Продукція > IRF
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFIZ14GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFIZ14GPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 8A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 27W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Packaging: Tube | на замовлення 739 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFIZ24E | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 14A TO220AB FP Power Dissipation (Max): 29W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 7.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFIZ24EPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 14A TO220AB FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 29W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 7.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFIZ24G | Infineon / IR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRFIZ24G | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFIZ24G | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 14A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFIZ24G | IR | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFIZ24GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFIZ24GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFIZ24GPBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFIZ24GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 37W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFIZ24GPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 14A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V | на замовлення 1905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFIZ24GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFIZ24GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFIZ24GPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO220 N-CH 60V 14A | на замовлення 1261 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFIZ24N | International Rectifier | N-MOSFET 55V 14A 29W IRFIZ24N Infineon TIRFIZ24n кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFIZ24N | International Rectifier | N-MOSFET 55V 14A 29W IRFIZ24N Infineon TIRFIZ24n кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFIZ24N Код товару: 13471
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220FULL Uds,V: 55 V Idd,A: 14 A Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 370/20 Примітка: Ізольований корпус Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||||
| IRFIZ24NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 846 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFIZ24NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 3773 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFIZ24NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFIZ24NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFIZ24NPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 55V 13A 70mOhm 13.3nC | на замовлення 2583 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFIZ24NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFIZ24NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 16 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFIZ24NPBF | Infineon | MOSFET N-CH 55V 14A TO220AB FP Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFIZ24NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 8332 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFIZ24NPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFIZ24NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 14 A, 0.07 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 29W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFIZ24NPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 14A TO220AB FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFIZ34E | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 21A TO220AB FP Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 11A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) FET Type: N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFIZ34G | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFIZ34G | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 20A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFIZ34G | Siliconix | N-MOSFET 60V 20A 42W IRFIZ34G Vishay TIRFIZ34g кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 23 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFIZ34G(85-0003) | на замовлення 39650 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| IRFIZ34GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFIZ34GPBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFIZ34GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.05 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 222 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFIZ34GPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO220 60V 20A N-CH MOSFET | на замовлення 1589 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFIZ34GPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 20A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Packaging: Tube | на замовлення 1501 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFIZ34GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFIZ34N | International Rectifier | N-MOSFET 55V 21A 37W IRFIZ34N Infineon TIRFIZ34n кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFIZ34NPBF | International Rectifier | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFIZ34NPBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFIZ34NPBF - IRFIZ34 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 45 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFIZ34NPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 55V 19A 40mOhm 22.7nC | на замовлення 1981 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFIZ34NPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 21A TO220AB FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFIZ34NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFIZ34V | на замовлення 2072 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| IRFIZ44G | IR | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFIZ44G | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFIZ44GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFIZ44GPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFIZ44GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | на замовлення 836 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFIZ44GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFIZ44GPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO220 N-CH 60V 30A | на замовлення 785 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFIZ44N | Vishay / Siliconix | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFIZ44N | International Rectifier | N-MOSFET 55V 31A 45W IRFIZ44N Infineon TIRFIZ44n кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFIZ44NPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 55V 28A 24mOhm 43.3nC | на замовлення 3263 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFIZ44NPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 31A TO220AB FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V | на замовлення 2382 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFIZ44NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 38W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 28A Power dissipation: 38W Case: TO220FP Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 43.3nC On-state resistance: 24mΩ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFIZ44NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 22295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFIZ44NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFIZ44NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 27120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFIZ44NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFIZ44NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 3636 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFIZ44NPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 55V 31A TO220FP Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFIZ44NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 10050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFIZ44NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 2443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFIZ44NPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFIZ44NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.024 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 38W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm | на замовлення 1783 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFIZ44NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 2443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFIZ44NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 27129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFIZ44NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFIZ44NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFIZ44NPBF | Infineon | MOSFET N-CH 55V 31A TO220FP Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFIZ46G | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 50V TO220-3 FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Packaging: Tube Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Supplier Device Package: TO-220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFIZ46N | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 33A TO220AB FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 19A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFIZ46N | International Rectifier | N-MOSFET 55V 33A 45W IRFIZ46N Infineon TIRFIZ46n кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFIZ46NPBF | Infineon | MOSFET N-CH 55V 33A TO220AB FP Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFIZ46NPBF | Infineon / IR | MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 20mOhms 40.7nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFIZ46NPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 33A TO220AB FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFIZ48G | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFIZ48GPBF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFIZ48G | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 37A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 22A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFIZ48G | Siliconix | N-MOSFET 60V 37A 50W IRFIZ48G Vishay TIRFIZ48g кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFIZ48GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | на замовлення 813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFIZ48GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | на замовлення 540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFIZ48GPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 37A TO220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 22A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | на замовлення 1869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFIZ48GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFIZ48GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFIZ48GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | на замовлення 770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFIZ48GPBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFIZ48GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 37 A, 0.018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFIZ48GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | на замовлення 269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFIZ48GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | на замовлення 1320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFIZ48GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFIZ48GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFIZ48GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | на замовлення 1875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFIZ48GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | на замовлення 1485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFIZ48GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFIZ48GPBF | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 26A; 50W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 26A Power dissipation: 50W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 1313 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFIZ48GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | на замовлення 1120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFIZ48GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | на замовлення 570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFIZ48GPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO220 N-CH 60V 37A | на замовлення 8707 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFIZ48GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | на замовлення 1125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

