Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRFP250ONS/FAIТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250SiliconixN-MOSFET 30A 200V 190W 0.085Ω IRFP250 TIRFP250
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+145.98 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2970 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 200 Volt 33 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250
на замовлення 1642 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250SiliconixN-MOSFET 30A 200V 190W 0.085Ω IRFP250 TIRFP250
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+145.98 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250 (IRFP250PBF)
Код товару: 7938
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 200 V
Idd,A: 33 A
Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2850/117
Монтаж: THT
у наявності: 51 шт
  • 19 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 32 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+72.00 грн
10+65.00 грн
100+58.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250A
Код товару: 46979
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250BONS/FAIТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MInfineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MInfineonN-MOSFET 30A 200V 214W 0.075Ω IRFP250M TIRFP250m
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+123.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
на замовлення 1088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+166.69 грн
10+117.03 грн
100+86.31 грн
500+79.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFP250MPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 7752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+209.37 грн
10+116.50 грн
100+94.50 грн
500+70.35 грн
1000+63.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
на замовлення 1088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+165.90 грн
122+116.47 грн
166+85.90 грн
500+79.23 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V
на замовлення 3816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+254.52 грн
25+135.92 грн
100+109.78 грн
500+83.36 грн
1000+77.05 грн
2000+71.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
на замовлення 3188 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+246.03 грн
10+157.39 грн
100+96.36 грн
400+80.30 грн
1200+74.72 грн
2800+70.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NInfineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NInternational RectifierN-MOSFET 30A 200V 214W 0.075Ω IRFP250N TIRFP250n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+86.03 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250N IR
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFP250NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+268.02 грн
10+173.52 грн
100+136.05 грн
500+96.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBF
Код товару: 40169
1 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 200 V
Idd,A: 30 A
Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2159/123
Монтаж: THT
у наявності: 45 шт
  • 23 шт - склад
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+75.00 грн
10+69.00 грн
100+62.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
на замовлення 3912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+321.79 грн
10+207.18 грн
100+134.77 грн
400+113.12 грн
1200+104.74 грн
2800+97.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBFInfineonТранзистори
на замовлення 40 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
1+320.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+265.20 грн
100+216.17 грн
500+176.90 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 64854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+196.95 грн
101+141.32 грн
500+134.92 грн
1000+123.67 грн
2000+118.24 грн
5000+116.07 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+139.96 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+139.96 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBFJSMSEMIТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 64857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+199.89 грн
25+197.88 грн
100+142.00 грн
500+135.57 грн
1000+124.26 грн
2000+118.81 грн
5000+116.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.07 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250P
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
на замовлення 1537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+513.76 грн
25+291.72 грн
100+243.40 грн
500+192.14 грн
1000+180.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+387.64 грн
42+338.69 грн
50+308.26 грн
100+270.46 грн
125+243.34 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 345 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+312.28 грн
5+237.03 грн
10+212.65 грн
25+185.75 грн
50+168.94 грн
100+153.81 грн
125+149.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 1579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+267.06 грн
25+264.41 грн
100+233.23 грн
500+165.67 грн
1000+129.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 3661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+268.78 грн
25+266.09 грн
100+235.19 грн
500+167.80 грн
1000+109.65 грн
2000+104.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+206.10 грн
25+204.03 грн
100+190.98 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFP250PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.085 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 180W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+379.63 грн
10+202.85 грн
100+174.34 грн
500+132.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO247 200V 30A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 1579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+264.41 грн
100+233.23 грн
500+165.67 грн
1000+129.68 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250PBFTO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 3661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+267.50 грн
54+264.83 грн
100+234.08 грн
500+167.00 грн
1000+109.12 грн
2000+103.70 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+206.10 грн
70+204.03 грн
100+190.98 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250S2453HARRISIRFP250S2453
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+164.19 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250S2453Harris CorporationDescription: 33A, 200V, 0.085 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+123.16 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250S2497Harris CorporationDescription: 33A, 200V, 0.085 OHM, N-CHANNEL
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP251HARRISIRFP251
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
172+206.72 грн
