Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFP3206PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 12689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+183.46 грн
500+174.05 грн
1000+163.46 грн
10000+148.55 грн
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3206PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFP3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2400 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3206PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+177.93 грн
10+176.11 грн
100+171.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3206PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFP3206PBFXKMA1
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+183.46 грн
500+174.05 грн
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3206PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: IR FET UP TO 60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3206PBFXKMA1Infineon Technologies IR FET UP TO 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3206PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFP3206PBFXKMA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP32N50KVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP32N50K
Код товару: 57713
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 32 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,135 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 5280/190
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+125.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP32N50KSiliconixTransistor N-MOSFET; 500V; 30V; 160mOhm; 32A; 460W; -55°C~150°C; Substitute: IRFP32N50K; IRFP32N50K TIRFP32n50k
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+372.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP32N50KVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 32A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5280 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP32N50KPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP32N50KPBFТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP32N50KPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 32A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5280 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP32N50KPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFP32N50KPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 32 A, 0.16 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP32N50KPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO247 500V 32A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3306International RectifierN-MOSFET HEXFET 120A 60V 220W 0.0042Ω IRFP3306 TIRFP3306
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 69 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+94.34 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3306Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3306PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3306PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFP3306PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0033 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3306PBF
Код товару: 1056
1 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 120 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 3,3 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4520/85
Монтаж: THT
у наявності: 3 шт
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+105.00 грн
10+98.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3306PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+395.14 грн
38+378.16 грн
50+363.75 грн
100+338.86 грн
250+304.24 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3306PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg
на замовлення 1722 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3306PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3306PBFXKMA1Infineon Technologies60V Single N-Channel StrongIRFET Power MOSFET
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+126.73 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3306PBFXKMA1Infineon Technologies60V Single N-Channel StrongIRFET Power MOSFET
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+404.27 грн
10+200.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3306PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3306PBFXKMA1Infineon Technologies60V Single N-Channel StrongIRFET Power MOSFET
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+126.73 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3306PBFXKMA1Infineon Technologies60V Single N-Channel StrongIRFET Power MOSFET
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+364.97 грн
10+193.37 грн
100+132.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3306PBFXKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRFP3306PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 160 A, 0.0042 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 220W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3306PBFXKMA1Infineon Technologies60V Single N-Channel StrongIRFET Power MOSFET
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+402.69 грн
71+199.22 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP340HARRISIRFP340
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+150.53 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP340Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP340HARRISIRFP340
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+150.53 грн
500+143.47 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP340Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 400V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
178+117.19 грн
Мінімальне замовлення: 178 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP340Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP340A
на замовлення 953 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP340PBF
Код товару: 152111
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
очікується: 30 шт
  • 30 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP340PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+300.47 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP340PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFP340PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 11 A, 0.55 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP340PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO247 400V 11A N-CH MOSFET
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP340PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP341
на замовлення 763 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP341Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP341HARRISIRFP341
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
191+148.18 грн
Мінімальне замовлення: 191 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3415International RectifierTrans MOSFET N-CH Si 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC IRFP3415 IRFP3415TR IRFP3415 TIRFP3415
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+89.47 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3415PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 43A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3415PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 150V 43A 42mOhm 144.4nCAC
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3415PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+356.15 грн
10+250.51 грн
100+196.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3415PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
385+181.10 грн
Мінімальне замовлення: 385 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3415PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3415PBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3415PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 385 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3415PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+356.15 грн
57+250.51 грн
100+196.53 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3415PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFP3415PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3415PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 133.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+189.62 грн
10+143.91 грн
25+135.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3415PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
199+177.58 грн
500+168.17 грн
1000+158.76 грн
Мінімальне замовлення: 199 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP342(340)International Rectifier(MFET,N-CH,150W,400V,11A,TO-247AC) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP344
на замовлення 2522 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP344Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 450V 9.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP344Vishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP344PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 450V 9.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP350International Rectifier/InfineonN-канальный ПТ (Vds=400V, Id=16A@T=25C, Id=10A@T=100C, Rds=0.30 R, P=190W, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-247 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP350Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP350SiliconixN-MOSFET 16A 400V 180W 0.3Ω IRFP350 TIRFP350
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 71 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+103.04 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP350Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP350STMicroelectronicsMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP350AFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP350LCVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP350LCVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP350LCPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO247 400V 16A N-CH MOSFET
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP350LCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP350LCPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 10A; Idm: 64A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 10A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 64A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP350LCPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP350LCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP350NPBF
Код товару: 177245
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP350PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP350PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 10A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 10A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP350PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP350PBF
Код товару: 75598
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP350PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFP350PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 16 A, 0.3 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP350PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO247 400V 16A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP350PBF/IRIR08+;
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP351HARRISIRFP351
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
172+205.80 грн
Мінімальне замовлення: 172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP351Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 8.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP352HARRISIRFP352
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+201.10 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP352Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 133 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP354Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 450V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP354PBFVishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP354PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 450V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP360Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP360IXYSMOSFETs 23 Amps 400V 0.2 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP360SiliconixN-MOSFET 20A 400V 250W 0.2Ω IRFP360 TIRFP360
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+152.44 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP360Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP360SiliconixN-MOSFET 20A 400V 250W 0.2Ω IRFP360 TIRFP360
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+152.44 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP360LCVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP360LCVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP360LCPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFP360LCPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 23 A, 0.2 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP360LCPBFVishay SiliconixN-канальний ПТ, Udss, В = 400, Id = 23 А, Ptot, Вт = 280, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 3400 @ 25, Qg, нКл = 110 @ 10 В, Rds = 200 мOм @ 14 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-247AC Од. вим: шт
кількість в упаковці: 25 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP360LCPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]