Продукція > STD
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STD12N50M2 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 500V 10A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 100 V | на замовлення 1899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| STD12N60DM2AG | STMicroelectronics | Description: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 600 V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 614 pF @ 100 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STD12N60DM2AG | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STD12N60DM2AG | STMicroelectronics | MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STD12N60DM2AG | STMicroelectronics | Description: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 600 V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 614 pF @ 100 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STD12N60DM6 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STD12N60DM6 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 600 V, 345 mOhm typ., 10 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package | на замовлення 2359 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STD12N60DM6 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 10A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 508 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STD12N60DM6 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STD12N60DM6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.345 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh DM6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.345ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| STD12N60DM6 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 10A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 508 pF @ 100 V | на замовлення 2357 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| STD12N60M2 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 100 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| STD12N60M2 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 100 V | на замовлення 7047 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| STD12N60M2 | STMicroelectronics | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 9A; 85W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 600V Drain current: 9A Power dissipation: 85W Case: DPAK Gate-source voltage: 25V Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of channel: enhancement | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| STD12N60M2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STD12N60M2 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STD12N60M6 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 600 V, 0.29 Ohm typ., 12 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STD12N60M6 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STD12N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.39 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 96W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M6 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.39ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | на замовлення 131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| STD12N60M6 | STMicroelectronics | Description: DISCRETE Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STD12N60M6 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STD12N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.39 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 96W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M6 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.39ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STD12N65M2 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STD12N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8 A, 0.42 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.42ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 17 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STD12N65M2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STD12N65M2 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 650V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STD12N65M2 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STD12N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8 A, 0.42 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.42ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| STD12N65M2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STD12N65M2 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STD12N65M2 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 650V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STD12N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STD12N65M5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 650V 8.5A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.3A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STD12NE05L-TR | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| STD12NE06 | STMicroelectronics | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STD12NE06 | ST | 07+ TO-252/D-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STD12NE06-TR | на замовлення 58700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| STD12NE06L | ST | 07+ TO-252/D-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STD12NE06L-T4 | на замовлення 58700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| STD12NE06L-TR | на замовлення 3540 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| STD12NE06LT4 | STM | 07+ TO-252 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STD12NE06T4 | STM | TO-252 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STD12NF06 | ST | 07+ TO-252/D-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STD12NF06-1 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 60V 12A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STD12NF06L-1 | STM | N-channel 60V - 0.08. - 12A - DPAK - IPAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STD12NF06L-1 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 2775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| STD12NF06L-1 | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 12A; 30W; IPAK Mounting: THT Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar On-state resistance: 90mΩ Drain current: 12A Gate-source voltage: ±16V Power dissipation: 30W Drain-source voltage: 60V Kind of package: tube Case: IPAK | на замовлення 1602 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| STD12NF06L-1 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| STD12NF06L-1 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| STD12NF06L-1 | ST | Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube STD12NF06L-1 STMicroelectronics TSTD12NF06L-1 кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| STD12NF06L-1 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 2780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| STD12NF06L-1 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 60 Volt 12 Amp | на замовлення 13555 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STD12NF06L-1 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 60V 12A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 42.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V | на замовлення 1178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| STD12NF06L-1 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STD12NF06L-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 42.8W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StripFET II productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| STD12NF06L-T4 | на замовлення 53200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| STD12NF06L-TR | на замовлення 58700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| STD12NF06L1 | ST | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| STD12NF06LAG | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STD12NF06LT4 | STM | N-channel 60V - 0.08. - 12A - DPAK - IPAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STD12NF06LT4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| STD12NF06LT4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 129560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| STD12NF06LT4 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 60 Volt 12 Amp | на замовлення 5815 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STD12NF06LT4 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 42.