Продукція > irf
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFP260PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP260PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP260PBF Код товару: 195436
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRFP260PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP260PBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO247 200V 46A N-CH MOSFET | на замовлення 3218 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP260PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 1470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP260PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP260PBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 46A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | на замовлення 305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP260PBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFP260PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 46 A, 0.055 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 280W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm | на замовлення 1097 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP260PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 829 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP264 | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP264 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 250V 38A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP264 | Vishay Semiconductor | N-канальний ПТ, Udss, В = 250, Id = 38 А, Ptot, Вт = 280, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 5400 @ 25, Qg, нКл = 210, Rds = 75 мОм, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3,... Транзистори Корпус: TO-247AC Од. вим: шт кількість в упаковці: 25 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP264 | IXYS | MOSFETs 38 Amps 250V 0.075 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP264N | IR | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRFP264N | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-Chan 250V 44 Amp | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP264N Код товару: 27857
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247AC Напруга сток-витік Uds, В: 250 В Струм стоку Idd, А: 44 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 60 мОм Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3860/210 Монтаж: THT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP264NPBF | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-Chan 250V 44 Amp | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP264NPBF Код товару: 219855
Додати до обраних
Обраний товар
| Siliconix | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247AC Напруга сток-витік Uds, В: 250 В Струм стоку Idd, А: 44 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 60 мОм Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3860/210 Монтаж: THT | у наявності: 46 шт
|
| ||||||||||||
| IRFP264NPBF | Vishay Semiconductor | N-канальный ПТ... Транзистори Корпус: TO-247 Од. вим: шт кількість в упаковці: 25 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP264NPBF Код товару: 197506
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247AC Напруга сток-витік Uds, В: 250 В Струм стоку Idd, А: 44 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 60 мОм Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3860/210 Монтаж: THT | на замовлення: 4 шт
|
| ||||||||||||
| IRFP264NPBF | IR | 09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP264NPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 250V 44A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3860 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP264PBF | Vishay Siliconix | N-канальний ПТ, Udss, В = 250, Id = 38, Ptot, Вт = 280, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 5400 @ 25, Qg, нКл = 210 @ 10 B, Rds = 75 мОм @ 23 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 @ 250 мА,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 100 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP264PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 250V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP264PBF | VBSEMI | (MFET,N-CH,280W,250V,38A,TO-247AC) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP264PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 250V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP264PBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFP264PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 38 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 280W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP264PBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 250V 38A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V | на замовлення 304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP264PBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO247 250V 38A N-CH MOSFET | на замовлення 2533 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP264PBF | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 24A; 280W; TO247AC On-state resistance: 75mΩ Mounting: THT Power dissipation: 280W Gate charge: 0.21µC Polarisation: unipolar Drain current: 24A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 250V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: TO247AC | на замовлення 278 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP264PBF | JSMSEMI | (MFET,N-CH,280W,250V,38A,TO-247AC) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP264PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 250V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 278 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP264PBF | (MFET,N-CH,280W,250V,38A,TO-247AC) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRFP264PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 250V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP264PBF (TO-247AC, IR) Код товару: 51613
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247AC Напруга сток-витік Uds, В: 250 В Струм стоку Idd, А: 38 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,075 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 5400/210 Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||
| IRFP264PBF (TO-247AC, Siliconix) Код товару: 156295
1
Додати до обраних
Обраний товар
| Siliconix | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247AC Напруга сток-витік Uds, В: 250 В Струм стоку Idd, А: 38 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,075 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 5400/210 Монтаж: THT | у наявності: 139 шт
|
| ||||||||||||
| IRFP264PBF/IR | IR | 08+; | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP26N60L | на замовлення 6800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP26N60L | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 470W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5020 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP26N60L | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP26N60L | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP26N60LPBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFP26N60LPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.25 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 470W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 1069 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP26N60LPBF | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; Idm: 100A; 470W; TO247AC On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 470W Gate charge: 180nC Polarisation: unipolar Drain current: 26A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±30V Kind of package: tube Case: TO247AC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP26N60LPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 26A TO-247AC Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP26N60LPBF | VISHAY | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRFP26N60LPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 470W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5020 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP26N60LPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO247 600V 26A N-CH MOSFET | на замовлення 1103 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP26N60LPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP27N60K | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 27A TO247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247AC Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 16A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP27N60K | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP27N60K | HEXFET TO247 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRFP27N60K | IR | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRFP27N60K-205 | IR | TO-247 | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP27N60KPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP27N60KPBF | HEXFET TO247 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRFP27N60KPBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFP27N60KPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 27 A, 0.22 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP27N60KPBF Код товару: 91814
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRFP27N60KPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 27A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP27N60KPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP2907 | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 4,5mOhm; 209A; 470W; -55°C ~ 175°C; IRFP2907 TIRFP2907 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP2907 | International Rectifier | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP2907 Код товару: 28880
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247 Напруга сток-витік Uds, В: 75 В Струм стоку Idd, А: 209 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0045 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 13000/620 Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||
| IRFP2907 | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 4,5mOhm; 209A; 470W; -55°C ~ 175°C; IRFP2907 TIRFP2907 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP2907PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 11816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP2907PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 11817 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP2907PBF Код товару: 60422
2
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247AC Напруга сток-витік Uds, В: 75 В Струм стоку Idd, А: 209 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 4,5 мОм Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 13000/410 Монтаж: THT | у наявності: 69 шт
|
| ||||||||||||
| IRFP2907PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP2907PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP2907PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 75 V, 209 A, 4500 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 209A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 470W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm | на замовлення 63 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP2907PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 789 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP2907PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 209A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V Power Dissipation (Max): 470W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V | на замовлення 7402 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP2907PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 75V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 410nC | на замовлення 6978 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP2907PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 75V 209A TO-247AC Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP2907PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 789 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP2907PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP2907PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 209A Power dissipation: 330W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 410nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 230 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP2907PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP2907PBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 75, Id = 209 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 13000 @ 25, Qg, нКл = 620 @ 10 В, Rds = 4,5 мОм @ 125 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 470 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-247AC Од. вим: шт кількість в упаковці: 25 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP2907PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Description: PLANAR 40<-<100V Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V Power Dissipation (Max): 470W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-901 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP2907PBFXKMA1 | Infineon Technologies | PLANAR 40<-<100V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP2907PBFXKMA1 | Infineon Technologies | IRFP2907PBFXKMA1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP2907ZPBF | International Rectifier | IRFP2907ZPBF Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP2907ZPBF Код товару: 48264
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247AC Напруга сток-витік Uds, В: 75 В Струм стоку Idd, А: 90 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 4,5 мОм Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 7500/180 Монтаж: THT | у наявності: 13 шт
|
| ||||||||||||
| IRFP2907ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP2907ZPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 75V 90A 4.5mOhm 180nC Qg | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP2907ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP3006 | Infineon Technologies | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRFP3006 | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC IRFP3006 IRFP3006 TIRFP3006 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 147 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP3006PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP3006PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 854 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP3006PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 297951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP3006PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 170A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP3006PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP3006PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP3006PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 375W; TO247AC Mounting: THT Case: TO247AC Kind of package: tube Technology: HEXFET® Drain current: 195A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.1mΩ Power dissipation: 375W Gate charge: 200nC Polarisation: unipolar | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP3006PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP3006PBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP3006PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 151575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP3006PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRFP3006PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

