Продукція > SIH

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 24 27 30  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SIHFR9310TRL-GE3VishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.01 грн
6000+27.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9310TRL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 400V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 2049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.41 грн
10+53.36 грн
50+39.57 грн
100+32.95 грн
500+25.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9310TRL-GE3VishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.01 грн
6000+27.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9310TRR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 400V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.41 грн
10+53.36 грн
50+39.57 грн
100+32.95 грн
500+25.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9310TRR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 400V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9310TRR-GE3VishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9310TRR-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 400V 1.8A P-CH MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFRC20T-E3Vishay SiliconixSiHFRC20T-E3 IRFRC20TRPBF DPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFRC20TL-E3Vishay SiliconixSiHFRC20TL-E3 IRFRC20TRLPBF DPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFRC20TR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
на замовлення 1326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.67 грн
10+59.75 грн
100+39.53 грн
500+28.94 грн
1000+26.31 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFRC20TR-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 600V 2A N-CH MOSFET
на замовлення 3869 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFRC20TR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFS11N50AVishay SiliconixSiHFS11N50A 500 В 11 А (TO-263) N-CH U=500V I=11A R=0,52Oм D2PAK=TO-263 Транзистори
на замовлення 135 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
7+116.16 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFS11N50A-E3Vishay SiliconixSiHFS11N50A-E3 IRFS11N50APBF D2PAK=TO-263 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFS11N50A-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFS11N50A-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 11A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFS11N50A-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; Idm: 44A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFS11N50A-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds E Series D2PAK TO-263
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFS11N50ATRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFS11N50ATRR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFS9N60A-E3Vishay SiliconixSiHFS9N60A-E3 IRFS9N60APBF D2PAK=TO-263 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFS9N60A-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFS9N60A-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFS9N60A-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds TO-263 D2PAK
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFS9N60A-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFS9N60ATRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFS9N60ATRR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFSL9N60A-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFSL9N60A-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFU014-E3Vishay SiliconixSiHFU014-E3 IRFU014PBF IPAK=TO-251 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU014-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU020-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU024-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 60V
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU024-GE3Vishay SiliconixDescription: LOGIC MOSFET N-CHANNEL 60V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU110-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU120-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU120-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFU1N60A-E3Vishay SiliconixSiHFU1N60A-E3 IRFU1N60APBF IPAK=TO-251 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU1N60A-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU1N60A-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFU220-E3Vishay SiliconixSiHFU220-E3 IRFU220PBF IPAK=TO-251 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU220-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 200V
на замовлення 2714 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFU310-E3Vishay SiliconixSiHFU310-E3 IRFU310PBF N-CH. 400V 1.7A IPAK=TO-251 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU310-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.1A; Idm: 6A; 25W; IPAK,TO251
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Case: IPAK; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 12nC
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 25W
On-state resistance: 3.6Ω
Pulsed drain current: 6A
Drain-source voltage: 400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU310-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 400V 1.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU310-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 400V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 2291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.94 грн
10+47.36 грн
75+32.53 грн
150+27.13 грн
525+22.29 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU310-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHFU310-GE3 - MOSFET, N-CH, 400V, 1.7A, TO-251
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 25W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU310-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 400V 1.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFU320-E3Vishay SiliconixSiHFU320-E3 IRFU320PBF 400V 3.1A IPAK=TO-251 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU320-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFU420-E3Vishay SiliconixSiHFU420-E3 IRFU420PBF N-CH 500V 2.4A IPAK=TO-251 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU420-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
на замовлення 2931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU420-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU420A-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU9014-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFU9022-E3Vishay SiliconixSiHFU9022-E3 IRFU9022PBF IPAK=TO-251 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFU9024-E3Vishay SiliconixSiHFU9024-E3 IRFU9024PBF IPAK=TO-251 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU9024-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU9120-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU9120-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -5.6A; Idm: -22A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFU9210-E3Vishay SiliconixSiHFU9210-E3 IRFU9210PBF P-CH. 200V 1.9A IPAK=TO-251 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU9210-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFU9214-E3Vishay SiliconixSiHFU9214-E3 IRFU9214PBF P-CH. 250V 2.7A IPAK=TO-251 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU9220-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-251AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU9220-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A TO251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.36 грн
10+65.22 грн
50+48.67 грн
100+40.66 грн
500+31.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU9220-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHFU9220-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.6 A, 1.5 ohm, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 6143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU9220-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-251AA
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
456+30.92 грн
Мінімальне замовлення: 456 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU9220-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -200V Vds 20V Vgs IPAK (TO-251)
на замовлення 1619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFU9310-E3Vishay SiliconixSiHFU9310-E3 IRFU9310PBF P-CH. 400V 1.8A IPAK=TO-251 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFUC20-E3Vishay SiliconixSiHFUC20-E3 IRFUC20PBF IPAK=TO-251 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFUC20-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFUC20-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFZ34-E3Vishay SiliconixSiHFZ34-E3 60 В 30 А (TO-220) TO-220-3 Транзистори
на замовлення 49 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
10+80.96 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFZ40-E3Vishay SiliconixSiHFZ40-E3 IRFZ40PBF N-Ch, 60V, 50A, TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFZ44-E3Vishay SiliconixSiHFZ44-E3 60 В 50 А (TO-220) TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFZ44L-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFZ44S-E3Vishay SiliconixSiHFZ44S-E3 IRFZ44SPBF Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFZ44S-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFZ44STRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFZ44STRR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFZ48Vishay SiliconixSiHFZ48 IRFZ48PBF N-Channel 60V 50A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFZ48L-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 60V
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFZ48RS-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFZ48RS-GE3VishayTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFZ48RS-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 43A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFZ48S-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFZ48S-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.08 грн
10+135.08 грн
50+103.41 грн
100+87.47 грн
500+70.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG018N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 63A; Idm: 325A; 524W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 63A
Power dissipation: 524W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 228nC
Pulsed drain current: 325A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG018N60E-GE3VishayN Channel MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG018N60E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG018N60E-GE3VishayN Channel MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG018N60E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG018N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 99 A, 0.023 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 524W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG018N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 99A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 524W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 228 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7612 pF @ 100 V
на замовлення 689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1316.71 грн
25+805.65 грн
50+745.99 грн
100+653.01 грн
500+608.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG018N60E-GE3-XVishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG026N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 95A Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG026N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG026N60EF-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG026N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 95 A, 0.026 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 521W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG026N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 521W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7926 pF @ 100 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1140.68 грн
25+689.34 грн
50+636.59 грн
100+555.78 грн
500+505.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG026N60EF-GE3VishayMOSFETs TO247 600V 95A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG026N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1068.84 грн
25+642.21 грн
50+592.33 грн
100+516.52 грн
500+464.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 24 27 30  [ Наступна Сторінка >> ]