НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STL18N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 8A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+102.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 15A 8-Pin Power Flat T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+141.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 15A 8-Pin Power Flat T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+126.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 15A 8-Pin Power Flat T/R
на замовлення 2761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+234.59 грн
10+192.16 грн
25+189.24 грн
100+148.84 грн
250+136.38 грн
500+124.54 грн
1000+118.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL18N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 15A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+83.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL18N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 650V 0.215Ohm 15A MDmesh M5
на замовлення 2051 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 15A 8-Pin Power Flat T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+256.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 15A 8-Pin Power Flat T/R
на замовлення 2761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+234.59 грн
74+192.16 грн
75+189.24 грн
100+148.84 грн
250+136.38 грн
500+124.54 грн
1000+118.16 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 15A 8-Pin Power Flat T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 15A 8-Pin Power Flat T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 15A 8-Pin Power Flat T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+126.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL18N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 15A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.06 грн
10+168.92 грн
50+130.58 грн
100+110.95 грн
500+91.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL18N65M5STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 6.5A; Idm: 60A; 57W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 57W
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL18NM60NSTMicroelectronics
на замовлення 558 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL18NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL18NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V 0.2 60 Ohm 6 A MDmesh II
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL190N4F7AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL190N4F7AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 2594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+129.16 грн
126+112.48 грн
127+111.92 грн
142+96.67 грн
250+89.11 грн
500+82.34 грн
1000+79.14 грн
Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL190N4F7AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 2594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+129.16 грн
10+112.48 грн
25+111.92 грн
100+96.67 грн
250+89.11 грн
500+82.34 грн
1000+79.14 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL190N4F7AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 40 V, 1.68 mOhm typ 120 A STripFET F7 Power MOSFET
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL190N4F7AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+86.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL190N4F7AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.82 грн
10+138.80 грн
50+106.50 грн
100+90.18 грн
500+73.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL190N4F7AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+86.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL190N8F8STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL190N8F8 - N-CHANNEL 80 V, 4.5 MOHM M,POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
rohsCompliant: TBA
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL195N4F7AGSTMicroelectronics0
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+290.41 грн
100+141.44 грн
110+129.18 грн
136+100.92 грн
200+87.56 грн
1000+74.68 грн
2000+69.67 грн
3000+69.59 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL19N3LLH6AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 30 V, 25 mOhm typ, 10 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL19N3LLH6AGSTMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 321 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL19N60DM2STMicroelectronicsSTL19N60DM2 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 11A 5-Pin Power Flat T/R - Arrow.com
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL19N60DM2STMicroelectronicsMOSFET PTD HIGH VOLTAGE
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL19N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A PWRFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL19N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL19N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.278 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: MDmesh
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.278ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL19N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.278 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL19N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A PWRFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 791 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL19N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL19N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.278 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: MDmesh
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.278ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL19N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A PWRFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 308mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL19N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A PWRFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 308mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+285.31 грн
10+179.94 грн
50+139.36 грн
100+118.51 грн
500+98.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL19N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 11 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 H
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL19N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 2.3A 4-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+130.03 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL19N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 12.5A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL19N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 0.215 Ohm typ. 12.5A MDmeshM5
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL19N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 2.3A 4-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+130.03 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL1E1-58Carling TechnologiesDescription: SWITCH TOGGLE
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 16A (DC)
Mounting Type: Panel Mount
Circuit: SPDT
Switch Function: Mom-Off-Mom
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Illumination: Non-Illuminated
Actuator Length: 14.25mm
Actuator Type: Standard Round
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 12.70mm Dia
Part Status: Active
Voltage Rating - DC: 24 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL1E1-73Carling TechnologiesToggle Switches STL1E1-73
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL1E1-73Carling TechnologiesDescription: SWITCH TOGGLE SPDT 16A 24V
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 16A (DC)
Mounting Type: Panel Mount
Circuit: SPDT
Switch Function: Mom-Off-Mom
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Illumination: Non-Illuminated
Actuator Length: 17.45mm
Actuator Type: Standard Round
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 12.70mm Dia
Part Status: Active
Voltage Rating - DC: 24 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL1E1-78Carling TechnologiesDescription: SWITCH TOGGLE SPDT 16A 24V
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 16A (DC)
Mounting Type: Panel Mount
Circuit: SPDT
Switch Function: Mom-Off-Mom
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Illumination: Non-Illuminated
Actuator Length: 17.45mm
Actuator Type: Standard Round
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 12.70mm Dia
Part Status: Active
Voltage Rating - DC: 24 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL1E1-78Carling TechnologiesToggle Switches STL1E1-78
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL1E4-53Carling TechnologiesSwitch Toggle (ON) OFF (ON) SPDT Bat Lever Screw 16A 24VDC Panel Mount with Threads Automotive
