Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 5 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25 30 35 40 45 50 53  Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STD12N50M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 100 V
на замовлення 1899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.14 грн
10+91.03 грн
100+61.62 грн
500+46.01 грн
1000+42.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N60DM2AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 600 V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 614 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N60DM2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N60DM2AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N60DM2AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 600 V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 614 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N60DM6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N60DM6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 345 mOhm typ., 10 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package
на замовлення 2359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N60DM6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 508 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N60DM6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD12N60DM6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.345 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.345ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+158.50 грн
10+125.99 грн
100+90.23 грн
500+65.21 грн
1000+55.67 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N60DM6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 508 pF @ 100 V
на замовлення 2357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.79 грн
10+126.73 грн
100+87.30 грн
500+66.10 грн
1000+62.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 100 V
на замовлення 7047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.52 грн
10+85.67 грн
100+57.76 грн
500+42.99 грн
1000+39.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N60M2STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 9A; 85W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 85W
Case: DPAK
Gate-source voltage: 25V
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2500+46.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.29 Ohm typ., 12 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N60M6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD12N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.39 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 96W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M6
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.39ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+155.25 грн
10+134.93 грн
25+112.17 грн
100+93.59 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N60M6STMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N60M6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD12N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.39 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 96W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M6
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.39ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N65M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD12N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8 A, 0.42 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.42ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N65M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD12N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8 A, 0.42 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.42ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+169.07 грн
10+108.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N65M5STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET N-CH 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 8.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NE05L-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NE06STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NE06ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NE06-TR
на замовлення 58700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NE06LST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NE06L-T4
на замовлення 58700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NE06L-TR
на замовлення 3540 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NE06LT4STM07+ TO-252
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NE06T4STMTO-252
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06L-1STMN-channel 60V - 0.08. - 12A - DPAK - IPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06L-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2775+26.43 грн
Мінімальне замовлення: 2775 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06L-1STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 12A; 30W; IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 90mΩ
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±16V
Power dissipation: 30W
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: tube
Case: IPAK
на замовлення 1602 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+67.74 грн
12+37.24 грн
13+33.29 грн
75+25.41 грн
150+23.23 грн
525+19.96 грн
1050+18.53 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06L-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06L-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06L-1STTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube STD12NF06L-1 STMicroelectronics TSTD12NF06L-1
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+14.85 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06L-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2780+26.63 грн
Мінімальне замовлення: 2780 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06L-1STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 60 Volt 12 Amp
на замовлення 13555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06L-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 42.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 1178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.06 грн
75+26.70 грн
150+23.69 грн
525+18.21 грн
1050+16.46 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06L-1STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD12NF06L-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StripFET II
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.08 грн
26+32.43 грн
100+28.86 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06L-T4
на замовлення 53200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06L-TR
на замовлення 58700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06L1ST
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06LAGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06LT4STMN-channel 60V - 0.08. - 12A - DPAK - IPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+58.34 грн
25+31.22 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 129560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
635+55.73 грн
1000+51.39 грн
10000+45.82 грн
100000+37.01 грн
Мінімальне замовлення: 635 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06LT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 60 Volt 12 Amp
на замовлення 5815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 42.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.91 грн
5000+27.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06LT4TECH PUBLICLogic N-MOSFET 12A 60V 30W 0.08Ω STD12NF06L TSTD12nf06l
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
40+17.17 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 42.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.73 грн
10+48.68 грн
100+32.08 грн
500+23.39 грн
1000+21.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
318+44.54 грн
321+44.19 грн
323+43.84 грн
500+41.94 грн
1000+38.52 грн
Мінімальне замовлення: 318 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.59 грн
5000+29.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.72 грн
