Продукція > Si4

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI4392DYSILICONIX
на замовлення 2924 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4392DY-T1VISHAY04+
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4392DY-T1 SOP-8VISHAY
на замовлення 23700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4392DY-T1-E3VISHAYSOP8
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4392DY-T1-GE3
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4392DY-T1SOP-
на замовлення 23700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4392DYT1E3VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4394DY
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4394DY-T1
на замовлення 569 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4394DY-T1-E3VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4394DY-T1-GE3
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4394DYT1E3VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4396DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4396DY-T1-E3VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4396DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4396DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4396DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4396DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4396DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4396DYT1E3VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4398DY
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4398DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4398DY-T1-E3VISHAY
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4398DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4398DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4398DY-T1-GE3
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4398DYT1E3VISHAY
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI440
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4400SILICONX1
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4400DYT1VISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4400M3SI00+ SOP8
на замовлення 167 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDYUMWDescription: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDYUMWDescription: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.50 грн
10+38.53 грн
100+25.02 грн
500+18.02 грн
1000+16.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDYSiliconixTransistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 21mOhm; 8,7A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; SI4401BDY TSI4401bdy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+37.69 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY(UMW)UMWSI4401BDY(UMW) SI4401BDY MOSFET 40V 16.1A SOP-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-E3Vishay / SiliconixMOSFET P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 5 V
на замовлення 10685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.69 грн
10+139.17 грн
100+96.43 грн
500+73.36 грн
1000+67.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-E3Vishay SiliconixSI4401BDY-T1-E3 SI4401BDY P-Channel 40-V (D-S) MOSFET Транзистори
на замовлення 192 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
2+420.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-E3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -8.3A; Idm: -50A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.3A
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 2.9W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+88.74 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.60 грн
10+102.00 грн
25+100.41 грн
50+95.28 грн
100+86.79 грн
250+81.95 грн
500+80.58 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 5 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+69.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V 10.5A 0.014Ohm
на замовлення 12507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+103.60 грн
139+102.00 грн
142+100.41 грн
144+95.28 грн
146+86.79 грн
250+81.95 грн
500+80.58 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+247.58 грн
10+161.15 грн
100+111.08 грн
500+86.74 грн
2500+79.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V 10.5A 2.9W 14mohm @ 10V
на замовлення 9321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+228.57 грн
64+222.49 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 5 V
на замовлення 9472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.44 грн
10+118.24 грн
100+81.20 грн
500+61.33 грн
1000+56.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+253.26 грн
87+163.48 грн
100+148.36 грн
200+105.70 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+162.15 грн
127+111.78 грн
500+90.52 грн
2500+86.40 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 5 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+56.86 грн
5000+53.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-GE3Vishay SiliconixSI4401BDY-T1-GE3 SI4401BDY P-Channel 40-V (D-S) MOSFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+228.57 грн
10+222.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-GE3CT-NDVISHAY
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDYT1E3VISHAY
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3Vishay SiliconixSI4401DDY-T1-GE3 MOSFET P-CH 40V 16.1A 8SO Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.25 грн
5000+30.78 грн
7500+29.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+86.92 грн
242+58.74 грн
500+44.19 грн
1000+37.51 грн
2500+34.37 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 16.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3007 pF @ 20 V
на замовлення 19669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.61 грн
10+54.72 грн
50+40.64 грн
100+33.87 грн
500+26.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3
на замовлення 330000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4401DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16.1 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 6.3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 42078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3SiliconixP-MOSFET 40V 16.1A 15mΩ 6.3W SI4401DDY-T1-GE3 Vishay TSI4401ddy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+21.30 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -40V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 11912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -16.1A; Idm: -50A
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 4W
Gate charge: 95nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: -16.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -40V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 15mΩ
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+91.14 грн
10+53.16 грн
100+37.96 грн
500+27.77 грн
1000+23.33 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 16.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3007 pF @ 20 V
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.99 грн
7500+21.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.25 грн
5000+30.78 грн
7500+29.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DYVISHAY09+
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DYVishay / SiliconixMOSFET 40V 10.5A 3W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DY-E3Vishay SiliconixДЛЯ НОВЫХ РАЗРАБ. РЕКОМЕНД. Si4401DDY Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DY-E3Vishay / SiliconixMOSFET 40V 10.5A 3W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DY-T1VIS03+ SOP8
на замовлення 2119 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DY-T1Vishay / SiliconixMOSFET 40V 10.5A 3W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4401DDY-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4401DDY-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DYT1VISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DYT1E3VISHAY
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401FDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.56 грн
5000+35.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401FDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.36 грн
5000+28.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401FDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4401FDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.0142 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0142ohm
на замовлення 242079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401FDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -40V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 8728 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401FDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401FDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+27.66 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401FDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 9.9A/14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
на замовлення 40966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.60 грн
10+60.93 грн
50+45.45 грн
100+37.96 грн
500+29.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401FDY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -11A; Idm: -80A
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 3.2W
Gate charge: 31nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: -11A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -40V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 18.3mΩ
на замовлення 1351 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+98.22 грн
6+68.85 грн
10+59.24 грн
100+36.81 грн
500+29.83 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401FDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4401FDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.0142 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0142ohm
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401FDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+115.50 грн
197+71.97 грн
500+55.70 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401FDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.56 грн
5000+35.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401FDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+47.33 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401FDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401FDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 9.9A/14A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.74 грн
7500+22.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.