 1,95 mOhm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 8420/57 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||
| IRLB3813 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLB3813PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB3813PBF | International Rectifier | MOSFET n-канальный, 30 В, 260 А, TO-220AB Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLB3813PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB3813PBF Код товару: 113437
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220AB Напруга сток-витік Uds, V: 30 V Струм стоку Idd, A: 190 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 1,95 mOhm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 8420/57 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: THT | у наявності: 100 шт
|
| ||||||||||||||||
| IRLB3813PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 115600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB3813PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB3813PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg | на замовлення 5842 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLB3813PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 115609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB3813PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 260A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.95mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 57nC Technology: HEXFET® | на замовлення 232 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB3813PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB3813PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLB3813PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB3813PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLB3813PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 260 A, 1950 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 260A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V Verlustleistung: 230W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm | на замовлення 2787 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB3813PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8420 pF @ 15 V | на замовлення 11150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB4030 | Infineon | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|