Мінімальне замовлення: 172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP251Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+154.98 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP254Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP254Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP254IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP254IXYSMOSFETs 23 Amps 250V 0.14 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP254A
на замовлення 1302 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP254BFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
на замовлення 11382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
308+64.62 грн
Мінімальне замовлення: 308 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP254BONSEMIDescription: ONSEMI - IRFP254B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 11578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
544+55.07 грн
Мінімальне замовлення: 544 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP254BON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
на замовлення 8763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
385+92.07 грн
500+82.87 грн
1000+76.41 грн
Мінімальне замовлення: 385 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP254BON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
на замовлення 1419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
385+92.07 грн
500+82.87 грн
1000+76.41 грн
Мінімальне замовлення: 385 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP254BFP001Fairchild SemiconductorDescription: 25A, 250V, 0.14OHM, N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP254NIRTO-247
на замовлення 7650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP254NPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP254NPBF
Код товару: 40244
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP254PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP254PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 2598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+222.55 грн
25+220.28 грн
100+194.95 грн
500+175.32 грн
1000+161.58 грн
2000+153.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP254PBFTO247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP254PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+408.93 грн
44+327.21 грн
50+294.46 грн
100+255.05 грн
125+215.39 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP254PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO247 250V 23A N-CH MOSFET
на замовлення 6595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+362.52 грн
10+209.59 грн
100+152.92 грн
500+129.18 грн
1000+121.50 грн
2500+120.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP254PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 1788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+236.51 грн
100+205.27 грн
500+182.92 грн
1000+168.52 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP254PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP254PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 1792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+239.51 грн
25+237.11 грн
100+205.79 грн
500+183.38 грн
1000+168.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP254PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 2918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+379.43 грн
25+211.84 грн
100+175.23 грн
500+136.94 грн
1000+131.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP254PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFP254PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 23 A, 0.14 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+356.82 грн
10+211.81 грн
100+179.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP254PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 23A; Idm: 92A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 23A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 92A
на замовлення 413 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+314.09 грн
10+196.68 грн
25+181.55 грн
50+169.78 грн
100+158.02 грн
125+154.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP254PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 2598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+222.55 грн
65+220.28 грн
100+194.95 грн
500+175.32 грн
1000+161.58 грн
2000+153.58 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260
Код товару: 18422
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Uds,V: 200 V
Idd,A: 46 A
Rds(on), Ohm: 0,055 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+62.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 46A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260IXYSMOSFETs 46 Amps 200V 0.055 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MInternational RectifierTransistor N-MOSFET; 200V; 20V; 40mOhm; 50A; 300W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IRFP260M; IRFP260M TIRFP260m
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+103.84 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MInfineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MInternational RectifierTransistor N-MOSFET; 200V; 20V; 40mOhm; 50A; 300W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IRFP260M; IRFP260M TIRFP260m
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+103.84 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 5839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+362.07 грн
10+208.66 грн
100+166.92 грн
400+133.78 грн
1200+116.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 5838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+361.15 грн
69+208.13 грн
100+166.50 грн
400+133.43 грн
1200+115.86 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFP260MPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+252.54 грн
10+141.75 грн
100+119.75 грн
500+91.53 грн
1000+83.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 628 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+253.45 грн
5+179.03 грн
10+143.73 грн
25+105.06 грн
50+89.09 грн
100+82.37 грн
125+81.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRFP260MPBF
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+141.75 грн
500+133.48 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 6275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+326.37 грн
71+199.86 грн
100+162.66 грн
400+131.91 грн
1200+114.94 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MPBFInternational RectifierHEXFET N-CH 200 V 50 A 300W 0.04 Om TO-247AC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MPBF
Код товару: 113423
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 200 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4057/234
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+60.50 грн
10+54.50 грн
100+49.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
на замовлення 23732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+296.53 грн
10+191.12 грн
100+123.59 грн
400+104.04 грн
1200+96.36 грн
2800+90.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]