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STD12NF06LT4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| STD12NF06LT4 | TECH PUBLIC | Logic N-MOSFET 12A 60V 30W 0.08Ω STD12NF06L TSTD12nf06l кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| STD12NF06LT4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 19 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STD12NF06LT4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| STD12NF06LT4 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 42.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| STD12NF06T4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| STD12NF06T4 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| STD12NF06T4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| STD12NF06T4 | STM | N-channel 60V - 0.08. - 12A - DPAK - IPAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STD12NF06T4 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STD12NF06T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 5675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| STD12NF06T4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| STD12NF06T4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| STD12NF06T4 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V | на замовлення 5551 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| STD12NF06T4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| STD12NF06T4 | STMicroelectronics | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.5A; 30W; DPAK; ESD Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.1Ω Drain current: 8.5A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 30W Drain-source voltage: 60V Kind of package: reel; tape Case: DPAK | на замовлення 2155 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| STD12NF06T4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| STD12NF06T4 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 60 Volt 12 Amp | на замовлення 3503 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STD12NF06T4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| STD12NF06T4-VB | VBsemi | TO-252 MOSFETs STD12NF06T4 TSTD12NF06T4 VBS кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| STD12NM50N | ST | TO252 10+ | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STD12NM50N | STMicroelectronics | MOSFET N-CHANNEL MOSFET Power MDmesh | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STD12NM50N | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 500V 11A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STD12NM50ND | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 500 V 11 A Fdmesh | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STD12NM50ND | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 500V 11A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STD12W-0 | TE Connectivity | Wire Labels & Markers SNAP ON .18-.24" 0 PRICE PER EA MARKER | на замовлення 1329 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STD12W-0 | TE Connectivity Raychem Cable Protection | Description: WIRE MARKER CLIP-ON WHITE Packaging: Bulk Color: White Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free Type: Wire Marker, Clip-On Cable Diameter: 0.177" ~ 0.236" (4.50mm ~ 6.00mm) | на замовлення 1740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| STD12W-0 | RAYCHEM - TE CONNECTIVITY | Description: RAYCHEM - TE CONNECTIVITY - STD12W-0 - Kabelmarkierung, Einrastbar, vorgedruckt, 0, Schwarz, Weiß, 6 mm tariffCode: 39162000 Farbe der Beschriftung: Schwarz Markierungsfarbe: Weiß rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Beschriftung: 0 Markierungstyp: Einrastbar, vorgedruckt euEccn: NLR Kabeldurchmesser, max.: 6mm Markierungsmaterial: PVC (Polyvinylchlorid) Produktpalette: STD productTraceability: No Kabeldurchmesser, min.: 4.5mm Maße Kabelmarkierung: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| STD12W-1 | TE Connectivity | Cable Markers Pre-Marked Snap On Polyoxymethylene White Strip | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2700 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STD12W-1 | TE Connectivity | Wire Labels & Markers SNAP ON .18-.24" 1 PRICE PER EA MARKER | на замовлення 2228 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STD12W-1 | TE Connectivity Raychem Cable Protection | Description: WIRE MARKER CLIP-ON WHITE Packaging: Bulk Color: White Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free Type: Wire Marker, Clip-On Cable Diameter: 0.177" ~ 0.236" (4.50mm ~ 6.00mm) Legend: 1 Part Status: Active | на замовлення 2630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| STD12W-1 | RAYCHEM - TE CONNECTIVITY | Description: RAYCHEM - TE CONNECTIVITY - STD12W-1 - Kabelmarkierung, Einrastbar, vorgedruckt, 1, Schwarz, Weiß, 6 mm tariffCode: 39199080 Farbe der Beschriftung: Schwarz Markierungsfarbe: Weiß rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Beschriftung: 1 Markierungstyp: Einrastbar, vorgedruckt euEccn: NLR Kabeldurchmesser, max.: 6mm Markierungsmaterial: PVC (Polyvinylchlorid) Produktpalette: STD productTraceability: No Kabeldurchmesser, min.: 4.5mm Maße Kabelmarkierung: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| STD12W-1 | TE Connectivity | Cable Markers Pre-Marked Snap On Polyoxymethylene White Strip | на замовлення 1282 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| STD12W-1 | TE Connectivity | Cable Markers Pre-Marked Snap On Polyoxymethylene White Strip | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1350 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STD12W-2 | TE Connectivity Raychem Cable Protection | Description: WIRE MARKER CLIP-ON WHITE Packaging: Bulk Color: White Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free Type: Wire Marker, Clip-On Cable Diameter: 0.177" ~ 0.236" (4.50mm ~ 6.00mm) Legend: 2 | на замовлення 5340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| STD12W-2 | RAYCHEM - TE CONNECTIVITY | Description: RAYCHEM - TE CONNECTIVITY - STD12W-2 - Kabelmarkierung, Einrastbar, vorgedruckt, 2, Schwarz, Weiß, 6 mm tariffCode: 39162000 Farbe der Beschriftung: Schwarz Markierungsfarbe: Weiß rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Beschriftung: 2 Markierungstyp: Einrastbar, vorgedruckt euEccn: NLR Kabeldurchmesser, max.: 6mm Markierungsmaterial: PVC (Polyvinylchlorid) Produktpalette: STD productTraceability: No Kabeldurchmesser, min.: 4.5mm Maße Kabelmarkierung: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| STD12W-2 | TE Connectivity | Cable Markers Pre-Marked Snap On Polyoxymethylene White Strip | на замовлення 1499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| STD12W-2 | TE Connectivity | Wire Labels & Markers SNAP ON .18-.24" 2 PRICE PER EA MARKER | на замовлення 2565 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STD12W-3 | TE Connectivity | Wire Labels & Markers SNAP ON .18-.24" 3 PRICE PER EA MARKER | на замовлення 2820 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STD12W-3 | TE Connectivity Raychem Cable Protection | Description: WIRE MARKER CLIP-ON WHITE Legend: 3 Cable Diameter: 0.177" ~ 0.236" (4.50mm ~ 6.00mm) Type: Wire Marker, Clip-On Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free Color: White Packaging: Bulk | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STD12W-3 | RAYCHEM - TE CONNECTIVITY | Description: RAYCHEM - TE CONNECTIVITY - STD12W-3 - Kabelmarkierung, Einrastbar, vorgedruckt, 3, Schwarz, Weiß, 6 mm tariffCode: 39162000 Farbe der Beschriftung: Schwarz Markierungsfarbe: Weiß rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Beschriftung: 3 Markierungstyp: Einrastbar, vorgedruckt euEccn: NLR Kabeldurchmesser, max.: 6mm Markierungsmaterial: PVC (Polyvinylchlorid) Produktpalette: STD Series productTraceability: No Kabeldurchmesser, min.: 4.5mm Maße Kabelmarkierung: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| STD12W-3 | TE Connectivity | Cable Markers Pre-Marked Snap On Polyoxymethylene White Strip | на замовлення 2100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| STD12W-4 | TE Connectivity / Raychem | Wire Labels & Markers SNAP ON .18-.24" 4 PRICE PER EA MARKER | на замовлення 633 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

