Продукція > IRL

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRL8113Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 105A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL8113HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL8113LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 105A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL8113LPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 105A 6mOhm 23nC Log Lvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL8113LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 105A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL8113PBF
Код товару: 72236
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 74 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 6 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2840/23
Примітка: Управління логічним рівнем
Монтаж: THT
товару немає в наявності
2+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL8113PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 105A 23nC 6mOhm Qg log lvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL8113PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 105A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL8113PBFInfineon
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL8113PBF-IRInternational RectifierDescription: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL8113SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL8113S
Код товару: 99528
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 74 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 6 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2840/23
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+23.50 грн
10+21.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL8113SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL8113SPBF
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL8113SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL8113SPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 30V 105A 6mOhm 23nC Qg log lvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL8113STRLInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL8113STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL8113STRLPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 105A 6mOhm 23nC Qg log lvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL8113STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL8113STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL8113STRRInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL8113STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL8113STRRPBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL8113STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL8114PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL8114PBFInfineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL8114PBFInfineon TechnologiesDescription: IRL8114 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 15 V
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
247+90.22 грн
Мінімальне замовлення: 247 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL81A, OSRAM
на замовлення 56100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLA285
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLA324OSRAM04+
на замовлення 4550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLA800OSRAM04+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034International RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375W; -55°C ~ 175°C; IRLB3034 TIRLB3034
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 57 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+91.36 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034UMWDescription: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
на замовлення 716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.14 грн
10+78.45 грн
100+52.65 грн
500+39.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034UMWTransistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLB3034; SP001578716; IRLB3034 UMW TIRLB3034 UMW
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+61.76 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 40V 343A 1.7mOhm 108nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+228.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLB3034PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034PBF
Код товару: 36195
4 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 40 В
Струм стоку Idd, А: 195 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,4 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 10315/108
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 130 шт
  • 129 шт - склад
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується: 30 шт
  • 30 шт - очікується
1+82.00 грн
10+74.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+201.99 грн
500+191.36 грн
1000+180.73 грн
10000+164.02 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034PBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+201.99 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+228.63 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 780000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+201.99 грн
500+191.36 грн
1000+180.73 грн
10000+164.02 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+201.99 грн
500+191.36 грн
1000+180.73 грн
10000+164.02 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+201.99 грн
500+191.36 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036InfineonTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 16V; 2,4mOhm; 195A; 380W; -55°C~175°C; Substitute: IRLB3036; IRLB3036G; IRLB3036 TIRLB3036
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+121.60 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11210 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036GPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+166.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBFInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+389.96 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+199.99 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+151.24 грн
10+120.49 грн
20+108.86 грн
50+95.56 грн
100+88.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+336.17 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 195 А, Ptot, Вт = 380, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 11210 @ 50, Qg, нКл = 140 @ 4,5 В, Rds = 2,4 мОм @ 165 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим:
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+166.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+389.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+200.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLB3036PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 165 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 380W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
205+173.64 грн
500+155.92 грн
1000+144.11 грн
Мінімальне замовлення: 205 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11210 pF @ 50 V
на замовлення 1852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.53 грн
10+151.37 грн
50+116.55 грн
100+98.86 грн
500+80.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF
Код товару: 58855
1 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 195 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,9 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 11210/91
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+91.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.99 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET UP TO 60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+124.87 грн
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBFXKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRLB3036PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 380W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+117.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11210 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+117.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBFXKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813
Код товару: 99529
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 190 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,95 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 8420/57
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+36.50 грн
10+32.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8420 pF @ 15 V
на замовлення 7480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.17 грн
10+116.07 грн
50+88.49 грн
100+74.70 грн
500+60.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF
Код товару: 113437
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 190 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,95 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 8420/57
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 89 шт
  • 89 шт - склад
на замовлення: 3 шт
  • 3 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+55.00 грн
10+49.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+197.49 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+153.79 грн
100+146.91 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg
на замовлення 4628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+77.21 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+77.21 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+197.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Power dissipation: 230W
Gate charge: 57nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: 260A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+123.49 грн
5+100.55 грн
10+82.27 грн
50+63.98 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+153.79 грн
100+146.91 грн
250+141.01 грн
500+131.07 грн
1000+117.40 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBFInternational RectifierMOSFET n-канальный, 30 В, 260 А, TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 90009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+229.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLB3813PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 260 A, 1950 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm
на замовлення 2127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+228.91 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030InfineonTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+99.88 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.