Продукція > 2SJ

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
2SJ653-CB11-ONonsemiDescription: MOSFET FOR 60V MOTOR DRIVERS
Packaging: Bulk
на замовлення 6150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+127.18 грн
Мінімальне замовлення: 173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ654ONSEMIDescription: ONSEMI - 2SJ654 - 2SJ654, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 16643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
526+50.64 грн
Мінімальне замовлення: 526 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ654SANYO
на замовлення 7800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ654Z
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ655onsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 12A TO220ML
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220ML
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 136mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
на замовлення 71306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
290+77.62 грн
Мінімальне замовлення: 290 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ655ONSEMIDescription: ONSEMI - 2SJ655 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.1 ohm, TO-220ML, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220ML
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 154286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
349+89.41 грн
Мінімальне замовлення: 349 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ655-MG5onsemiDescription: MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 7506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
290+73.22 грн
Мінімальне замовлення: 290 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ655-MG5ONSEMIDescription: ONSEMI - 2SJ655-MG5 - 2SJ655-MG5, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
349+76.24 грн
Мінімальне замовлення: 349 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ655-MG5-SYSanyoDescription: MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 17750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
290+73.22 грн
Мінімальне замовлення: 290 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ656onsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 18A TO220ML
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75.5mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220ML
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ659-DL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SJ659-DL-E - 2SJ659 - P-CHANNEL 4V DRIVE SERIES
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+41.86 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ659-DL-EonsemiDescription: PCH 4V DRIVE SERIES
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 642 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ659-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SJ659-E - 2SJ659 - P-CHANNEL 4V DRIVE SERIES
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+89.41 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ660-DL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SJ660-DL-E - 2SJ660 - P-CHANNEL 4V DRIVE SERIES
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 737 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ660-DL-EonsemiDescription: PCH 4V DRIVE SERIES
на замовлення 737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 201 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ661-1EON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 38A TO262-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ661-1EON SemiconductorMOSFET PCH 4V DRIVE SERIES
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ661-1EXON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH I2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ661-1EXRochester Electronics, LLCDescription: PCH 4V DRIVE SERIES
на замовлення 4688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ661-DL-1ERochester Electronics, LLCDescription: 2SJ661 - P-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ661-DL-1EON SemiconductorMOSFET PCH 4V DRIVE SERIES
на замовлення 659 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ661-DL-1EON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 60V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ661-DL-1EON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 38A TO263-2
на замовлення 1406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ661-DL-1EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SJ661-DL-1E - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 38 A, 0.0295 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 38
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 65
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 65
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SJ661
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0295
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0295
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ661-DL-1EON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 38A TO263-2
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ661-DL-1EXON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ661-DL-1EXRochester Electronics, LLCDescription: MOSFET P-CH D2PAK
на замовлення 4681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ661-DL-EonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 38A SMP-FD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: SMP-FD
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta), 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ661-DL-EON SemiconductorMOSFET PCH 4V DRIVE SERIES
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ665-DL-1EXONSEMIDescription: ONSEMI - 2SJ665-DL-1EX - 2SJ665 - P-CHANNEL 4V DRIVE SERIES
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+129.24 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ665-DL-1EXonsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 27A TO263-2
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ665-DL-EonsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 27A SMP-FD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: SMP-FD
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta), 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ668ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ668(TE16L1,NQ)TOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SJ668(TE16L1,NQ) - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5 A, 0.17 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 20
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ668(TE16L1,NQ)ToshibaMOSFET MOSFET P-Ch 60V 5A Rdson=0.17Ohm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ668(TE16L1,NQ)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PW-MOLD
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ668(TE16L1,NQ)TOSHIBASOT252/2.5
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ668-ZNECTO-252
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ668?TE16L1?NQ?TOSHIBATO252
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ670-TD-ESanyoDescription: 2SJ670 - P-CHANNEL SILICON MOSFE
Packaging: Bulk
на замовлення 3361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
790+25.63 грн
Мінімальне замовлення: 790 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ670-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SJ670-TD-E - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.41 ohm, PCP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: PCP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+19.10 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ673-AZRenesas ElectronicsMOSFET MOSFET
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ673-AZRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 60V 36A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 32W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ68
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ681Toshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ681(Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ6810 [A]
Код товару: 40312
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ683-TL-ESANYO Semiconductor (U.S.A) CorporationDescription: MOSFET P-CH 60V 65A ZP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ683-TL-ESANYO Semiconductor (U.S.A) CorporationDescription: MOSFET P-CH 60V 65A ZP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ683-TL-ESANYO Semiconductor (U.S.A) CorporationDescription: MOSFET P-CH 60V 65A ZP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ687-ZK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 20V 20A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 36W (Tc)
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 10 V
на замовлення 2629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+229.66 грн
10+143.86 грн
100+100.12 грн
500+80.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ687-ZK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 20V 20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 36W (Tc)
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ687-ZK-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFETs Pch Power MOSFET -20V -20A 7mohm TO-252 / DPAK
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ687-ZK-E2-AYRenesas Electronics CorporationDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
204+111.29 грн
Мінімальне замовлення: 204 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ688(T6L1CANO,NQ)TOSHIBASOT252/2.5
на замовлення 888 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ69
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ6920 (біполярний транзистор NPN)
Код товару: 25152
Додати до обраних Обраний товар
FairchildТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-247
fT: 3 MHz
Uceo,V: 800 V
Ucbo,V: 1700 V
Ic,A: 20 A
h21: 8,5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ70
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ72
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ72BL
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ72GR
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ72V
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ73TOSHIBA09+
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ74
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ74-BLTOSHIBA
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ74-BLToshibaJFETs X34 Pb Small Signal Trans
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ74-BL 2SJ74BLToshibaTRANSISTOR P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ74-BL TO-92 -- Toshiba
Код товару: 42289
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
УКТЗЕД: 8541 29 00 10
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ74-GR(F)ToshibaJFETs TO-92 FET,DISCON(07-04)/OBSOLETE(10-04),
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ74BLTOShiBA
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ74GRTOSHIBA
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ74GR+TOSHIBA
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ74V
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ74Y
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ75TOSHIBA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ76
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ77
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ77-ERenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET P-CH 160V 0.5A TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ77-ERenesas ElectronicsRenesas Electronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ77K
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ78-ERenesas ElectronicsRenesas Electronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ79
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ79-ERenesas ElectronicsRenesas Electronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ79K
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ81
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ82
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ83
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ84
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ85
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ86
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ87
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ90
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ91TOS01+ TO-3
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ92
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ99
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SJK1919
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15