Продукція > ZXM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
ZXMP3A17E6TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.2A 6-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A17E6TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.2A 6-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
356+39.83 грн
Мінімальне замовлення: 356 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A17E6TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.2A 6-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+39.83 грн
250+38.14 грн
500+36.45 грн
1000+33.52 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A17E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 3.2A SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 15 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.80 грн
6000+21.24 грн
9000+20.38 грн
15000+18.22 грн
21000+17.68 грн
30000+17.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A17E6TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP3A17E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A17E6TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.2A 6-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A17E6TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.2A 6-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
506+27.99 грн
Мінімальне замовлення: 506 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A17E6TAPBF
на замовлення 710 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3F30FH
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3F30FHTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3F30FHTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP3F30FHTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3F30FHTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 15 V
на замовлення 4644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.30 грн
10+31.55 грн
100+20.32 грн
500+14.51 грн
1000+13.04 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3F30FHTADiodes IncorporatedMOSFETs 30V P-Channel MOSFET 20V VGS -15.3A IDM
на замовлення 3359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3F30FHTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3F30FHTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP3F30FHTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3F35N8
на замовлення 123800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3F35N8Diodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3F35N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 9.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3F36N8Diodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3F36N8
на замовлення 123800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3F36N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 7.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.9 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2265 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3F37DN8
на замовлення 123800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3F37DN8Diodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3F37DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.81W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1678pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3F37DN8TA
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3F37DN8TC
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3F37N8
на замовлення 123800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3F37N8TA
на замовлення 990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3F37N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 6.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1678 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3F37N8TC
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A16ZETEXSOT-223
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A16GZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A16GQTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1007 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 49222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.46 грн
10+62.95 грн
100+41.76 грн
500+30.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A16GQTADiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A16GQTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+30.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A16GQTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1007 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 49000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+30.89 грн
2000+27.29 грн
3000+26.03 грн
5000+23.11 грн
7000+22.32 грн
10000+22.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A16GQTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A16GQTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-223-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A16GQTCDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A16GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 4.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A16GTADIODES/ZETEXP-MOSFET 40V 6.4A ZXMP4A16GTA DIODES TZXMP4a16g
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+26.56 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A16GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP4A16GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.4 A, 0.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A16GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 4.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
315+45.00 грн
Мінімальне замовлення: 315 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A16GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V 6.4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1007 pF @ 20 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+27.97 грн
2000+24.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A16GTADiodes IncorporatedMOSFETs 40V P-Chnl UMOS
на замовлення 33957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A16GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 4.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+38.02 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A16GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP4A16GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.4 A, 0.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 3.9W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 3864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A16GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 4.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 29000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+23.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A16GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 4.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 29000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+23.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A16GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V 6.4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1007 pF @ 20 V
на замовлення 2156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.84 грн
10+57.51 грн
100+37.99 грн
500+27.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A16KDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP4A16K - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 9.9 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 9.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A16KDiodes Inc./ZetexСилові MOSFET-модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A16KDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP4A16K - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 9.9 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 9.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A16KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V 6.6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 20 V
на замовлення 20559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.22 грн
10+88.69 грн
100+59.95 грн
500+44.71 грн
1000+40.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A16KTCZETEXMOSFET P-CHAN 40V 9.9A DPAK
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
3+127.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A16KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V 6.6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 20 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.91 грн
5000+36.75 грн
7500+35.40 грн
12500+32.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A16KTCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A16KTCDiodes Inc./ZetexСилові MOSFET-модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A16KTCDiodes IncorporatedMOSFETs 40V 9.9A P-CHANNEL
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A57E6
на замовлення 123800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A57E6QTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 2.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A57E6QTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V SOT26 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 833 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.30 грн
10+49.82 грн
100+32.65 грн
500+23.74 грн
1000+21.52 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A57E6QTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 2.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.59 грн
6000+17.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A57E6QTADiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V SOT26 T&R 3K
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A57E6QTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 2.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A57E6QTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V SOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 833 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.68 грн
6000+18.40 грн
9000+17.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A57E6QTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 2.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A57E6QTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 2.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.47 грн
6000+16.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A57E6TADIODES/ZETEXP-MOSFET 40V 2.9A 1.1W ZXMP4A57E6TA TZXMP4a57e6
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+21.46 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A57E6TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 2.9A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+13.77 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A57E6TADiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 31V-40 SOT26,3K
на замовлення 11961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A57E6TA
Код товару: 113909
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A57E6TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 2.9A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A57E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V 2.9A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 833 pF @ 20 V
на замовлення 67653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.41 грн
10+40.61 грн
100+26.39 грн
500+19.03 грн
1000+17.18 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A57E6TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP4A57E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 2.9 A, 0.08 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A57E6TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 2.9A 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A57E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V 2.9A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 833 pF @ 20 V
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.41 грн
6000+14.55 грн
9000+13.90 грн
15000+12.37 грн
21000+12.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A57E6TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP4A57E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 2.9 A, 0.08 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A57E6TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 2.9A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP61P02
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP61P03
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP62M832TA
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A12GTADIODES/ZETEXTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 595mOhm; 2,3A; 3,9W; -55°C ~ 150°C; ZXMP6A13GTA TZXMP6a13g
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.14 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13FDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13FZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13FQTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 0.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13FQTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP6A13FQTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13FQTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 0.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+19.52 грн
42+18.05 грн
43+17.87 грн
100+16.24 грн
250+14.89 грн
500+13.76 грн
1000+13.73 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13FQTADiodes IncorporatedMOSFETs 60V P-Ch Enh Fet 20Vgs 625pD 219pF
на замовлення 62705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13FQTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 0.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13FQTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 900MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 219 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 976753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.95 грн
18+17.13 грн
100+15.15 грн
500+12.43 грн
1000+11.52 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13FQTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP6A13FQTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 625mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.4ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13FQTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 0.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13FQTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 0.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
792+17.87 грн
840+16.84 грн
848+16.68 грн
881+15.48 грн
1000+14.30 грн
Мінімальне замовлення: 792 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13FQTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 900MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 219 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 975000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.58 грн
6000+9.32 грн
9000+8.88 грн
15000+8.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.74 грн
6000+15.41 грн
9000+13.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 900MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 219 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.52 грн
6000+11.06 грн
9000+10.56 грн
15000+9.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.16 грн
6000+15.94 грн
9000+14.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+49.87 грн
20+38.39 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A13FTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP6A13FTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.