5000+34.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06T4STMN-channel 60V - 0.08. - 12A - DPAK - IPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD12NF06T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+134.93 грн
10+85.35 грн
100+56.98 грн
500+43.02 грн
1000+35.05 грн
5000+31.84 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.81 грн
5000+50.27 грн
7500+48.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+44.89 грн
25+44.54 грн
100+42.62 грн
250+39.15 грн
500+37.28 грн
1000+36.98 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V
на замовлення 5551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.57 грн
10+72.08 грн
100+48.35 грн
500+35.84 грн
1000+32.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
411+34.42 грн
417+33.94 грн
500+33.85 грн
1000+30.91 грн
Мінімальне замовлення: 411 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06T4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.5A; 30W; DPAK; ESD
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.1Ω
Drain current: 8.5A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 30W
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
на замовлення 2155 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+106.57 грн
10+65.08 грн
100+43.36 грн
500+33.88 грн
1000+29.94 грн
2000+27.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.63 грн
5000+27.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06T4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 60 Volt 12 Amp
на замовлення 3503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.72 грн
5000+34.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06T4-VBVBsemiTO-252 MOSFETs STD12NF06T4 TSTD12NF06T4 VBS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
40+17.17 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NM50NSTTO252 10+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N-CHANNEL MOSFET Power MDmesh
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NM50NDSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 500 V 11 A Fdmesh
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NM50NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12W-0TE ConnectivityWire Labels & Markers SNAP ON .18-.24" 0 PRICE PER EA MARKER
на замовлення 1329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD12W-0TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON WHITE
Packaging: Bulk
Color: White
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.177" ~ 0.236" (4.50mm ~ 6.00mm)
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+7.47 грн
60+6.84 грн
120+6.52 грн
300+5.73 грн
600+5.46 грн
1200+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12W-0RAYCHEM - TE CONNECTIVITYDescription: RAYCHEM - TE CONNECTIVITY - STD12W-0 - Kabelmarkierung, Einrastbar, vorgedruckt, 0, Schwarz, Weiß, 6 mm
tariffCode: 39162000
Farbe der Beschriftung: Schwarz
Markierungsfarbe: Weiß
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Beschriftung: 0
Markierungstyp: Einrastbar, vorgedruckt
euEccn: NLR
Kabeldurchmesser, max.: 6mm
Markierungsmaterial: PVC (Polyvinylchlorid)
Produktpalette: STD
productTraceability: No
Kabeldurchmesser, min.: 4.5mm
Maße Kabelmarkierung: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+190.21 грн
10+163.38 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12W-1TE ConnectivityCable Markers Pre-Marked Snap On Polyoxymethylene White Strip
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12W-1TE ConnectivityWire Labels & Markers SNAP ON .18-.24" 1 PRICE PER EA MARKER
на замовлення 2228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD12W-1TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON WHITE
Packaging: Bulk
Color: White
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.177" ~ 0.236" (4.50mm ~ 6.00mm)
Legend: 1
Part Status: Active
на замовлення 2630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+7.47 грн
60+6.84 грн
120+6.52 грн
300+5.73 грн
600+5.46 грн
1200+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12W-1RAYCHEM - TE CONNECTIVITYDescription: RAYCHEM - TE CONNECTIVITY - STD12W-1 - Kabelmarkierung, Einrastbar, vorgedruckt, 1, Schwarz, Weiß, 6 mm
tariffCode: 39199080
Farbe der Beschriftung: Schwarz
Markierungsfarbe: Weiß
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Beschriftung: 1
Markierungstyp: Einrastbar, vorgedruckt
euEccn: NLR
Kabeldurchmesser, max.: 6mm
Markierungsmaterial: PVC (Polyvinylchlorid)
Produktpalette: STD
productTraceability: No
Kabeldurchmesser, min.: 4.5mm
Maße Kabelmarkierung: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+354.40 грн
10+283.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12W-1TE ConnectivityCable Markers Pre-Marked Snap On Polyoxymethylene White Strip
на замовлення 1282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+4.00 грн
202+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12W-1TE ConnectivityCable Markers Pre-Marked Snap On Polyoxymethylene White Strip
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12W-2TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON WHITE
Packaging: Bulk
Color: White
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.177" ~ 0.236" (4.50mm ~ 6.00mm)
Legend: 2
на замовлення 5340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+7.47 грн
60+6.84 грн
90+6.65 грн
150+6.02 грн
210+5.88 грн
300+5.73 грн
750+5.28 грн
1500+5.03 грн
3000+4.79 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12W-2RAYCHEM - TE CONNECTIVITYDescription: RAYCHEM - TE CONNECTIVITY - STD12W-2 - Kabelmarkierung, Einrastbar, vorgedruckt, 2, Schwarz, Weiß, 6 mm
tariffCode: 39162000
Farbe der Beschriftung: Schwarz
Markierungsfarbe: Weiß
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Beschriftung: 2
Markierungstyp: Einrastbar, vorgedruckt
euEccn: NLR
Kabeldurchmesser, max.: 6mm
Markierungsmaterial: PVC (Polyvinylchlorid)
Produktpalette: STD
productTraceability: No
Kabeldurchmesser, min.: 4.5mm
Maße Kabelmarkierung: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+256.86 грн
10+224.35 грн
100+212.97 грн
250+193.22 грн
500+173.48 грн
1000+169.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12W-2TE ConnectivityCable Markers Pre-Marked Snap On Polyoxymethylene White Strip
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+9.43 грн
86+8.80 грн
116+6.53 грн
135+5.40 грн
140+4.84 грн
250+4.01 грн
500+3.85 грн
1000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12W-2TE ConnectivityWire Labels & Markers SNAP ON .18-.24" 2 PRICE PER EA MARKER
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD12W-3TE ConnectivityWire Labels & Markers SNAP ON .18-.24" 3 PRICE PER EA MARKER
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12W-3TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON WHITE
Legend: 3
Cable Diameter: 0.177" ~ 0.236" (4.50mm ~ 6.00mm)
Type: Wire Marker, Clip-On
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Color: White
Packaging: Bulk
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12W-3RAYCHEM - TE CONNECTIVITYDescription: RAYCHEM - TE CONNECTIVITY - STD12W-3 - Kabelmarkierung, Einrastbar, vorgedruckt, 3, Schwarz, Weiß, 6 mm
tariffCode: 39162000
Farbe der Beschriftung: Schwarz
Markierungsfarbe: Weiß
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Beschriftung: 3
Markierungstyp: Einrastbar, vorgedruckt
euEccn: NLR
Kabeldurchmesser, max.: 6mm
Markierungsmaterial: PVC (Polyvinylchlorid)
Produktpalette: STD Series
productTraceability: No
Kabeldurchmesser, min.: 4.5mm
Maße Kabelmarkierung: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+224.35 грн
10+200.77 грн
100+150.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12W-3TE ConnectivityCable Markers Pre-Marked Snap On Polyoxymethylene White Strip
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+17.59 грн
61+12.48 грн
62+11.77 грн
100+8.86 грн
250+8.41 грн
500+7.95 грн
1000+6.45 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12W-4TE Connectivity / RaychemWire Labels & Markers SNAP ON .18-.24" 4 PRICE PER EA MARKER
на замовлення 633 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 5 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25 30 35 40 45 50 53  Наступна Сторінка >> ]