Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 22 44 66 88 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF2807ZPBF
Код товару: 58174
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+130.54 грн
500+117.49 грн
Мінімальне замовлення: 271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBFInternational RectifierN-кан. MOSFET 75V, 82A, 0.013Ом, 230Вт, TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 89A 9.4mOhm 71nC
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+165.00 грн
5+106.66 грн
10+99.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+207.34 грн
96+147.86 грн
132+106.93 грн
500+85.80 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+130.54 грн
500+117.49 грн
1000+108.34 грн
Мінімальне замовлення: 271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+130.54 грн
500+117.49 грн
Мінімальне замовлення: 271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 223000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+130.54 грн
500+117.49 грн
1000+108.34 грн
10000+93.15 грн
100000+72.27 грн
Мінімальне замовлення: 271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF2807ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 89 A, 9400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+206.10 грн
10+146.96 грн
100+106.29 грн
500+85.29 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+130.54 грн
500+117.49 грн
1000+108.34 грн
Мінімальне замовлення: 271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZS
Код товару: 186277
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZSIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZSTRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZSTRLPBFInfineon
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF2807ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 75 A, 0.0075 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 27200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+157.58 грн
500+142.30 грн
1000+130.54 грн
10000+112.45 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 89A 9.4mOhm 71nC
на замовлення 1107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF2807ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 75 A, 0.0075 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZSTRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2903ZLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 75A TO262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2903ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+120.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2903ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
205+172.87 грн
Мінімальне замовлення: 205 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2903ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 260A 2.4mOhm 160nC Qg
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2903ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2903ZPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF2903ZPBF - IRF2903Z - TRENCH < 40V
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 179 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2903ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+119.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2903ZSIRDO-41
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2903ZSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 235A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2903ZSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2903ZSTRLInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2903ZSTRLPInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 30V 260A 2.4mOhm 160nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2903ZSTRLPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2903ZSTRRPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907STRLIR04+
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZLPBFInternational RectifierTO-262 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 160A TO262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2705+232.77 грн
Мінімальне замовлення: 2705 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 170A 4.5mOhm 180nC
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF2907ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 4500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+351.23 грн
10+250.53 грн
100+184.96 грн
500+172.15 грн
1000+143.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZPBF
Код товару: 125164
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 160A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2700+52.38 грн
Мінімальне замовлення: 2700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+351.23 грн
57+250.53 грн
100+184.96 грн
500+172.15 грн
1000+143.61 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZPBFInternational RectifierTO220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+285.34 грн
10+198.08 грн
25+147.29 грн
50+132.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZPBFInternational RectifierDescription: IRF2907 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
на замовлення 20886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+143.89 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZSIRTO-263
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZS-7PInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZS-7P
Код товару: 99615
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Напруга сток-витік Uds, В: 75 В
Струм стоку Idd, А: 120 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 3,8 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 7580/170
товару немає в наявності
1+80.00 грн
10+71.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZS-7PPBFInfineon / IRMOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 3.8mOhms 170nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZS-7PPBF
Код товару: 128961
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZS-7PPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 110A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7580 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZSPBF
Код товару: 175653
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZSPBFInfineon TechnologiesIRF2907ZSPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube Si - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZSPBFInfineon / IRMOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 180nC
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+206.98 грн
500+196.39 грн
1000+184.63 грн
10000+167.83 грн
Мінімальне замовлення: 171 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
на замовлення 8946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+360.77 грн
10+230.46 грн
50+180.12 грн
100+153.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 170A 4.5mOhm 180nC
на замовлення 2051 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZSTRLPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+206.98 грн
Мінімальне замовлення: 171 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+129.37 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+150.84 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+206.98 грн
Мінімальне замовлення: 171 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+129.84 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2910S
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3 1 10%VishayRF inductors - Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3 10 10%VishayRF inductors - Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3 10 10%TRVishay / DaleRF inductors - Leaded 10uH 10% Axial Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3 10 10%TR R36VishayRF inductors - Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3 100 10%VishayRF inductors - Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3 150 10%VishayRF inductors - Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3 1K 10%VishayRF inductors - Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3 220 10%VishayRF inductors - Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3 3.3 10%VishayRF inductors - Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3 3.3 10%TRVishayRF inductors - Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3 33 10%VishayRF inductors - Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3 47 10%VishayRF inductors - Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3 47 10%TRVishayRF inductors - Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3 470 10%VishayRF inductors - Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3 5.6 10%TRVishayRF inductors - Leaded 5.6uH 10%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3 820 10%VishayRF inductors - Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3000International RectifierMOSFET N-CH 300V 1.6A 8-SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3000Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 300V 1.6A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 960mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3000(CD90-22350-1TR)QUALCOMM2004
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3000PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 300V 1.6A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 960mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3000TRPBFIRSOP8 06+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007L
на замовлення 1822 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 22 44 66 88 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]