Продукція > SIH

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SiHFU220-E3Vishay SiliconixSiHFU220-E3 IRFU220PBF IPAK=TO-251 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU220-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 200V
на замовлення 2714 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFU310-E3Vishay SiliconixSiHFU310-E3 IRFU310PBF N-CH. 400V 1.7A IPAK=TO-251 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU310-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.1A; Idm: 6A; 25W; IPAK,TO251
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Case: IPAK; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 12nC
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 25W
On-state resistance: 3.6Ω
Pulsed drain current: 6A
Drain-source voltage: 400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU310-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 400V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.66 грн
75+30.83 грн
150+27.41 грн
525+21.12 грн
1050+19.13 грн
2025+17.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU310-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 400V 1.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU310-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 400V 1.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFU320-E3Vishay SiliconixSiHFU320-E3 IRFU320PBF 400V 3.1A IPAK=TO-251 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU320-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFU420-E3Vishay SiliconixSiHFU420-E3 IRFU420PBF N-CH 500V 2.4A IPAK=TO-251 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU420-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU420-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU420A-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU9014-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFU9022-E3Vishay SiliconixSiHFU9022-E3 IRFU9022PBF IPAK=TO-251 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFU9024-E3Vishay SiliconixSiHFU9024-E3 IRFU9024PBF IPAK=TO-251 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU9024-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU9120-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -5.6A; Idm: -22A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU9120-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFU9210-E3Vishay SiliconixSiHFU9210-E3 IRFU9210PBF P-CH. 200V 1.9A IPAK=TO-251 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU9210-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFU9214-E3Vishay SiliconixSiHFU9214-E3 IRFU9214PBF P-CH. 250V 2.7A IPAK=TO-251 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU9220-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-251AA
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+41.02 грн
20+39.05 грн
100+33.93 грн
500+30.24 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU9220-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHFU9220-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.6 A, 1.5 ohm, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU9220-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A TO251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.03 грн
11+29.28 грн
100+25.34 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU9220-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-251AA
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
456+30.85 грн
Мінімальне замовлення: 456 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU9220-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -200V Vds 20V Vgs IPAK (TO-251)
на замовлення 1764 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFU9310-E3Vishay SiliconixSiHFU9310-E3 IRFU9310PBF P-CH. 400V 1.8A IPAK=TO-251 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFUC20-E3Vishay SiliconixSiHFUC20-E3 IRFUC20PBF IPAK=TO-251 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFUC20-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFUC20-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFZ34-E3Vishay SiliconixSiHFZ34-E3 60 В 30 А (TO-220) TO-220-3 Транзистори
на замовлення 49 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
4+80.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFZ40-E3Vishay SiliconixSiHFZ40-E3 IRFZ40PBF N-Ch, 60V, 50A, TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFZ44-E3Vishay SiliconixSiHFZ44-E3 60 В 50 А (TO-220) TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFZ44L-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFZ44S-E3Vishay SiliconixSiHFZ44S-E3 IRFZ44SPBF Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFZ44S-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFZ44STRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFZ44STRR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFZ48Vishay SiliconixSiHFZ48 IRFZ48PBF N-Channel 60V 50A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFZ48RS-GE3VishayTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFZ48RS-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFZ48RS-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 43A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFZ48S-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.03 грн
10+116.59 грн
100+82.79 грн
500+62.78 грн
1000+57.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFZ48S-GE3VishayTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFZ48S-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG018N60E-GE3VishayN Channel MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG018N60E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG018N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 63A; Idm: 325A; 524W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 63A
Power dissipation: 524W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 228nC
Pulsed drain current: 325A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG018N60E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG018N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 99 A, 0.023 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 524W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG018N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 99A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 524W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 228 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7612 pF @ 100 V
на замовлення 704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1286.99 грн
25+787.47 грн
100+680.13 грн
500+594.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG018N60E-GE3VishayN Channel MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG018N60E-GE3-XVishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG026N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 95A Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG026N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 521W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7926 pF @ 100 V
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1080.70 грн
10+734.25 грн
100+561.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG026N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG026N60EF-GE3VishayMOSFETs TO247 600V 95A N-CH MOSFET
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG026N60EF-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG026N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 95 A, 0.026 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 521W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG026N65E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 650V
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG026N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1044.52 грн
25+627.73 грн
100+537.97 грн
500+454.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG033N60SF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG039N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+588.47 грн
10+582.85 грн
25+577.32 грн
50+551.28 грн
100+505.51 грн
250+480.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG039N60E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG039N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 63A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4369 pF @ 100 V
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+752.03 грн
25+444.02 грн
100+377.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG039N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG039N60E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG039N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 63 A, 0.039 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG039N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+588.47 грн
25+577.32 грн
50+551.28 грн
100+505.51 грн
250+480.48 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG039N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG039N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 61A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4323 pF @ 100 V
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+818.99 грн
10+549.69 грн
100+414.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG039N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG039N60EF-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG039N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG039N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG039N60EF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO247 600V 61A N-CH MOSFET
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG039N60EF-GE3-XVishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG041N65SF-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 650V
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG050N60E-GE3VishaySIHG050N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC - Arrow.com
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+463.44 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG050N60E-GE3VishayMOSFET N-CH 600V 51A TO247AC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG050N60E-GE3VishaySIHG050N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG050N60E-GE3VishaySIHG050N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC - Arrow.com
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+464.29 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG050N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 51A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3459 pF @ 100 V
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+758.95 грн
10+504.25 грн
100+376.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG050N60E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG050N60E-GE3VishaySIHG050N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC - Arrow.com
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+488.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG050N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 32A; Idm: 155A; 278W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 155A
Power dissipation: 278W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG050N65SF-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6369 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG050N65SF-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 650V
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG050N65SF-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6369 pF @ 100 V
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+472.61 грн
10+306.05 грн
100+221.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG052N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 48A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 100 V
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+523.42 грн
10+342.52 грн
100+251.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG052N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG052N60EF-GE3VishayMOSFET EF SERIES TO-247AC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG052N60EF-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG052N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.052 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF IV Gen
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG052N60EF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG055N65E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG055N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 47 A, 0.058 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG055N65E-GE3VishayMOSFETs N-CHANNEL 650V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG065N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+611.17 грн
25+351.90 грн
100+295.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG065N60E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG065N60E-GE3VishaySIHG065N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC - Arrow.com
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+281.92 грн
51+277.42 грн
52+263.27 грн
100+239.75 грн
250+226.31 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG065N60E-GE3VishayMOSFET N-CH 600V 40A TO247AC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG065N60E-GE3VishaySIHG065N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG065N60E-GE3VishaySIHG065N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC - Arrow.com
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+286.41 грн
10+281.92 грн
25+277.42 грн
50+263.27 грн
100+239.75 грн
250+226.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG065N60E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG065N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.065 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]