Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFP250ONS/FAIТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250IXYSMOSFETs 30 Amps 200V 0.085 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250SiliconixN-MOSFET 30A 200V 190W 0.085Ω IRFP250 TIRFP250
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+131.02 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 33A TO247-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250
Код товару: 171437
Додати до обраних Обраний товар
SiliconixТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 33 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,075 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2850/117
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+39.00 грн
10+34.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250
на замовлення 1642 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250SiliconixN-MOSFET 30A 200V 190W 0.085Ω IRFP250 TIRFP250
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+131.02 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 200 Volt 33 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2970 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250 (IRFP250PBF)
Код товару: 7938
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 33 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,075 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2850/117
Монтаж: THT
у наявності: 46 шт
  • 19 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 27 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+72.00 грн
10+65.00 грн
100+58.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250A
Код товару: 46979
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250BONS/FAIТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MInfineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MInfineonN-MOSFET 30A 200V 214W 0.075Ω IRFP250M TIRFP250m
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+120.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+297.53 грн
10+151.80 грн
100+111.63 грн
500+97.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 807 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+209.67 грн
5+132.06 грн
10+110.89 грн
25+89.73 грн
50+78.73 грн
100+71.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+296.23 грн
94+151.13 грн
127+111.14 грн
500+97.26 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
на замовлення 3075 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFP250MPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V
на замовлення 3651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.11 грн
25+119.15 грн
50+106.72 грн
100+90.32 грн
500+73.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NInfineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250N IR
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 71333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+296.31 грн
94+151.22 грн
128+111.09 грн
800+106.05 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBF
Код товару: 40169
1 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 30 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,075 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2159/123
Монтаж: THT
у наявності: 144 шт
  • 123 шт - склад
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+75.00 грн
10+69.00 грн
100+62.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 2728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+151.17 грн
1200+146.47 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBFInfineonТранзистори
на замовлення 40 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
3+317.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+151.17 грн
1200+146.47 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 71333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+297.61 грн
10+151.88 грн
100+111.58 грн
800+106.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFP250NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V
на замовлення 3366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.11 грн
25+119.22 грн
50+106.77 грн
100+90.36 грн
500+73.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+147.00 грн
500+132.89 грн
1000+122.30 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+266.31 грн
97+145.76 грн
130+109.26 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+180.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBFJSMSEMIТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+266.31 грн
10+145.76 грн
100+109.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250P
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250PBFTO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFP250PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.085 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 180W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
на замовлення 2861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+527.71 грн
25+299.87 грн
50+272.90 грн
100+234.81 грн
500+197.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 3304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+266.92 грн
54+264.24 грн
100+224.49 грн
500+162.36 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+206.69 грн
25+204.62 грн
50+202.55 грн
100+183.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO247 200V 30A N-CH MOSFET
на замовлення 2257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 3304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+270.79 грн
25+268.09 грн
50+265.40 грн
100+225.48 грн
500+163.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+385.92 грн
42+337.18 грн
50+306.89 грн
100+269.26 грн
125+242.26 грн
500+204.34 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+204.62 грн
70+202.55 грн
100+183.35 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 546 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+314.51 грн
5+238.72 грн
10+214.17 грн
25+187.08 грн
50+170.15 грн
100+154.91 грн
125+150.68 грн
500+132.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250S2453HARRISIRFP250S2453
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+163.46 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250S2453Harris CorporationDescription: 33A, 200V, 0.085 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+126.60 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250S2497Harris CorporationDescription: 33A, 200V, 0.085 OHM, N-CHANNEL
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP251HARRISIRFP251
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
172+205.80 грн
Мінімальне замовлення: 172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP251Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+159.49 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP254Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP254Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP254IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP254IXYSMOSFETs 23 Amps 250V 0.14 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP254A
на замовлення 1302 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP254BFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
на замовлення 10182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
308+67.26 грн
Мінімальне замовлення: 308 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP254BFAIRCHILDIRFP254B
на замовлення 1419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
385+91.66 грн
500+82.50 грн
1000+76.07 грн
Мінімальне замовлення: 385 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP254BFAIRCHILDIRFP254B
на замовлення 8763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
385+91.66 грн
500+82.50 грн
1000+76.07 грн
Мінімальне замовлення: 385 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP254BONSEMIDescription: ONSEMI - IRFP254B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 11578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 544 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP254BFP001Fairchild SemiconductorDescription: 25A, 250V, 0.14OHM, N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP254NIRTO-247
на замовлення 7650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP254NPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP254NPBF
Код товару: 40244
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP254PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP254PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 3292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+286.21 грн
25+283.35 грн
50+280.52 грн
100+226.79 грн
500+169.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP254PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 2598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+258.72 грн
56+253.55 грн
100+211.01 грн
500+161.62 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP254PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFP254PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 23 A, 0.14 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP254PBFTO247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP254PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO247 250V 23A N-CH MOSFET
на замовлення 6876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP254PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 3288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+282.24 грн
51+279.42 грн
100+225.90 грн
500+168.44 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP254PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 2598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+258.72 грн
25+256.18 грн
50+253.55 грн
100+211.01 грн
500+161.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP254PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 23A; Idm: 92A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 23A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 92A
на замовлення 403 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+316.33 грн
10+198.08 грн
25+182.85 грн
50+171.00 грн
100+159.14 грн
125+155.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP254PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP254PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+407.36 грн
44+325.75 грн
50+295.19 грн
100+254.60 грн
125+215.13 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP254PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP254PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP254PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 2908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+421.69 грн
25+235.38 грн
50+213.28 грн
100+182.71 грн
500+152.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260
Код товару: 18422
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 46 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,055 Ом
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+62.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 46A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260IXYSMOSFETs 46 Amps 200V 0.055 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MInfineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MInternational RectifierTransistor N-MOSFET; 200V; 20V; 40mOhm; 50A; 300W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IRFP260M; IRFP260M TIRFP260m
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+88.41 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+144.65 грн
500+136.42 грн
1000+129.36 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4057 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 2966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+273.74 грн
25+148.62 грн
50+133.58 грн
100+113.50 грн
500+92.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+255.26 грн
5+180.31 грн
10+144.75 грн
25+105.81 грн
50+89.73 грн
100+82.96 грн
125+82.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
на замовлення 2611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+156.14 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MPBFInternational RectifierHEXFET N-CH 200 V 50 A 300W 0.04 Om TO-247AC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+132.13 грн
1200+124.23 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]