Продукція > SI4

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 24 30 36 42 48 54 60 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI4390DY-T1
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4390DY-T1-E3VISHAY2004 SOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4390DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4390DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 12.5A 3.0W 9.5mohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4390DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4390DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 12.5A 3.0W 9.5mohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4390DYT1E3VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4392SISOP-8
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4392ADY-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 21.5A; Idm: 50A
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 11.5mΩ
Power dissipation: 6.25W
Drain current: 21.5A
Pulsed drain current: 50A
Drain-source voltage: 30V
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4392ADY-T1-E3
на замовлення 175200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4392ADY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 21.5A 6.25W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4392ADYT1E3VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4392DYSILICONIX
на замовлення 2924 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4392DY-T1VISHAY04+
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4392DY-T1 SOP-8VISHAY
на замовлення 23700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4392DY-T1-E3VISHAYSOP8
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4392DY-T1-GE3
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4392DY-T1SOP-
на замовлення 23700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4392DYT1E3VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4394DY
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4394DY-T1
на замовлення 569 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4394DY-T1-E3VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4394DY-T1-GE3
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4394DYT1E3VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4396DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4396DY-T1-E3VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4396DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4396DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4396DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4396DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4396DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4396DYT1E3VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4398DY
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4398DY-T1-E3VISHAY
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4398DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4398DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4398DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4398DY-T1-GE3
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4398DYT1E3VISHAY
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI440
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4400SILICONX1
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4400DYT1VISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4400M3SI00+ SOP8
на замовлення 167 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDYUMWDescription: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.66 грн
10+38.62 грн
100+25.08 грн
500+18.07 грн
1000+16.30 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDYSiliconixTransistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 21mOhm; 8,7A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; SI4401BDY TSI4401bdy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+37.36 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDYUMWDescription: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-E3Vishay / SiliconixMOSFET P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 5 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+69.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V 10.5A 0.014Ohm
на замовлення 12507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+102.68 грн
10+101.10 грн
25+99.51 грн
50+94.43 грн
100+86.02 грн
250+81.22 грн
500+79.86 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-E3Vishay SiliconixSI4401BDY-T1-E3 SI4401BDY P-Channel 40-V (D-S) MOSFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.22 грн
10+139.50 грн
100+96.66 грн
500+73.53 грн
1000+68.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+102.68 грн
139+101.10 грн
142+99.51 грн
144+94.43 грн
146+86.02 грн
250+81.22 грн
500+79.86 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-E3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -8.3A; Idm: -50A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.3A
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 2.9W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+88.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-GE3Vishay SiliconixSI4401BDY-T1-GE3 SI4401BDY P-Channel 40-V (D-S) MOSFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+245.38 грн
10+159.72 грн
100+110.10 грн
500+85.97 грн
2500+78.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 5 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+56.99 грн
5000+53.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+251.01 грн
87+162.03 грн
100+147.05 грн
200+104.77 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+160.71 грн
127+110.79 грн
500+89.72 грн
2500+85.64 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V 10.5A 2.9W 14mohm @ 10V
на замовлення 9321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 5 V
на замовлення 9472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.89 грн
10+118.52 грн
100+81.39 грн
500+61.48 грн
1000+56.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-GE3CT-NDVISHAY
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDYT1E3VISHAY
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.96 грн
5000+30.51 грн
7500+29.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 16.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3007 pF @ 20 V
на замовлення 51633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.75 грн
10+53.07 грн
100+35.02 грн
500+25.57 грн
1000+23.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+86.15 грн
242+58.22 грн
500+43.80 грн
1000+37.17 грн
2500+34.07 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -40V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 6803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3SiliconixP-MOSFET 40V 16.1A 15mΩ 6.3W SI4401DDY-T1-GE3 Vishay TSI4401ddy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+21.11 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -16.1A; Idm: -50A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -16.1A
Gate charge: 95nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 4W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2006 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+80.71 грн
10+46.53 грн
100+31.46 грн
500+23.64 грн
1000+20.84 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 16.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3007 pF @ 20 V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.88 грн
5000+20.36 грн
7500+19.50 грн
12500+17.40 грн
17500+16.87 грн
25000+16.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4401DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16.1 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 44610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3
на замовлення 330000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.96 грн
5000+30.51 грн
7500+29.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3Vishay SiliconixSI4401DDY-T1-GE3 MOSFET P-CH 40V 16.1A 8SO Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DYVISHAY09+
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DYVishay / SiliconixMOSFET 40V 10.5A 3W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DY-E3Vishay SiliconixДЛЯ НОВЫХ РАЗРАБ. РЕКОМЕНД. Si4401DDY Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DY-E3Vishay / SiliconixMOSFET 40V 10.5A 3W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DY-T1Vishay / SiliconixMOSFET 40V 10.5A 3W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DY-T1VIS03+ SOP8
на замовлення 2119 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 10.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4401DDY-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4401DDY-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 10.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DYT1VISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DYT1E3VISHAY
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401FDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 9.9A/14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
на замовлення 58405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.83 грн
10+61.15 грн
100+40.57 грн
500+29.79 грн
1000+27.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401FDY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -11A; Idm: -80A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -11A
Gate charge: 31nC
On-state resistance: 18.3mΩ
Power dissipation: 3.2W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+91.35 грн
7+67.04 грн
10+58.47 грн
100+36.57 грн
500+29.90 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401FDY-T1-GE3Vishay SiliconixSI4401FDY-T1-GE3 MOSFET P-CH 40V 9.9A/14A 8SO Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401FDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401FDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+27.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 24 30 36 42 48 54 60 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]