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+2518.96 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL1E4-58Carling TechnologiesDescription: SWITCH TOGGLE
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 16A (DC)
Mounting Type: Panel Mount
Circuit: SPDT
Switch Function: Mom-Off-Mom
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Screw Terminal
Illumination: Non-Illuminated
Actuator Length: 14.25mm
Actuator Type: Standard Round
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 12.70mm Dia
Part Status: Active
Voltage Rating - DC: 24 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL1E4-73Carling TechnologiesDescription: SWITCH TOGGLE SPDT 16A 24V
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 16A (DC)
Mounting Type: Panel Mount
Circuit: SPDT
Switch Function: Mom-Off-Mom
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Screw Terminal
Illumination: Non-Illuminated
Actuator Length: 17.45mm
Actuator Type: Standard Round
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 12.70mm Dia
Voltage Rating - DC: 24 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL2-350-10M-01EssentraCable Mounting & Accessories
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL2-350-12M-01EssentraCable Mounting & Accessories
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL2-350-6M-01EssentraCable Mounting & Accessories
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL2-350-8M-01EssentraCable Mounting & Accessories
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL2-450-10M-01EssentraCable Mounting & Accessories
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL2-450-12M-01EssentraCable Mounting & Accessories
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL2-450-4M-01EssentraCable Mounting & Accessories
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL2-450-6M-01EssentraCable Mounting & Accessories
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL2-450-8M-01EssentraCable Mounting & Accessories
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL2-600-10M-01EssentraCable Mounting & Accessories
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL2-600-12M-01EssentraCable Mounting & Accessories
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL20SAMSUNG
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL200N45LF7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 45V 120A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL20DN10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 100V 20A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 62.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 408pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL20DN10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 100V 20A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 62.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 408pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL20DN10F7STMicroelectronicsMOSFET Dual N-channel 100 V, 0.065 Ohm typ., 5 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 double island
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL20DNF06LAGSTMicroelectronicsMOSFET Automotive-grade dual N-channel 60 V, 27 mOhm typ., 20 A STripFET II Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 DI package
на замовлення 2655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL20DNF06LAGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL20N6F7STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 60 V, 0.0046 Ohm typ., 20 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.
на замовлення 9702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL20N6F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL20N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4600 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL20N6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 100A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 11783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.87 грн
10+68.91 грн
50+51.55 грн
100+43.12 грн
500+33.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL20N6F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL20N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4600 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL20N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL20N6F7STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 60V; 12A; 78W
Technology: STripFET™ F7
Mounting: SMD
Case: PowerFLAT 3.3x3.3
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Drain current: 12A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
на замовлення 1796 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+109.28 грн
10+66.42 грн
50+47.97 грн
100+43.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL20N6F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL20N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4600 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL20N6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 100A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.03 грн
9000+25.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL20N6F7
Код товару: 166310
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL20N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL20NF06LAGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 20A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL20NF06LAGSTMicroelectronicsMOSFET Automotive-grade N-channel 60 V, 27 mOhm typ., 20 A STripFET II Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL20NM20NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 20A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL20NM20NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 20A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL210N4F7STMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL210N4F7STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 40 V, 1.3 m? typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
на замовлення 2623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL210N4F7AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+70.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL210N4F7AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.17 грн
10+121.37 грн
50+92.64 грн
100+78.26 грн
500+63.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL210N4F7AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+70.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL210N4F7AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+57.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL210N4F7AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 40 V, 1.3 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET i
на замовлення 15549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL210N4LF7AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL210N4LF7AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive N-channel 40 V, 1.35 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL210N4LF7AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4210 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.63 грн
10+132.01 грн
50+101.10 грн
100+85.52 грн
500+69.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL210N4LF7AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4210 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL21N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 17A 4-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL21N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 17A PWRFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 179mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL21N65M5STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17A; Idm: 68A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: PowerFLAT 8x8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL21N65M5
Код товару: 106076
Додати до обраних Обраний товар
STMicroelectronicsТранзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL21N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 17A 4-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 1449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+258.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL21N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 17A 4-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 1449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+258.17 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL21N65M5STMicroelectronicsMOSFETs Mdmesh 650V .19 Ohms 1mm TO-220 17A (ID)
на замовлення 2342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL220N3LLH7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 220A POWERFLAT56
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.