Продукція > ZXM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
ZXMP3A13FTADiodes IncorporatedMOSFETs 30V P-Chnl UMOS
на замовлення 19324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A13FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A13FTCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16D
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16DN8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16DN8TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP3A16DN8TA - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+61.69 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16DN8TADIODES/ZETEXTrans MOSFET P-CH 30V 5.5A ZXMP3A16DN8 DIODES TZXMP3a16dn8
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 135 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+38.03 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.2A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1022pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.92 грн
10+91.48 грн
100+61.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16DN8TADiodes IncorporatedMOSFETs Dl 30V P-Chnl UMOS
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4.2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+50.99 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16DN8TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP3A16DN8TA - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.99 грн
10+86.16 грн
100+61.69 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16DN8TAZetexTrans MOSFET P-CH 30V 5.5A ZXMP3A16DN8 DIODES TZXMP3a16dn8
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.35 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.2A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1022pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+51.05 грн
1000+45.08 грн
1500+43.00 грн
2500+38.17 грн
3500+36.87 грн
5000+36.67 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4.2A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16GDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16GZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 5.4A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1022 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+36.49 грн
2000+32.33 грн
3000+30.90 грн
5000+27.49 грн
7000+26.60 грн
10000+25.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1565000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+33.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+38.17 грн
2000+33.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+38.67 грн
2000+33.77 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP3A16GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.045 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.51 грн
200+46.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
328+43.21 грн
Мінімальне замовлення: 328 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 5.4A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1022 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.14 грн
10+72.99 грн
100+48.84 грн
500+36.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16GTADiodes IncorporatedMOSFETs 30V P Chnl UMOS
на замовлення 3193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+38.42 грн
2000+33.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+43.21 грн
250+38.55 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP3A16GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.045 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.49 грн
11+75.03 грн
50+62.51 грн
200+46.34 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+38.17 грн
2000+33.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16GTCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16N8Diodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16N8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16N8TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP3A16N8TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.7 A, 0.04 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+86.97 грн
15+55.11 грн
100+36.66 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16N8TA
на замовлення 10075 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 5.6A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1022 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16N8TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP3A16N8TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.7 A, 0.04 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.66 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 5.6A 8SO
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1022 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.60 грн
10+64.84 грн
100+43.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16N8TADiodes IncorporatedMOSFETs 30V P-Chnl UMOS
на замовлення 573 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16N8TADIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.4A; Idm: -26A; 1.9W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.4A
Pulsed drain current: -26A
Power dissipation: 1.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16N8TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 5.6A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A17DZETEX2004
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A17DN8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A17DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.28nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A17DN8TADiodes IncorporatedMOSFETs Dl 30V P-Chnl UMOS
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A17DN8TADIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -16.2A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -16.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A17DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A17DN8TA
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A17E6ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A17E6TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.2A 6-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
337+27.99 грн
500+25.11 грн
1000+24.53 грн
3000+21.93 грн
6000+20.10 грн
9000+19.11 грн
15000+18.92 грн
21000+18.73 грн
30000+18.70 грн
Мінімальне замовлення: 337 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A17E6TADiodes IncorporatedMOSFETs 30V P-Chnl UMOS
на замовлення 14789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A17E6TADIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.2A; Idm: -14.4A; 1.1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -14.4A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+75.87 грн
10+51.83 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A17E6TADiodes Inc./ZetexSOT-23-6 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A17E6TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.2A 6-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A17E6TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.2A 6-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A17E6TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.2A 6-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
356+39.83 грн
Мінімальне замовлення: 356 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A17E6TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP3A17E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 1284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.04 грн
50+64.87 грн
100+43.24 грн
500+32.15 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A17E6TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.2A 6-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+39.83 грн
250+38.14 грн
500+36.45 грн
1000+33.52 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A17E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 3.2A SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 15 V
на замовлення 50513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.49 грн
10+56.16 грн
100+37.09 грн
500+27.13 грн
1000+24.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A17E6TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.2A 6-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A17E6TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.2A 6-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
506+27.99 грн
Мінімальне замовлення: 506 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A17E6TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.2A 6-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A17E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 3.2A SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 15 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.80 грн
6000+21.24 грн
9000+20.38 грн
15000+18.22 грн
21000+17.68 грн
30000+17.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A17E6TAPBF
на замовлення 710 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3F30FH
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3F30FHTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3F30FHTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP3F30FHTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.24 грн
500+13.21 грн
1000+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3F30FHTADiodes IncorporatedMOSFETs 30V P-Channel MOSFET 20V VGS -15.3A IDM
на замовлення 3359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3F30FHTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 15 V
на замовлення 4644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.30 грн
10+31.55 грн
100+20.32 грн
500+14.51 грн
1000+13.04 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3F30FHTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3F30FHTA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3F30FHTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP3F30FHTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.66 грн
27+31.21 грн
100+20.24 грн
500+13.21 грн
1000+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3F35N8Diodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3F35N8
на замовлення 123800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3F35N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 9.3A 8SO
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77.1 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3F36N8
на замовлення 123800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3F36N8Diodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3F36N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 7.2A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2265 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.9 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3F37DN8Diodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3F37DN8
на замовлення 123800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3F37DN8TA
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3F37DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 30V 5.7A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1678pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.81W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3F37DN8TC
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3F37N8
на замовлення 123800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3F37N8TA
на замовлення 990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3F37N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 6.4A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1678 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3F37N8TC
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A16ZETEXSOT-223
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A16GZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A16GQTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+30.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A16GQTADiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A16GQTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1007 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 49222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.46 грн
10+62.95 грн
100+41.76 грн
500+30.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A16GQTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A16GQTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1007 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 49000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+30.89 грн
2000+27.29 грн
3000+26.03 грн
5000+23.11 грн
7000+22.32 грн
10000+22.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A16GQTCDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A16GQTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-223-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A16GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP4A16GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.4 A, 0.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+89.41 грн
13+66.25 грн
50+53.49 грн
200+37.74 грн
500+28.36 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A16GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V 6.4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1007 pF @ 20 V
на замовлення 2156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.84 грн
10+57.51 грн
100+37.99 грн
500+27.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A16GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 4.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+38.02 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A16GTADiodes IncorporatedMOSFETs 40V P-Chnl UMOS
на замовлення 33957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP4A16GTADIODES/ZETEXP-MOSFET 40V 6.4A ZXMP4A16GTA DIODES TZXMP4a16g
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+26.56 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]